DRAM开始进入EUV时代？

2019-06-20 14:00:17 来源: 半导体行业观察

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根据国外媒体报导，曾表示目前制程技术还用不上EUV技术的各大DRAM厂在目前DRAM价格直直落，短期看不到止跌讯号的情况下，也顶不住生产成本的压力，开始考量导入EUV技术，以降低生产成本。南韩三星将在2019 年底前正式导入。

报导指出，为了应付半导体制程微缩，因此有了EUV设备与技术。使用EUV 技术后，除了同样制程的情况下，可将电晶体密度提升，同频率下功耗降低，且因为制程微缩，使得单位位元数产出增加，降低光罩用量，如此就可降低成本。不过EUV设备昂贵，过去DRAM价格居高不下的时期，各家DRAM厂商扩大产能都来不及，暂时不考虑目前制程导入EUV技术。但市况大不如前，导致想法改变。

根据市场研究调查单位DRAMeXchange的研究资料显示，当前DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌的情况持续。对此，DRAM厂虽然尽量减产，但仍然无法让价格明显止跌。因此，唯一能维持获利的方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过，DRAM制程向1z 纳米或1α 纳米制程推进的难度愈来愈高，随着EUV量产技术获得突破，将可有效降低DRAM的生产成本。

报导指出，基于以上的原因，南韩三星预期在2019年11月开始量产采用EUV 技术的1z 纳米DRAM，量产初期将与三星晶圆代工共用EUV设备，初期使用量虽不大，但却等于宣示DRAM微影技术会开始向EUV的方向发展。至于，SK海力士及美光也已经表明，现阶段开始评估导入EUV技术的需求。对此，业界预期将，可能在1α 纳米或1β 纳米世代开始真正导入。

报导进一步表示，三星的1z 纳米属于第三代10纳米级的制程，10纳米级的制程并不是10纳米制程，而是由于20纳米制程节点之后的DRAM制程升级变得困难，所以DRAM记忆体制程的线宽指标不再那么精确，于是有了1x 纳米、1y 纳米及1z 纳米等制程节点之分。简单来说，1x 纳米制程相当于16 到19 纳米，1y 纳米制程相当于14到16纳米，1z 纳米制程则是大概为12到14纳米制程的等级，而在这之后还有1α 及1β 纳米制程节点。

由于，先进制程采用EUV微影技术已是趋势，在台积电2019第2季量产内含EUV技术的7纳米加强版制程，并且获得客户订单之后，竞争对手三星的晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程，英特尔则是预期2021年量产的7纳米制程将会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米节点之后，预期对EUV的需求也会越来越大，届时EUV设备已将成为半导体军备竞赛中不可或缺的要项。

责任编辑：Sophie

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