意法半导体:SiC晶圆产能提升10倍
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SiC材料需求大增,6吋仍可望扮主流
电动车市场起飞,催生对第三代半导体材料需求爆发,上游材料 SiC(碳化硅) 基板制程複杂、技术门槛高,儘管国际 IDM 大厂 8 吋发展进度超乎预期,不过台厂仍看好,至少未来 5 年,6 吋 SiC 基板都将扮演主流角色。
SiC 材料近来备受市场关注,受限成本过高,加上是坚硬、易碎的非氧化物陶瓷材料,长晶时间长,加工制造过程困难,成为 SiC 上游材料放量卡关的因素。
随著电动车市场爆发,对高频、高功率、高电压、高温特性的 SiC 材料需求殷切,但因制程难度高,目前全球 SiC 晶圆主流尺寸仅推进至 6 吋,每片晶圆能制造的晶片数量不大,仍不足以满足终端需求。
由于制造碳化硅晶圆原料多需从海外进口,且目前拥有 SiC 晶圆量产能力的 Wolfspeed、罗姆半导体等 IDM 厂,包括长晶、加工制程等设备均是自行开发,再者,越来越多国家视碳化硅材料为战略性资源,採取出口管制,对台厂原料及相关设备取得上造成很大压力。
也因此,台厂积极佈局 6 吋 SiC 基板与磊晶之际,国际 IDM 大厂如意法半导体,已进展至 8 吋。
对此,有厂商认为,即便目前能供应 6 吋产能、可是真正进到基板量产阶段的厂商都不多,且 8 吋难度更高,预估要成熟量产的时间,至少还要 2-3 年,看好至少 5 年内,6 吋 SiC 都会扮演主流角色,且就算 8 吋市场放量,6 吋还是具一定程度竞争力。
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