打造行业高壁垒，盛美半导体发布三款新品均有独创技术

SEMICON China 2019期间，盛美半导体设备（上海）有限公司（以下简称：盛美半导体）发布了三大新产品，分别是镀铜设备Ultra ECP map Tool、抛光设备Ultra SFP-Advanced Packaging、清洗设备Ultro C- Tahoe。
 
新产品直击行业痛点
芯片的制造需要通过晶圆到抛光、刻蚀、等离子入注、镀铜、测试、切割、封装等几千道工序，镀铜是其中关键的一环。
 
盛美半导体董事长兼首席执行官王晖博士指出，当半导体制造工艺发展到12nm、14nm时，籽晶层越来越薄，这样就需要超薄籽晶铜镀铜设备。当工艺走到14nm以下时，挑战越来越强烈，盛美半导体的镀铜设备Ultra ECP map Tool能够帮助解决这个问题。


 
王晖博士介绍称，Ultra ECP map Tool是局部镀铜设备，每次只镀一个局部，电流就不会往边上跑，解决了两边有电流，中间没电流的问题。因为有了核心电镀，可以做到很薄的籽晶铜也可以镀，实现完全的无气穴填充。目前该技术主要应用于40nm、28nm工艺，将来的5nm、3nm，甚至是1nm也可以使用。工艺越先进，这台设备的优势越明显。
 
抛光设备Ultra SFP-Advanced Packaging针对人工智能(AI)芯片封装工艺开发。不同于传统芯片，AI芯片具有更多的引脚，需要全新的立体封装工艺和封装设备，其中的抛光工艺需要高成本的抛光粉。针对2.5D封装工艺需求，盛美半导体的这款抛光设备采用湿法电抛光工艺，不仅减少约90%抛光粉(CMP)消耗量，还可以对抛光液中的铜进行回收。由于电抛光的化学液可以重复循环使用，这样可以节省80%以上的耗材费用。王晖博士谈到，现阶段的抛光叫CMP，机械化学研磨，其研磨的时候管线都比较粗，因为考虑到角的电流问题，大概这种管线有5微米或者10微米左右，对价格不菲的抛光粉造成了极大的消耗。Ultra SFP-Advanced Packaging则是选用电抛光、CMP和湿法刻蚀结合的方式，先用电抛光抛去95%以上，剩下的5%再用CMP拿掉，最后用湿法刻蚀将阻挡层拿掉。该设备在今年已经拿到订单。
 
清洗设备Ultro C- Tahoe将传统的槽式清洗机和单片清洗机进行融合，硅片先在槽式清洗机里用高温硫酸洗涤，再进行单片洗涤，减少90%的硫酸使用量。“之所以以Tahoe命名，就是希望我们的设备更加环保，让晶圆厂排出的废水也如Tahoe湖水一样清澈。” 王晖说到。
 
王晖博士举例说，上海的集成电路晶圆厂目前每年有6万吨的硫酸使用量，可生产10万片晶圆，如果采用盛美的设备，这些硫酸可生产100万片晶圆，企业每年也将至少节省1200万美元成本。虽然节省的金额在半导体产业并不算大，但是让有限的原材料发挥10倍的能力，这是意义重大的。
 
王晖博士表示，清洗设备Ultro C- Tahoe在今年一月份已经出货。
 
用独有技术打造市场壁垒
过去的数十年里，欧美日韩主导着全球半导体产业格局，其主要原因在于这些国家的厂商拥有独有的专利技术，有阻拦竞争者进入市场的“护城河”。王晖博士强调，盛美半导体所发布的三台新设备均有有多个专利保护，且关键性技术都是盛美半导体全球首创。现阶段，不管国内还是国外的，同行很难突破盛美半导体的专利壁垒。
 
 “盛美半导体有一个特点，做的就是差异化的，别人没有的产品。” 王晖博士说到。