【重磅】晶圆设备支出中国明年增60%将超韩国

根据SEMI（国际半导体产业协会）于2018年2月28日公布的「全球晶圆厂预测报告」(World Fab Forecast)最新内容中指出，2019年全球晶圆厂设备支出将增加5%，连续第四年呈现大幅成长（如图所示）。



全球晶圆设备支出再创连四年大幅成长纪录

除非原有计划大幅变更，中国大陆将是2018、2019年全球晶圆厂设备支出成长的主要推手。 全球晶圆厂投资态势强势，自1990年代中期以来，业界就未曾出现设备支出金额连续三年成长的纪录。

SEMI预测，2018和2019年全球晶圆厂设备支出将以三星居冠，但投资金额都不及2017年的高点。 相较之下，为支持跨国与本土的晶圆厂计划，2018年中国大陆的晶圆厂设备支出较前一年将大幅增加57%，2019年更高达60%。 中国大陆设备支出金额预计于2019年超越韩国，成为全球支出最高的地区。

继2017年投资金额刷新纪录后，2018年韩国晶圆厂设备支出将下滑9%，至180亿美元，2019年将再下滑14%，至160亿美元，不过这两年的支出都将超过2017年之前水平。 至于晶圆厂投资金额全球排名第三的台湾，2018年晶圆设备支出将下滑10%，约为100亿美元，不过2019年预估将反弹15%，增至110亿美元以上。

一如先前预期，随着先前所兴建的晶圆厂进入设备装机阶段，中国大陆的晶圆厂设备支出持续增加。 2017年中国大陆有26座晶圆厂动工刷新纪录，今明两年设备将陆续开始装机。

在中国大陆所有晶圆厂设备投资仍以外资为主。 不过2019年本土企业可望提高晶圆厂投资，占中国大陆所有相关支出的比重也将从2017年的33%，增至2019年的45%。

产品类别支出

3D NAND将是支出最高的产品类别，2018年及2019年将各成长3%，金额分别达到160亿美元和170亿美元。 2018年DRAM将强劲增长26%，达140亿美元，但2019年将下滑14%，至120亿美元。 为了支持7nm制程相关投资和提高新产能，2018年晶圆代工业设备支出将增加2%，达170亿美元，预估明年在进入5nm后，增幅高达26%、达220亿美元。

2.中微发布第一代电感耦合等离子体刻蚀设备Primo nanova®;

中国上海，2018年3月13日电——中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)在本周举办的SEMICON China期间正式发布了第一代电感耦合等离子体刻蚀设备Primo nanova®，用于大批量生产存储芯片和逻辑芯片的前道工序。该设备采用了中微具有自主知识产权的电感耦合等离子体刻蚀技术和许多创新的功能，以帮助客户达到芯片制造工艺的关键指标，例如关键尺寸(CD)刻蚀的精准度、均匀性和重复性等。其创新的设计包括：完全对称的反应腔，超高的分子泵抽速;独特的低电容耦合线圈设计和多区细分温控静电吸盘(ESC)。凭借这些特性和其他独特功能，该设备将为7纳米、5纳米及更先进的半导体器件刻蚀应用提供比其他同类设备更好的工艺加工能力，和更低的生产成本。

3.NSIG发布年度信息：新昇试生产向各类客户提供测试片;

上海硅产业投资有限公司（NSIG）是注册于中国的材料集团，是下属Okmetic、新傲和新昇半导体公司的最大股东。总部位于上海的NSIG成立于2015年12月，投资控股或参股了Okmetic（200毫米及以下硅片）、新傲科技和Soitec（SOI片），及新昇半导体（300毫米硅片），其股东是国家集成电路产业投资基金、上海国盛集团、上海武岳峰投资基金、上海新微科技集团和嘉定工业区。2018年3月14日，NSIG按其下属公司分述了年度最新进展信息。

2017年，Okmetic与市场同步发展，收入和利润均有所增长，同时继续重点发展基于其技术优势的特色产品。Okmetic还宣布，在NSIG的支持下，未来三年内它的规模将扩大一倍，以继续满足战略客户日益扩大的需求，其中包括提高产能服务高阻硅片市场以及建设专门用于C-SOI材料生产的全新厂房这两项举措。

新傲专注于半导体市场的SOI和Epi解决方案。2017年新傲的Epi业务得到了长足发展，并且根据市场需求大幅度提高了SOI产量。2018年新傲正在执行RF-SOI业务的持续扩张计划，并制定了长期规划适时进入FD-SOI市场。

