使用MRAM取代DRAM，IBM迈出重要一步
在IBM新一代的FlashSystem存储设备中，将利用磁阻RAM（MRAM）来做写缓存，而不再使用传统的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一，但与NAND闪存或英特尔的3D XPoint存储设备相比，它的密度严重受限。 到目前为止，MRAM大多都应用在嵌入式系统中，MRAM可以取代小型闪存芯片或电池供电的DRAM和SRAM缓存。
Everspin是目前唯一的MRAM芯片供应商，其目前可用的256Mb芯片和1Gb芯片将在今年年底前提供样品，从而推动产能提升。他们不再在飞思卡尔提供的晶圆上自己制造，而是与GlobalFoundries来进行合作，以便在他们的22nm FD-SOI工艺上制造MRAM。容量的增加使得MRAM在大数据处理系统中更具有吸引力，尽管目前它们的容量仍然太小而不能用作主存存储器。
IBM现有的FlashSystem设备使用自定义外形尺寸和系统级别的掉电保护设计，以及基于FPGA的控制器。 新系统切换到标准的2.5“U.2尺寸，这需要在每个设备级别实现掉电保护。IBM发现使用足够大的超级电容以保持FPGA控制器能够运行足够长时间以刷新写缓存的DRAM是不切实际的。但MRAM固有的非易失性可以解决对超级电容的需求。
用于IBM FlashSystem的新SSD具有64层 3D TLC NAND闪存，可用存储容量高达19.2TB，使其成为密度最高的基于TLC的SSD之一。 这些SSD使用20通道NAND接口和4通道PCIe 4.0主机接口，可以在双端口2 + 2模式下运行。 IBM的控制器还提供可选的透明压缩，具有典型的3：1压缩比和符合FIPS 140标准的加密。
©2023 半导体行业观察
Copyright©2023 上海爱思尔教育科技有限公司 皖ICP备19011903号-2 皖公网安备 34019202000656号