MCU集成相变存储又有新进展

来源： 本文内容来自半导体行业观察综合。

但三星也有可能在未来开始向更广泛的受众提供 18nm FDSOI-plus-PCM。作 者将该平台描述为满足下一代 MCU 的性能目标。

近几十年来，作为闪存的潜在替代品，许多新兴的内存技术被开发出来。闪存的制程难以扩展到 40nm以下。据Yole估计，在这十年的上半期，相变存储器（PCM）、磁RAM（MRAM）和电阻RAM（ReRAM）将在市场上产生重大影响，其制程为22nm，几何形状更精细。

还有其他形式的新兴NVM - 如铁电 RAM、CeRAM和基于碳纳米管的存储器 - 但这些预期不会在 Yole 预测的期间进入任何重要的市场。

嵌入式 NVM 市场将取得最大的成功，在 2020 至 2026 年，复合年增长率为 110%。这将使市场从2020年的2600万美元增长到2026年的23亿美元。MRAM 在 22nm 的领先制造商台积电和格芯的产品中已经处于领先地位，三星的产品为 28nm。UMC 和英特尔正在开发嵌入式 MRAM。

到 2026 年，MRAM 将提高其在嵌入式 NVM 市场的持有率，达到 76%，而 PCM 将只占该市场的 2%。ST微电子在汽车中的 NVM 应用正在得到支持。

独立 NVM 市场已经比嵌入式 NVM 市场大，但增长速度会变慢。从2020年的5.95亿美元增长到2026年的33亿美元左右，复合年均增长率为33%。

在这一领域，PCM 已经以 90% 的市场份额占据主导地位，这要归功于英特尔与服务器 CPU 捆绑销售的 3D XPoint 产品。一些人认为英特尔正在出售这些存储业务。在未来五年内，MRAM 和 ReRAM 只会逐渐从 PCM 中获得更多市场份额。

独立的新兴 NVM 市场将驱动低延迟存储和持久内存。英特尔推出了使用 3D XPoint 制造的固态硬盘，其中包括奥尔德流固态硬盘。这是第一个使用具有四个堆叠 PCM 层的第二代 3D XPoint 产品。

用于低延迟存储的 STT-MRAM 芯片的销售“坡道”比预期要长。Yole说，基于 ReRAM 的固态硬盘可能会基于下一代协议（如 CXL 和 Gen-Z）推出，但这些协议尚未成熟。

Yole 对新兴 NVM 的热情是基于过去 12 个月的数据得出的。

索尼推出了GPS芯片，包括三星使用28nm FDSOI制程工艺为其制造的嵌入式MMAM。Yole说，这些设计已经用于华为智能手表。安比克在台积电22nmULL上推出了低功耗MMAM MCU。许多基于 eMRAM 的设备将在 2021 年进入批量生产，包括 GreenWave 的 AI 处理器，这些处理器使用 Globalfoundries 的 eMRAM技术制造（22nm FDSOI）。

2020 年，采用嵌入式 RRAM （eRRAM） 的产品也进入市场，Nuvoton 推出了具有 40nm OxRAM 的 IC 设备，用于安全应用。Nuvoton技术公司于2020年以2.5亿美元收购了松下公司的半导体业务。松下已经在市场上拥有40nm的产品，并已经与UMC合作进行制造。

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