逆势投资,三星斥巨资扩产闪存芯片

2020-06-02 16:08:17 来源: Sophie

来源:本文由半导体行业观察摘自工商时报

逆向加码?韩国三星电子继日前宣布在韩国平泽二厂(P2)扩建极紫外光(EUV)晶圆代工生产线(10兆韩元)后,1日再宣布,将以8兆韩元在该厂扩大3D NAND记忆体产能,加上市场推估三星可能再加码DRAM投资15兆韩元,这一波景气危机,三星合计可能加码33兆韩元(约新台币8千亿元)大投资。

由于三星的半导体策略一向是在景气低迷时扩大投资,业界认为,三星近期可能会再宣布在P2厂DRAM产能追加投资计划。

新冠肺炎疫情及中美贸易战导致市场不确定性大增,三星一如过往选择在景气低迷时大举投资,以确保在晶圆代工及记忆体市场的竞争力。据外电报导,三星1日宣布将扩建平泽二厂的3D NAND生产线,5月已开始进行无尘室施工,预计2021年下半年进入量产,与同样位于平泽二厂的晶圆代工EUV生产线一起启用。

三星虽然没有公布此次扩建3D NAND产能的投资金额,但业界预估大约投入约8兆韩元(约65亿美元),将可增加每月2万片的12吋晶圆产能,明年下半年会量产三星最先进的100层以上3D NAND产品,预估第一批投产的产品会是第六代V-NAND。

记忆体模组业者指出,美国总统大选年底结束,新冠肺炎疫情明年应会明显缓和,所以记忆体市场明年将会是多头年,包括资料中心、笔电及平板、智能手机等搭载容量将大幅提高,其中,笔电及智能手机搭载512GB及1TB储存容量将成市场主流。三星现在启动扩产计划,明年下半年进入量产,正好可赶上下一波NAND Flash需求爆发时间点。

三星NAND Flash生产线主要分布在韩国华城厂区、平泽厂区、以及中国西安厂区。其中,中国西安厂二期及平泽二厂已积极扩建无尘室及增建生产线,其中西安厂二期将用于投产100层以下3D NAND的第五代V-NAND,平泽二厂则会生产100层以上3D NAND的第六代V-NAND。

三星平泽二厂是综合型晶圆厂,一层楼规画建置EUV晶圆代工及3D NAND生产线,另一层楼则追加DRAM生产线。在三星宣布5奈米EUV晶圆代工及3D NAND产能扩建计划后,业界认为三星应很快会宣布DRAM产能扩建计划(金额推估将达15兆韩元),同样在明年下半年量产。




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