随着半导体制程工艺的发展,硅晶体管的局限逐渐被显现出来,为了摩尔定律继续生效,业界推出了3D晶体管的的定义,
现在,芯片制造商在14 16nmFinfet制程的竞争进入了白热化阶段,
最近IMEC发布了他们在先进制程工艺上激动人心探索的成果——基于水平纳米线的围栅晶体管。水平纳米线围栅晶体管
适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看,7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制
北京时间10月7日消息,据外媒报道,今天,沉寂已久的计算技术界迎来了一个大新闻。劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。 晶体管的制程大小一直是计算技术