新昇半导体专注于300mm硅片的制造。2017年新昇开始试生产，向各类客户提供测试片。在此期间新昇还提供了正片认证样品，在许多客户进行产品认证，并不断提高其硅片产量。新昇过去六个月每月产出数万片，目前正在进行第一阶段每月10万硅片产能的建设，预计今年内将完成，并将在今年下半年开始下一阶段每月20万硅片产能的建设，预计将在2019年完成。新昇是目前唯一获得国家重大项目支持的硅片公司，将投资超过10亿元用于下一代硅片的开发。这对于新昇在未来几年内将月产能提升至1百万片意义重大。

NSIG总裁办的Nabeel Gareeb表示：“很高兴看到NSIG大家庭的所有成员能够在如此短的时间内获得巨大进展。尽管新昇投资很大，然而在2017年末集团合并报表依然实现了首次盈亏平衡。 我们期待着2018年整个大家庭的持续发展，目标是使NSIG集团的总收入至少增加30％，同时极大提升盈利能力，最终实现NSIG长期的完全财务自主。没有所有员工的辛勤工作以及我们客户、股东和供应商的支持，这种飞速发展是不可能的。”

NSIG董事长王曦博士表示：“我们非常高兴地看到，NSIG在Gareeb先生的领导和全体股东的支持下取得了很好的成就。股东们最近重申了他们 2018年将投资NSIG 50亿人民币的承诺，未来两到三年投资额还要翻倍。我们期待着NSIG立足国际半导体材料市场，为我们客户在器件应用方面的各种技术需求提供材料解决方案。”SEMI中国

4.康达新材：签订1.72亿元军工购销合同;

3月13日晚间，康达新材发布公告，近日公司某军工电子通信领域企业签订了第一期的产品购销合同，总金额为1.72亿元，占公司2016年经审计营业收入的28.95%。若该合作进展顺利，将对公司2018年的经营业绩产生较为积极的影响。

5.分析师预测DRAM报价Q2有望再起飞;

美光受惠DRAM报价看俏、NAND型闪存毛利增加，分析师决定将目标价拉高近倍至100美元，激励其3月12日)股价狂飙逾8%、直冲2000年高。

CNBC、路透社等外电报导，Nomura Instinet分析师Romit Shah 12日发表研究报告指出，美光股价顺利突破3-4个月的盘整期， 目前正处于另一波大涨行情的初始阶段。 他决定将美光的目标价从原本的55美元上修至100美元。

Shah提出了几项对美光有利的因素，当中包括DRAM报价有望自第2季起恢复扬升走势、公司将在5月首度宣布股利发放和库藏股计划、NAND的毛利率持续扩张，以及有关整并的讨论增多等。

Shah直指，年初以来，内存报价仅下滑3%，跌幅远不如过去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，预估未来六个月报价有望上扬10%。 研究显示，供货商应该会在Q2、Q3开始涨价，跟市场原本预测的「未来四季报价每季会跌5-6%」大相径庭。

美光预定要在3月22日公布财报、5月21日举行发布会。

6.台湾重罚高通案 最可能诉讼和解;

〔记者廖千莹／台北报导〕去年底台湾公平会对高通祭出天价二三四亿元新台币罚锾，因高通已提出行政诉讼，目前行政法院还在审理中。 有公平会委员透露，高通向智财法院提出停止执行处分，还没判下来，行政诉讼也还在进行，得观察后续事件发展，高通案目前看来只能朝诉讼和解的方向去走，就算行政程序法一一七条规定，原先做出处分的机关，可自行改正处分，但「理论上可能 、实际上困难」。

高通去年底已向智财法院提出暂停执行天价罚锾的处分，也提出行政诉讼，拟寻求诉讼和解机会。 法界人士表示，除了诉讼和解外，原处分机关随时可依据行政程序法一一七条赋予的原则来解套，即原处分机关随时可撤销违法的行政处分。

但公平会委员指出，不管是诉讼和解或原处分机关自行撤销原处分，都需要提到公平会委员会议多数决通过，意即原本「四比三」当中的四票，必须有人改变见解、认定是违法处分，才有机会。

这名委员分析，高通案目前看来只能朝诉讼和解的方向走，自行改正处分以前从没发生过，是「理论上可能、实际上困难」；也有其他委员说，目前唯一解套方式就是透过诉讼和解，但这必须公平会与高通两造同意，其实法院也乐意让双方和解、 解决问题。 自由时报

7.三星电子西安NAND闪存产能扩建项目月底动工

据韩联社报道，三星电子西安NAND闪存生产线扩建项目将于月底正式动工。

为应对中长期的需求增加，三星电子决定扩建西安NAND闪存生产线。据悉，三星电子计划在今后3年投资70亿美元用于该生产线的扩建。

与此同时，三星电子也在加强对国内设备线的投资。上月24日，三星电子在华城半导体工厂内举行了极紫外光（EUV）生产线动工仪式。