来源:内容转载自公众号「
芯思想
」,作者:
赵元闯,
谢谢。
2020年,中国存储产业迎来丰年。
随着长鑫存储正式出售
DDR4
内存芯片、LPDDR4X内存芯片,威刚、江波龙、七彩虹、金泰克等内存厂商纷纷推出基于长鑫存储内存芯片的国产内存条。随着长江存储
3D NAND
产品稳定量产,联芸、得一微、群联、慧容等主控芯片厂商纷纷推出支持长江存储
3D NAND
的主控,朗科、光威、台电、国科微等固态硬盘厂商也陆续推出基于长江存储
3D NAND
的纯国产SSD产品。
2020年
2
月份,固态存储协会(
JEDEC
)发布第三版
HBM2
存储标准
JESD235C
,也就是
HBM2e
,将针脚带宽提高到
3.2Gbps
,前两版中依次是
2Gbps
、
2.4Gbps
,环比提升
33%
。目前
JEDEC
在讨论制定
HBM3
产品的标准。
NAND方面,2020年各主力厂商等主要是扩大9x层
3D NAND
在市场上的普及提高1XX层
3D NAND
的生产比重,并积极推动在SSD产品中的应用。
DRAM方面,2020年各主力厂商等主要是从第二代1Ynm全面向第三代1Znm推进;到第四代将大规模导入EUV工艺,量产1α
nm
级之后。
下面回顾一下2020年全球存储产业领域发生的大事。
2020年
4
月
13
日,长江存储宣布128层
QLC
3D NAND闪存研发成功,并已经在多家控制器厂商
SSD
等终端存储产品上通过验证,该公司此次共发布两款产能品,一款是
128
层
QLC
规格的
3DNAND
闪存
X2-6070
,一款是
128
层
512GbTLC
(
3bit/cell
)规格闪存芯片
X2-9060
。值得一提的是,
128
层
QLC
规格的
3DNAND
闪存是业界首款,当前各大厂商推出的
QLC
规格基本是在
96
层。
2020年
6
月
20
日,长江存储国家存储器基地项目二期正式开工建设。国家存储器基地项目总投资达240亿美元,分两期建设
3D NAND
芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,
32
层、
64
层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款
128
层
QLC
三维闪存芯片,并规划建成10万片
/
月产能,二期规划产能
20
万片
/
月,两期项目达产后月产能共计
30
万片。
2020年9月
10
日,长江存储推出致钛系列两款消费级SSD新品,分别为
PCIe
接口
PC005 Active
和
SATA
接口
SC001 Active
,兼具强劲的性能和可靠的品质。
2020年
5
月
13
日,武汉新芯宣布其采用
50nm
FloatingGate工艺
SPI
NOR Flash宽电压产品系列
XM25QWxxC
全线量产,产品容量覆盖
16Mb
到
256Mb
。
XM25QWxxC
系列产品在性能和成本方面进一步提高了竞争力。
2020年
2
月,长鑫存储正式出售DDR4内存芯片、
LPDDR4X
内存芯片,全部产品都符合国际通行标准规范,并已开始接受上述产品的技术和销售咨询。随着长鑫存储内存芯片正式开卖,威刚、江波龙、七彩虹、金泰克等内存厂商纷纷推出基于长鑫存储内存芯片的国产内存条。
2020年
4
月,长鑫存储与美国半导体公司Rambus Inc.签署专利许可协议。依据此协议,长鑫存储从蓝铂世获得大量
DRAM
技术专利的实施许可,持续强化公司知识产权组合。
2020年
7
月,长鑫存储开始批量招聘运营人员。
2020年
11
月,长鑫存储母公司睿力集成获得149亿元增资。根据出资方兆易创新公告显现,该公司拟出资3亿元与长鑫集成、石溪集电、大基金二期、三重一创等多名投资人签署协议,共同参与睿力集成增资事项,增资完成后,公司持有睿力集成约
0.85%
股权。增资前,睿力集成的注册资本为
189
亿元,其中石溪集电持股
69.01%
,长鑫集成持股
30.99%
;增资后,睿力集成的注册资本将增至
337.99
亿元,石溪集电和长鑫集成的持股比例分别将降至
38.59%
和
19.72%
,大基金二期和兆易创新将各自持股
14.08%
。
SK海力士在
2019
年底宣布在
2020
年进行一系列的人事调动和业务重组,其中将
DRAM
和
NAND Flash
两大开发部门整合在一起,实现从开发、制造,以及业务的后期处理等统一的管理。重组后,
SK
海力士首席半导体技术专家
Jin Kyo-won
提升为开发制造总裁,负责
DRAM
和
NAND Flash
从开发到批量生产,提高运营效率。
SK海力士已经在韩国利川M16工厂安装EUV机台,推动第四代1α
nm
DRAM量产,将在
2021
年上半投片,下半产品出货。
2020
年
10
月
20
日,
和
英特尔达成了收购协议,根据协议,
SK
海力士将向英特尔支付
90
亿美元,收购的范围包括英特尔在美国的固态驱动器业务、
芯片部门和英特尔在中国大连的工厂,双方需要等到明年年底之前完成批准程序。但是不包括英特尔
Optane
业务。
2020年12月
SK
海力士宣布推出
176
层
4D NAND
,与上一代相比,
Bit
生产率将提高
35%
以上,读取速度加快了
20%
,数据传输速度也提高了
33%
,达到
1.6Gbps
,稍晚些还将推出基于
176
层的
1Tb
容量
4D NAND
,预计
2021
年中将有基于
176
层
4D NAND
新技术的
UFS
和
SSD
产品面世。
2020年美光宣布进入
HBM
市场,
4
月推出首个
HBM2E
