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几张图看清三星与台积电的差距

2021-03-22 14:00:07 来源: 半导体行业观察

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来源：内容由半导体行业观察（ID:icbank）编译自「 seekingalpha 」，谢谢。

据报道，三星计划斥资1,160亿美元用于其下一代芯片业务，其中包括为外部客户制造芯片代工业务，以期在2022年之前缩小与行业领导者台积电的差距。

三星的策略是双重的：

1.2022年下半年将量产3nm芯片，以与台积电匹配。

2.如图1所示，采用更先进的全能栅极（GAA）技术代替TSMC的FinFET结构。

图1资料来源：三星

GAA在晶体管性能控制方面具有显着优势，因为它可以更精确地控制流经沟道的电流，缩小芯片面积并降低功耗。

与FinFETs不同，在FinFETs中，更高的电流需要多个并排的鳍片，而GAA晶体管的载流能力通过垂直堆叠数个纳米片，栅极材料包裹在沟道周围而增加。

三星声称，与7nm技术相比，其GAA工艺将能够使芯片面积减少45％，功耗降低50％，从而使整体性能提高35％。

在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造细节。三星表示，传统的GAAFET工艺使用三层纳米线构造晶体管，并且栅极相对较薄。此外，三星MBCFET芯片工艺使用纳米片构造晶体管。目前，三星已经为MBCFET注册了商标。三星表示，这两种方法都可以达到3nm。

在本文中，我从技术，产能和资本支出重点探讨了三星公司目前和未来的能力（三星存储部门除外），以及三星是否确实能够缩小7纳米以下节点的差距。

总产能

三星是否有能力在台积电主导的市场中占据重要份额？这是一个很复杂的问题。因为台积电本身在2021年花费了创纪录的250亿美元，以确保它保持在技术和产能的前列。

表1列出了台积电和三星晶圆代工部门所有节点的总产能。从积极的一面来看，台积电的产能比例从2016年的3.3倍降至2021的2.3倍。

资本支出

表1中的数据显示，台积电在产能方面远远领先于三星，但价差略有下降。原因之一是三星的资本支出增加，如表2所示，该公司在2020年的制造资本支出同比增长了85％，并计划在2021年进一步增长32％。相比之下。台积电在2020年的资本支出变化为-7％，但在2021年将增长49％。

7nm以下的节点产能

表3显示了7TSMC和Samsung在7nm以下节点的产能对比。在2019年和2020年，台积电在7nm节点的产能大约增加了5-6倍，到2021年的预测是3.5倍。在5纳米节点，台积电的产能大约增加了四倍。

为了弥补5nm和3nm的有限产能，三星正推进先进的逻辑体系结构，我之前已经讨论过，请读者参考图1。

客户

台积电拥有460多个客户，其领先的客户名单包括苹果，博通，海思半导体，AMD，联发科，NVIDIA，高通和英特尔等顶级无晶园公司和IDM。

表4显示了这些公司及其在2019-2021年台积电收入中所占的百分比。

至于三星，将其客户群与台积电进行比较有点误导。2020年，三星将其晶圆代工厂产的60％用于内部使用，主要用于智能手机的Exynos芯片。其余产能来自非专属客户，高通（20％），其余20％来自Nvidia，IBM和英特尔。随着三星在2021年增加其低于7纳米的产量，自用产能占比将降低，可能降至50％。

总结

三星比台积电落后一代，后者预计将保持5nm和3nm的领先地位。

EUV系统的不足是台积电在三星方面领先一代的催化剂。到2020年，三星电子总共购买了25台EUV光刻系统，而台积电则购买了约50台。

在短期内，有几个缓解因素将保持这一差距：

ASML的生产限制为每年约50个EUV系统
ASML还有其他要分配系统的客户，包括SK海力士，英特尔，美光科技和可能的中芯国际
三星还必须分配资本支出用于其DRAM部门的EUV购买

由于三星不是台积电（TSMC）这样的纯晶圆代工厂，其7纳米以下的产量中至少有50％被分配给其智能手机内部使用，这将限制其客户群，因为其产能增长将因缺乏EUV而受到阻碍系统。

三星将通过过渡到3nm的GAA和MBCFET等高级逻辑架构，逐步缩小技术差距。GAA的功耗降低了50％，整体性能提高了35％，这将推动客户向三星迁移，只要有可用的容量。但是产能缺口仍将存在。

★ 点击文末【阅读原文】，可查看本文原文链接！

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2622内容，欢迎关注。

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