三星7nm LPP正式到来，全球首发EUV光刻工艺

这两年为三星半导体业务立功最大的是存储芯片部门，贡献的营收、利润达到七八成，而三星的晶圆代工业务虽然有高通这样的VIP客户，但在7nm节点上高通会转投回台积电，三星要想拉拢到更多的客户，只能从工艺技术上着手了。这也是三星为什么跳过非EUV工艺的7nm工艺，直接上7nm LPP EUV工艺的原因，如今他们的7nm LPP工艺已经完成了Synopsys的物理认证，意味着7nm EUV工艺全球首发了。

在几大半导体公司中，英特尔的10nm还没搞定，7nm就更遥远了，台积电的7nm工艺（N7工艺）量产比较顺利，会有苹果、海思、高通、NVIDIA、AMD等客户陆续流片、量产，不过台积电的第一代7nm工艺还是传统的多重曝光工艺，2019年的N7 Plus工艺才会使用EUV光刻工艺。

Globalfoundries这边也是类似的路线，今年量产的7nm DUV还是传统的深紫外光刻工艺，此前号称频率可达5GHz，AMD的7nm Zen 2处理器会使用Globalfoundries的7nm工艺，明年初问世，2020年的再下一代才是7nm EUV工艺。

三星在EUV工艺上市最激进的，直接跳过了第一代非EUV光刻的7nm工艺，根据之前的路线图，三星第一个使用EUV工艺的就是7nm LPP工艺，预定今年下半年量产。日前Synopsys与三星联合宣布已经使用后者的7nm LPP工艺完成了IC验证器的认证工作。

这次认证完成之后，三星的7nm LPP工艺可以立即提供认证的运行库，包括DRC设计规则检查、LVS布局与原理图、金属填充技术文件等等，这也意味着三星的7nm LPP工艺走入了正轨。

根据之前的消息，ASML的EUV光刻机中，台积电订购了大约10台，三星订购了大约6台，英特尔订购了3台，Globalfoundries的EUV订单数量不详，国内的中芯国际也订购了1台EUV光刻机用于7nm工艺研究，明年初交货。

三星更新技术路线图：7nm 2019年规模量产、新增8nm LPU

日前，三星在日本举办了三星铸造工厂论坛(SFF)2018年会，更新了技术路线图。

简单来说，主要有三点，一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产（初期EUV仅用于选择层），二是导入8nm LPU工艺，三是重申，围绕3nm节点，将引入闸极全环场效晶体管（Gate-all-aroundFET，GAAFET），来取代FinFET（鳍式场效应晶体管）。

三星晶圆厂分布

关于第一点，三星称已经在韩国华城的S3工厂配置了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻机，投资6万亿韩元的新EUV产线预计2019年竣工，2020年扩大生产规模。

目前，官宣采用三星7nm LPP工艺的是高通骁龙5G SoC。

关于第二点，8nm LPU（low power ultimate）是8nm LPP的改良版，后者比10nm LPP减少10%的芯片面积和10%的功耗，看起来LPU将进一步在功耗、面积上做文章。

由于三星7nm LPP补充产能需要等到2020年，此间就是8nm在市场大展拳脚的契机。按照ZDNet的说法，高通也是三星8nm的客户。

至于第三点，三星将FinFET技术的极限发挥到5nm LPE和4nm LPP，计划2019年风险试产。不过到了3nm时代，芯片越做越小，电流信道宽度不断变窄，难以控制电流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些时候试产。

另外，三星还表示，2019年，单芯片封装技术3D SiP将准备就绪。

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