今日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存
）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
长江存储一贯重视核心技术的自主研发和创新，Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。
据介绍，长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品（特指截止目前业界已上市的64/72层3D NAND 闪存）中最高的存储密度。
Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。
当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。
相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
作为集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，长江存储致力于为全球客户提供完整的存储解决方案及服务，并计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。
考虑到中国乃至全球的NAND Flash格局，长江存储的这款新产品面世拥有极其重要的意义。
肩负中国NAND Flash破局的重任
过去几年，因为存储产品的大幅涨价，让大家正式认识到存储的重要性，但这是一个被几家厂商高度垄断，而中国几近空白的市场。
据资料显示，三星，镁光、SK海力士和东芝等几家厂商几乎垄断了全球的NAND Flash市场供应，其中三星多年位居龙头。
根据公司官网介绍，长江存储科技有限责任公司（“长江存储”）于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
在成立之后，公司一直进展顺利，2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。
在芯片技术发展的同时，长江存储在2018年八月还推出了他们的突破性技术——Xtacking®。
该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
据介绍，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。
随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。
Xtacking®技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
Xtacking®技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。
此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：
“通过将Xtacking®架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。
”
提到关于未来的产能和一些规划发展的时候，之前市场传闻，长江存储到2020年底，可以达到六万片每月，公司也将在2020年跳过96层，直接进入128层，但这都是市场传言，并没有准确的消息来源。
不过长江存储表示，今后，公司将持续投入研发资源，以通过技术和产品的迭代，使每一代产品都具备强劲的市场竞争力，更好地满足全球客户的需求。
“随着5G，人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。
长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。
”程卫华强调。
日前，在紫光集团宣布委任高启全为DRAM事业群CEO后，紫光旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称武汉新芯）宣布，聘请紫光集团全球执行副总裁孙世伟接任高启全担任武汉新芯总经理兼首席执行官（CEO）。
作为一个从1985年起就进入半导体领域，并历任美国摩托罗拉半导体公司担任研发主管，曾任联华电子股份有限公司（UMC）首席运营官、首席执行官、副董事长等重要职务的芯片业界知名的领军人物，孙世伟的加入，必将能给长江存储带来巨大利好。
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