半导体行业观察:瑞萨电子公司今天宣布,它已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 的电路技术,以下简称 MRAM)测试芯片。
半导体行业观察:在新的非易失性存储器 (NVM) 技术时代,另一种变体即将加入竞争——称为自旋轨道扭矩或 SOT-MRAM 的新版本 MRAM。
半导体行业观察:虽然当今行业中存在许多内存技术,但 MRAM 技术希望拥有独特的潜力,据报道估计该技术从现在到 2026 年将以 25% 的复合年增长率起飞,到 2026 年达到 62 亿美元。
半导体行业观察:谈到新一代非易失内存(NVRAM) 存储级内存(SCM),ReRAM(忆阻器)、PCM(相变内存)、MRAM(磁性内存)这些新技术,我就想起5年前写的《从技术到应用:揭开3D XPoint Memory迷雾》。
半导体行业观察:最近,FeFET初创者FMC获得了包括默克,SK Hynix,IMEC,Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万美元的资金。
半导体行业观察:MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下来的十年中,两种新兴的非易失性存储器类型(相变存储器和磁RAM)将在独立存储器中处于领先地位。
半导体行业观察:位于加利福尼亚州弗里蒙特的MRAM初创公司Spin Memory表示,它已经开发出一种晶体管,可以大大缩小MRAM和电阻性RAM的尺寸。
半导体行业观察:近年来,在人工智能(AI)、5G等推动下,以MRAM(磁阻式随机存取存储器)、铁电随机存取存储器 (FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM),以及可变电阻式随机存取存储器(RRAM)为代表的新兴存储技术逐渐成为市场热点。
半导体行业观察:被称为反铁磁体(antiferromagnets)的准磁性材料(Quasi-magnetic)因其在计算机内存中保存比传统磁体所允许的数据更多的潜力而吸引了研究兴趣。
在第64届国际电子器件会议( IEDM )上,全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。
半导体行业观察:在IBM新一代的FlashSystem存储设备中,将利用磁阻RAM(MRAM)来做写缓存,而不再使用传统的DRAM。
半导体行业观察:30年前,加州大学伯克利分校的博士生杨林(Frank Lin)想研发出一种特制芯片,能够加快人工智能(AI)的运算速度。
拥护者认为,MRAM技术速度接近SRAM,具有快闪存储器的非挥发性,容量密度及使用寿命不输DRAM,平均能耗远低于DRAM,有望成为真正的通用型内存。