台积电为扩产3nm，再发行巨额债券

2020-04-07 14:00:43 来源: 半导体行业观察

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晶圆代工龙头台积电董事会2月已核准在中国台湾市场募集无担保普通公司债，以支应产能扩充与污染防治相关支出的资金需求，资金额度不超过新台币600亿元（约美金20亿元）。这是台积电继2013年发行普通公司债以来再度发行，而且最高筹资额度达600亿元亦创下新高纪录。

台积电已于3月发行第一期无担保普通公司债，4月6日再发行第二期无担保普通公司债，共筹得456亿元资金，将用于新建扩建厂房设备。

设备业者指出，央行日前宣布降息后，中国台湾资金市场利率已达历史新点，此时发债筹资可大幅降低资金成本，是台积电在市场发行公司债的主要原因，而筹得资金将用于扩建5纳米及3纳米产能。

台积电3月发行的109年度第一期无担保普通公司债，发行总额为新台币240亿元，依发行期限不同分为甲类、乙类、丙类等3种。其中，甲类发行金额为新台币30亿元整，发行期限为5年期，固定年利率达0.58％；乙类发行金额为新台币105亿元整，发行期限为7年期，固定年利率达0.62％；丙类发行金额为新台币105亿元整，发行期限为10年期，固定年利率达0.64％。

台积电4月6日再度公告发行109年度第二期无担保普通公司债，发行总额为新台币216亿元，依发行期限不同分为甲类、乙类、丙类等3种。其中，甲类发行金额为新台币59亿元整，发行期限为5年期，固定年利率达0.52％；乙类发行金额为新台币104亿元整，发行期限为7年期，固定年利率达0.58％；丙类发行金额为新台币53亿元整，发行期限为10年期，固定年利率达0.60％。

台积电预计今年发行的无担保普通公司债的最高额度达600亿元，扣除第一期及第二期共456亿元，仍有144亿元额度可发行第三期公司债，但发行与否将视市场实际情况而定，不一定会足额发行。

台积电从去年就开始启动3nm晶圆厂的建设工作，由于晶圆厂对水力、电力资源要求很高，初期的环评工作很严格，今天台湾环保部门公布了台积电3nm晶圆厂的专案初审，通过了新竹科学园区有过宝山用地的申请，这意味着台积电的3nm晶圆厂最终落地在新竹园区。

根据台积电之前的资料，整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设，耗资超过4000亿新台币，折合879亿人民币或者130亿美元。

虽然台积电已加快3nm 研发以延续领先地位，不过对手Samsung 亦积极抢进，据韩媒Business Korea 报导，Samsung 已经成功开发业界第一个3nm 芯片制程，与Samsung 的5nm 制程产品相比，3nm 制程的晶尺寸缩小35%，功耗降低50%，但性能却提高30%，计划在2022 年开始利用3nm 制程大规模生产芯片，此项成就有望加速Samsung 实现2030 年的半导体愿景计划。

在3nm 工艺之后，台积电及Samsung 仍会活跃进军2nm 工艺，这个工艺现在来说处于在技能规划，仍是在开发阶段，但问题来了，之前有报告指出研发7nm 芯片就需要投资3 亿美元、研发5nm 工艺就需要投资5.42 亿美元，那么到3nm、2nm 工艺需要的研发费用至少也要10 亿美元以上。

而目前的情况来看，5nm 工艺只有Apple、华为等的土豪公司才用得起，而面对成本直线上涨的问题，3nm、2nm 工艺究竟那一间大厂可以担负得起10 亿美元以上投资呢?!

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