FinFET技术发明人的故事

2020-03-29 14:33:08 来源: Sophie

点击

推荐一个视频，讲述的是FinFET技术发明人胡正明教授的故事。

延伸知识

FinFET，鳍式场效晶体管（Fin Field-Effect Transistor），是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。

该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授（IEEE Fellow，美国工程院院士，中国科学院外籍院士）。

他是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献，也获得了美国最高科技奖。

2010年后，Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头，胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2263期内容，欢迎关注。

推荐阅读

半导体行业观察

『 半导体第一垂直媒体 』

实时专业原创深度

识别二维码 ，回复下方关键词，阅读更多

东南亚芯片｜传感器｜IGBT｜ SiC ｜MLCC ｜中兴｜腾讯｜半导体股价｜芯片测试

回复投稿，看《如何成为“半导体行业观察”的一员》

回复搜索，还能轻松找到其他你感兴趣的文章！

责任编辑：Sophie

胡正明 FinFET