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据陕西日报报道，根据省工信厅数据，随着三星（中国）半导体有限公司（以下简称西安三星半导体）12英寸闪存芯片二期项目建成投产，西安三星半导体闪存芯片产能占全世界芯片产能的比重超过10%。
西安三星半导体作为全球重要的半导体生产基地，目前拥有员工5500人，主要从事高端存储芯片的生产、研发、销售，是一家集半导体生产和半导体封装测试于一个园区的综合性半导体生产企业。
西安三星半导体作为陕西目前最大的外商投资项目，从落户陕西至今已开展了两期项目的投资建设。一期项目于2012年9月开工建设，2014年5月建成投产，投资总额由建厂时计划的70亿美元增加到实际完成投资108.7亿美元（其中闪存芯片项目投资100亿美元，封装测试项目投资8.7亿美元）。
2017年8月30日，西安三星半导体投资70亿美元在西安高新区建设12英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。2019年12月，该公司决定再投资80亿美元，拟对二期项目进行扩建，实现增产及产品的升级换代。二期项目已于2021年全面建成投产。二期项目投产后，使陕西的半导体产业在全球半导体产业版图上更加重要。
当前，NAND闪存进入200层以上竞争，NAND闪存厂商计划在2022年底到2023年期间推出200层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的3D NAND闪存过渡的里程碑。
有消息人士称，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产200层以上3D NAND闪存芯片的厂商。该人士表示，三星在韩国平泽的新工厂于2021年下半年开始生产，并将在今年提高176层3D NAND芯片的产量，过渡到176层3D NAND闪存制造，预计将使三星新工厂的总产量在2022年提高到每月5万个晶圆。
此外，三星还计划在中国西安工厂扩大128层3D NAND芯片的产量。目前，该工厂正在建设第二期工厂，每月可生产13万至14万片晶圆，第一期工厂的月均生产量为12万个。该消息人士认为，三星西安工厂将是决定其定价策略的关键，因为该工厂产量的大幅增加将有助于大幅降低供应商的整体生产成本。三星在晶圆厂的产量增加一倍以上的能力，也将为其未来的市场领导地位奠定基础。
与此同时，铠侠可能成为日本政府68亿美元半导体投资计划的受益者之一。政府的补贴可能会帮助铠侠在岩手县的北上进行扩建项目，在那里将建立一个新的K2工厂。铠侠在该地有一家3D NAND闪存工厂K1。
铠侠尚未披露其向200层以上3DNAND工艺生产过渡的计划，但已宣布其与西部数据联合开发的162层3D NAND。市场观察人士预计，铠侠将在2022年至2023年期间将162层3D NAND作为其主流制造工艺。
另外，英特尔在其3D NAND闪存制造中采用了双栈的方法，消息人士称，该公司到2023年将推进到196层。
而美光早在2022年1月就宣布已开始批量出货其宣称业界首款176层QLC NAND SSD硬盘。公司此前表示，它将努力在整个行业的利润池中获得更大的份额，而非增长其在行业产量中的份额。
中国方面，尽管进入NAND闪存市场较晚，但长江存储在提高128层3D NAND闪存的生产收益率方面取得了进展。据悉，长江存储已将64层3D NAND闪存制造的收益率提高到成熟水平。长江存储有望在2022年上半年实现月产量增至10万片的目标。这家芯片制造商正努力进入中国一线品牌供应链，并将其目标市场扩大到包括手机和个人电脑应用。
据ChinaFlashMarket预测，2020-2025年，全球NAND闪存市场将以30%的复合年增长率增长，而数据中心市场在未来五年内将以39%的复合年增长率增长。
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