三星芯片产量逆势增长57%

2020-05-19 14:00:15 来源: 半导体行业观察

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与2019年第一季度相比，三星的芯片产量在2020年第一季度增长了57.4%。该公司的季度报告显示，尽管COVID-19爆发，韩国科技巨头仍在该季度中增加了DRAM和NAND闪存芯片。结果，该公司在今年第一季度提高了其在DRAM市场的市场份额。

三星是全球最大的内存芯片制造商，其芯片工厂在2020年1月至3月的季度开工率为100%。该公司在2020年第一季度生产了2774亿个半导体器件，高于去年同期的1762亿个半导体器件。它提高了芯片制造工艺的效率。

芯片生产的增长是为了满足数据中心和服务器对DRAM和存储芯片的不断增长的需求。自从COVID-19危机以来，人们一直在家工作，学习和娱乐，云服务器和数据中心支持所有这些活动。该季度芯片销售强劲，帮助该公司实现了更高的利润。

然而，由于经济危机临近，三星在本季度的手机和显示器产量大幅下降，因为人们在智能手机和电视等高价商品上的支出减少了。这家韩国公司生产了5870万台智能手机和145万台显示器，分别比2019年第一季度下降了34.4%和35.5%。

该芯片巨头还宣布了业界首款10nm EUV DRAM芯片，160层NAND闪存芯片和第三代HBM2E Flashbolt存储器芯片。三星上周还宣布了其新一代SSD，支持PCIe Gen 4和E1.S尺寸。

疫情下三星西安半导体二厂如期投产

韩联社首尔3月16日电三星电子在疫情下如期启动了位于中国西安的半导体二厂生产线。

据业内及当地媒体16日消息，三星电子10日在西安第二工厂举行第一期投资的产品上市仪式。《西安日报》报道称，西安第二工厂已经做好量产准备，计划8月开足马力生产。

三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基在上市仪式上表示，尽管遇到了2月物流不畅、原材料供应困难、人力不足等问题，但地方政府和企业努力加强防控将新冠疫情影响降至最低。

西安工厂是三星电子唯一一个海外半导体存储器生产基地，量产3D垂直设计的V-NAND闪存。该项目自2012年被引进西安以来，经历了几次扩产。其中一期项目于2014年5月竣工投产。该项目原计划投资70亿美元，但实际总投资超过了100亿美元。

二期项目已于2018年3月开工建设，预计今年7月份建成，2020年一季度实现量产。按照规划，三星西安二期项目的投资将会高达140亿美元。根据中国闪存市场报道，主要生产的是第五代96层3D V-NAND芯片，不仅满足中国市场需求，还通过韩国总部远销欧美、东南亚等地，用于满足不断增长的存储需求。三星宣布开工建设的是西安二期第二阶段工厂，2021年下半年竣工，项目建成后将新增产能13万片/月，新增产值300亿元。

三星西安二期二阶段新厂建成后，将投产128层或更高堆叠层数的3D NAND。

除了三星西安工厂，三星新建成的平泽2号工厂也计划在2020年运营，大规模生产的时间尚未确定。平泽2号工厂将先建NAND Flash生产线，然后再投资建设DRAM产线，与平泽一期工厂的规划大体一致。

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