NRAM能给现有技术带来威胁吗?

2020-12-07 14:00:44 来源: 半导体行业观察

来源:内容转载自公众号 「企业存储技术」,作者:唐僧 huangliang,谢谢。


谈到新一代非易失内存(NVRAM)/存储级内存(SCM),ReRAM(忆阻器)、PCM(相变内存)、MRAM(磁性内存)这些新技术,我就想起5年前写的《 从技术到应用:揭开3D XPoint Memory 迷雾 》。其中提到后来的Intel Optane(傲腾)应该属于PCM。
ReRAM到现在还没动静。MRAM(包括增强的STT-MRAM)密度始终没上去,成本自然也下不来,这几年企业存储中的应用,我只看到IBM在SSD中用128MB MRAM替代了DRAM。
至于NRAM我之前几乎没怎么关注过,这次趁机补补课。

Nantero研发的NRAM使用了碳纳米管(CNTs) 技术,读/写延时号称只有5ns,并且属于 非易失性 存储介质。

如上图,这里列出的NRAM每tile单元为64Kb,通过水平矩阵加上多层达到256Ktiles、16Gb的密度(应该是Die)。如此水平用来替代基于DRAM颗粒的NVDIMM看上去比较合适。
我查了之前的一些宣传, NRAM的性能应该与DRAM接近,寿命远高于NAND 和NOR闪存(按道理至少是3D XPoint的水平?), 据说成本在量产后为DRAM的一半,但目前工艺应该只达到28nm

PPT 上的容量何时能做到?



按照这个路线图(如果能实现的话),14nm NRAM的密度能达到28nm的8倍,同时引入8-die堆叠;如果到了 7nm 工艺密度还能再提高4倍,达到单个Die 256-512Gb的水平;加上 16-die堆叠应该就是512GB-1TB的芯片密度 ,只是不知何时能达到?
问题是,如今成熟的DRAM工艺还在10nm之上,而除了富士通之外,我还没看到哪家DRAM制造商宣传过自己在做NRAM。而富士通显然已经不算半导体存储一线大厂( 20多年前我在中关村还曾接触过Fujitsu内存条 )。

Memory Class Storage(内存级存储)这样的叫法看着有点怪,可能是因为NRAM在容量上画的这个饼太大吧:)单die密度如果真的达到512Gb, 每条NRAM DIMM内存条就可以做到16TB,不过Nantero这次的ppt自始至终没有提价格和时间点
至少NRAM的成本低于3D XPoint是不太可能了,至于性能下面倒是有一点描述。

性能和功耗优势



由于 不需要像SDRAM那样耗电刷新等,在相同时钟频率下NRAM还能提高15%的吞吐带宽 。Nantero估计认为DDR5是个爆发点,但也没有说当前NRAM能跑到的确切频率。

按照72-bit(ECC)DDR4内存模组来做对比,NRAM不像DRAM在读写刷新和自我刷新时有那么大功耗,因此可以 简化电源设计和散热

NRAM 的应用和商业模式


我试着做了下面这个对比表,如有不足欢迎大家拍砖。


DRAM
3D XPoint
NRAM
NAND 闪存
非易失性
No
Yes
Yes
Yes
性能
高?
写寿命
较高
高?
较低
存储密度
单位功耗
较高
较低?
成本
1/3 DRAM
1/2 DRAM?
技术成熟度
较高
推荐扩展阅读 专辑:Optane (傲腾)、非易失内存


如果NRAM真是一颗可以赚钱的大树,Nantero还要去搞HBM、LPDDR等各种NVRAM吗?


从技术角度,如果NRAM真的能达到接近DRAM的性能和密度,即使价格没有便宜一半, 直接替代主内存 带来的好处倒是也不少。甚至不需要像Optane Persistent Memory持久内存那样的Memory Mode了。


以3D XPoint Memory为代表,基于存储级内存的NVRAM密度已经超过DRAM,未来可望达到8倍乃至更高。只是不知NRAM能否真的成为这个市场的搅局者?

参考资料

https://www.snia.org/sites/default/files/SDC/2020/014-Gervasi-Update-JDEC-DDR5.pdf

FRAM ReRAM NRAM 三类存储器的特点及应用

https://www.ednchina.com/news/20180419NRAM.html

富士通量产新型内存 NRAM 性能是 DRAM1000

https://digi.tech.qq.com/a/20160902/064686.htm


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