样品,
8
月发布
HBM2E
规格,一是四堆叠、单片容量
2Gb
,二是八堆叠、单片容量
2Gb
,对应单颗容量
8GB
、
16GB
,数据率
3.2Gbps
或更高,搭配
1024-bit
位宽的话就是
410GB/s
的总带宽。如果四颗组合,可以获得总容量
64GB
、总带宽
1.64TB/s
。
2020年11月宣布开始批量生产全球首个
176
层
3D NAND Flash
,其读取延迟和写入延迟将改善
35%
以上,最大数据传输速率
1600 MT/s
,提高了
33%
,混合工作负载性能提高
15%
,紧凑设计使裸片尺寸减小约
30%
,每片
Wafer
将产生更多的
GB
当量的
NAND Flash
。
美光提高1Znm LPDDR5产量,以及推动
GDDR6X
不断创新,同时处于研发阶段的
1
α
nm DRAM
计划将在
2021
上半年量产,在成熟良率下,
1
α
nm
工艺节点比
1Znm
节点每片
Wafer
晶圆增加
40%
的
Bit
量,
1
β
nm
工艺正处于初期研发阶段。
美光正在台湾中科厂扩建A3工厂洁净室,预估将在
2021
年投入量产
1Znm
或
1
α
nm
DRAM,同时美光也计划将在
2021
年提出建设
A5
厂项目的申请,持续加码投资
DRAM
,将用于
1Znm
制程之后的微缩技术发展,进一步扩大先进技术的量产规模。
2020年12月3日美光桃园工厂发生无预警停电事件。桃园工厂主要使用10nm级工艺技术制造
DDR4
和
LPDDR4
内存,每月的产能约为
12.5
万片晶圆,约占全球
DRAM
供应的
8.8%
。
2020
年
2
月,三星正式宣布推出其
16GB HBM2E
产品
Flashbolt
,
8
月开始量产。
2021年计划量产第七代V-NAND,使用“双堆栈”技术,具体堆叠层数并未透露,而三星在
128
层工艺节点,采用的是“单堆栈”技术生产
3D NAND
。三星也强调,采用“双堆栈”技术,不仅更具技术竞争力,
3D NAND
也有望堆叠层数达到
256
层,但并不一定意味着三星第七代
NAND
将具有这种配置。
2020年,三星量产的
16Gb LPDDR5
首次导入
EUV
工艺,基于
1Znm
制程技术,更先进的技术相较于
12Gb
容量提升了
33%
,封装的厚度也薄了
30%
。同时,三星也规划将在
2021
年大量生产基于第四代
10nm
级(
1
α)
EUV
工艺的
16Gb DDR5/LPDDR5
。
2020年
3
月,三星西安二期1阶段正式投产,到
2020
年
7
月二期第一阶段产能接近满载。目前三星西安基地
3D NAND
月产能已经达到
18
万片规模,较
2019
年增幅
50%
。
2020年
4
月,三星西安二期第二阶段正式开工建设,预计2021年下半年竣工投产。
2020年第四季平泽P2工厂批量投产第二代(
1ynm
)和第三代(
1znm
)
10nm
级
DRAM
,预估初期月产能约
3
万片
12
英寸晶圆。
2020年
6
月,平泽P2工厂追加投资8万亿韩元新建第六代
NAND Flash
产线,计划
2021
下半年开始量产。
三星规划在平泽建设P3,建设总投资预计达30万亿韩元,推测P3可能在
2023
年下半年开始大规模生产。同时P4,
P5
,
P6
设施的建设将按计划逐步进行。
三星电子存储事业部发生人事变动,DRAM开发副社长
Lee Jung-bae
升迁为三星电子存储事业部社长;三星电子存储器制造技术部Choi Si-young副社长升迁为三星电子
Foundry
事业部社长。
2020年1月
7
日,铠侠位于日本四日市的
Fab6
晶圆厂传出火警,着火地点是在工厂的无尘室。
2020年
2
月,铠侠宣布第五代BiCS 3D NAND研发成功。
BiCS5
的设计使用了
112
层,而
BiCS4
使用了
96
层,就层数而言,
112
层比
96
层仅增加了约
16%
,但西数和铠侠声称其密度增加了
40%
。接口速度提高了
50%
,达到
1.2GT/s
。
2020
年
7
月实现商业化量产。
2020年第一季,铠侠位于岩手县北上市的新工厂K1开始投产96层
3D NAND
。K1 工厂于
2018
年
7
月举行奠基仪式,于
2019
年
10
月竣工,初期建设投资
70
亿日元,占地面积约为
15
万平方米。
2020年
4
月
20
日,铠侠K1工厂受地震影响停机进行检查,预计地震对其造成了一定影响。
2020年
10
月,铠侠宣布四日市存储器生产基地兴建Fab7工厂。Fab 7的建设分为两个阶段,第一阶段的建设预计在
2022
年春季前完成。铠侠表示
Fab 7
工厂将采用减震结构和环保设计,并将引入利用
AI
的先进制造系统来进一步提高生产力。
2020年
12
月,铠侠宣布将在K1工厂旁扩建K2厂区。前期工作将于2021年春季开始,2022年春季建造,2024年投产。
因为市场行情持续动荡及“疫情”爆发带来的不确定性,铠侠推迟了原本在
2020
年
10
月
6
日的上市计划,并将继续评估上市的合适时机。
*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第2572内容,欢迎关注。
『
半导体第一垂直媒体
』
实时 专业 原创 深度
识别二维码
,回复下方关键词,阅读更多
晶圆|MCU
|射频|封测|美国|苹果|华为|汽车芯片
回复
投稿
,看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》
回复
搜索
,还能轻松找到其他你感兴趣的文章!