7nm以下的先进CMOS工艺一览

2020-07-17 14:00:06 来源: 半导体行业观察

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来源：内容转载自公众号「半导体百科」，作者：服部武史，谢谢。

2020年6月15日至18日（美国时间，第二天为日本时间）举行了“ 2020年技术与电路专题讨论会（VLSI 2020年专题讨论会）”，但实际上所有的讲座录了视频，并可付费观看至2020年8月底。

如果像过去那样在酒店场所召开会议，则您只能参加众多平行会议中的一个会议。但是以视频点播形式，您可以根据需要观看所用会议。这样做需要花很长时间，因此应许多与会者的要求，付费会议注册者的视频观看时间已经延长了大约两个月，直到8月底。

在这个VLSI研讨会中，共有86个工艺研讨会，110个电路研讨会，总共约200篇论文。本次技术研讨会上，与内存相关的会议是最多的，并且针对每种存储器类型（例如NAND / NOR / PCM，RRAM，RRAM，FeRAM，STT MRAM和下一代MRAM）均举行了会议，覆盖先进器件/工艺，先进Si CMOS，先进工艺，Ge/SiGe器件，用于量子计算的器件以及新器件领域。除此之外，与3D堆叠封装相关的还有3个会议。

接下来，我想在这大约200个演讲中，挑选并介绍一些受到高度赞扬的论文和演讲。首先，我要介绍是比利时IMEC的BPR工艺，其次是法国Leti和IBM关于先进CMOS技术领域的演讲。

IMEC针对5nm及以下尖端工艺的BPR技术

比利时独立研究机构imec的研究人员报告了在FinFET工艺中添加埋入式电源线（BPR）的实验成果。该项技术被定位为5纳米及以下制程的重要技术。他们采用钨作为该电源线的材料，并且已经证实该技术对晶体管性能没有影响。

此外，通过将钌（Ru）用于连接到埋入钨的布线的通孔，还证实了其在4 MA /cm2和330℃的条件下承受320小时以上的电迁移应力，以此说明钌是该技术最优选的候选材料。