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长江存储发布PCIe4.0固态硬盘致态TiPlus7100，读取速度高达7000MB/s
今天，长江存储举办了线上发布会，推出针对终端消费者不断增长的需求而倾力打造的新款消费级固态硬盘产品——致态TiPlus7100。该产品采用基于晶栈® Xtacking® 3 0架构的长江存储新一代TLC闪存颗粒，支持PCIe Gen4x4接口，无缓存设计方案，拥有2400MT s的单颗芯片接口速度，与上一代相比提高50%，使四通道方案可实现高达7000 MB s的顺序读取速度。
半导体2022.10.27 -
[原创] 长江存储发布第四代闪存，200+时代已来临
半导体行业观察：今日，国产闪存供应商在2022年闪存峰会（FMS）上宣布，公司正式推出了基于晶栈®3 0（Xtacking®3 0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。
半导体2022.08.03 -
长江存储推出PCIe 4.0固态硬盘PC300 灵活满足全场景应用需求
2022年6月23日，长江存储推出新一代商用固态硬盘——PC300系列产品。该产品是长江存储针对新一代全场景应用需求开发的PCIe 4 0 NVMe M 2固态硬盘，可灵活适配笔记本、超薄本、二合一电脑、台式电脑、IoT 嵌入式设备及服务器等终端，满足全场景存储应用需求。
半导体2022.06.23 -
长江存储推出UFS 3.1高速闪存芯片，加速5G时代存储升级
2022年4月19日，中国武汉，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS 3 1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。
半导体2022.04.19 -
[原创] 长江存储推出消费级固态硬盘，释放了什么信号
半导体行业观察：8月28日，长江存储官宣将推出SSD品牌“致钛ZHITAI”。9月10日，长江存储发布了该品牌的首款产品——PC005 Active和SC001 Active。据悉，这两款产品均为消费级固态硬盘。
半导体2020.09.17 -
得一微加入长江存储Xtacking生态联盟，成为首批钻石级生态合作伙伴
8月20日，得一微电子作为钻石级生态合作伙伴，与长江存储正式签署Xtacking商标使用协议，紫光集团董事长、长江存储科技有限责任公司董事长赵伟国、长江存储执行董事长刁石京
半导体2020.08.21 -
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长江存储联席首席技术官程卫华 ：《探索闪存发展可能，共同迎接未来挑战》
在SEMICON China 2020开幕式上，长江存储联席首席技术官程卫华发表了题为《探索闪存发展可能，共同迎接未来挑战》的演讲。
半导体2020.07.06 -
长江存储宣布推出128层闪存，单颗容量达1.33Tb
半导体行业观察：今天，本土存储大厂长江存储科技有限责任公司宣布，其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
半导体2020.04.13 -
[原创] 对话长江存储CEO杨士宁：“零感染、不停产”背后的坚守与责任
半导体行业观察：自1月23日武汉宣布封城以来，位于疫情中心的长江存储成为海内外从业者的目光焦点。作为3D NAND Flash行业的新秀，紫光集团旗下长江存储自2016年成立以来就受到全行业的广泛关注。
半导体2020.04.08 -
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长江存储CEO杨士宁：存储不是一个好做的行业，比CPU还难
半导体行业观察：长期被国际巨头垄断的存储器市场终于迎来了中国玩家。在面对和长江存储一起经历国产NAND FLASH从无到有的八家主要合作伙伴时
半导体2020.01.20 -
官宣，长江存储64层3D NAND闪存量产
半导体行业观察：今日，长江存储正式对外宣布基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存。）
半导体2019.09.02 -
专家：长江存储尚不能撼动全球市场
Nand Flash 控制IC 大厂慧荣总经理苟嘉章指出，从2018 年下半年开始跌价的Nand Flash 价格，因为2019 年的第1 季跌幅已深，第2 季跌价情况已经有所收敛，
半导体2019.05.06 -
[原创] 紫光闪存封测实现重大突破，长江存储蓄势待发！
这次公告标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破,也为紫光集团完整存储器产业链布局落下关键一步棋。
半导体2019.01.08 -
长江存储高启全：64层 NAND FLASH全部自主研发
长江存储执行董事长高启全接受中国证券报记者专访表示，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I O高性能，更高的存储密度
半导体2018.09.26
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