长江存储国家存储器基地项目二期(土建)开工

2020-06-21 14:01:28 来源: Sophie


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昨日,紫光集团官方微信消息显示,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目(土建)开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞。

长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

其中,其128层QLC产品于今年4月重磅推出,当时长江存储曾重磅宣布,其128层QLC 3D闪存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。据长存介绍,这款产品的独特之处在于,它是业内首款128层QLC规格3D NAND,且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

另外,根据证券时报的消息显示,在开工仪式上,紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍了项目情况。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。其中,一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

二期工程建成后也意味着国内闪存的产能三倍增长,有助于长江存储提高市场占有率。


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