II-VI宣布，SiC衬底产能增加6倍

2022-03-08 14:00:26 来源: 半导体行业观察

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半导体制造商II-VI Inc.宣布，将扩大其在北安普顿县和瑞典的晶圆制造能力，作为 10 年内 10 亿美元投资的一部分。II-VI 将大幅扩建其近 300,000 平方英尺的本地工厂。

“Easton 工厂将在未来五年内将 II-VI 的 SiC（碳化硅）衬底产量至少增加 6 倍，它还将成为 II-VI 的 200 毫米 SiC 外延片旗舰制造中心，其中之一世界上最大的，”执行副总裁 Sohail Khan在公司声明中说。Khan 是该公司新企业和宽带隙电子技术的执行副总裁。

碳化硅具有电子和热特性，使其可用于高功率和高频半导体。当地工厂将由基于燃料电池技术的不间断微电网供电。

“这正是北安普顿县需要的开发类型，”该县行政长官拉蒙特麦克卢尔今天说。“多年来，我们一直在努力促成这样的发展。与一些仓库工作相比，我们所创造的高科技工作将非常受欢迎，并将持续数年。”

位于宾夕法尼亚州萨克森堡的 II-VI 为通信、工业、航空航天和国防、半导体设备、生命科学、消费电子和汽车市场开发产品。它在全球范围内运作。II-VI 在纳斯达克市场交易代码为 IIVI。该股最后交易价为 65.08 美元。该股 52 周最高价为 83.45 美元，最低价为 54.35 美元。该公司的市值（流通股乘以当前价格）为 69 亿美元。

官方公告：II-VI Incorporated 在宾夕法尼亚州和瑞典进行大规模工厂扩建，加速对碳化硅基板和外延晶圆制造的投资

宽带隙半导体领域的领导者 II-VI 公司今天宣布，它正在加快对 150 毫米和 200 毫米碳化硅 (SiC) 衬底和外延片制造的投资，并在伊斯顿、宾夕法尼亚州和瑞典的 Kista进行扩建。这是公司先前宣布的未来 10 年对 SiC 投资 10 亿美元的一部分。

全球能源消耗脱碳的紧迫性正在加速“万物电气化”，并通过采用 SiC 推动电力电子技术发生翻天覆地的变化，SiC 是一种宽禁带材料，可实现比基于硅的电力电子子系统更高效、更紧凑的电力电子子系统。为满足全球对 SiC 电力电子产品不断增长的需求，II-VI 将在 Easton 扩建近 300,000 平方英尺的工厂，以扩大其最先进的 150 mm 和 200 mm SiC 衬底和外延片的生产规模晶圆。Easton 的 150 毫米和 200 毫米 SiC 基板产量预计到 2027 年将达到每年 100 万片 150 毫米基板的产量，其中 200 毫米基板的比例会随着时间的推移而增长。Kista 的外延片产能扩张旨在服务于欧洲市场。

“我们的客户正在加快他们的计划，以应对电动汽车中对 SiC 电力电子产品的预期需求浪潮，我们预计这将落后于当前工业、可再生能源、数据中心等领域的采用周期，”该公司执行官兼新风险投资和宽带隙电子技术副总裁Sohail Khan 说。“Easton 工厂将在未来五年内将 II-VI 的 SiC 衬底产量增加至少 6 倍，它还将成为 II-VI 的 200 毫米 SiC 外延片旗舰制造中心，这是全球最大的制造中心之一。”

II-VI 将利用其在 Kista 开发的行业领先的外延片技术。该技术的不同之处在于它能够在单个或多个再生长步骤中实现厚层结构，非常适合 1 kV 以上应用中的功率器件。

Easton 工厂将由基于燃料电池技术的不间断且可扩展的微电网供电，以提供高供应保证。

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