创新引领未来：紫光国芯堆叠嵌入式DRAM、CXL解决方案 闪耀WAIC 2024

在刚刚闭幕的2024世界人工智能大会暨人工智能全球治理高级别会议（WAIC 2024）上，西安紫光国芯半导体股份有限公司（简称“紫光国芯”，证券代码：874451）凭借其业界领先的超大带宽、超低功耗的堆叠嵌入式DRAM技术（SeDRAM^®）和CXL内存扩展主控技术方案，吸引了诸多与会嘉宾高度关注并驻足交流。此次盛会不仅见证了紫光国芯在存储技术领域的深厚积累，更彰显了其在AI时代存储解决方案领域创新引领者的地位。

AI时代的存储挑战与紫光国芯的破局之道

随着AI技术的迅猛发展，在硬件领域，AI算力芯片与AI服务器平台的存储系统性能成为制约AI性能提升的关键因素之一，由来已久的“存储墙”难题也愈发凸显。紫光国芯凭借其敏锐的市场洞察力和深厚的技术积累，通过自主研发的SeDRAM^®技术和CXL技术，为突破“存储墙”难题提供强有力的技术方案支持。

SeDRAM^®技术：实现片内数十TB访存带宽、数十GB存储容量

紫光国芯SeDRAM^®技术，创新性地通过Wafer-to-Wafer（WoW）3D堆叠，实现了数十TB的内存访问带宽和数十GB的存储容量，突破了传统存储方案的性能瓶颈。该技术摒弃了HBM或DDR存储方案中的PHY-PHY互连结构，采用金属层垂直互连的方式，大幅降低了访存延迟和功耗。目前，紫光国芯的SeDRAM^®技术已演进至第三代，其技术水平及应用案例均处于行业领先地位，为AI、高性能计算(HPC)等应用场景提供了卓越的高性能存储解决方案。


堆叠嵌入式DRAM（SeDRAM^®）技术
 
紫光国芯SeDRAM^®技术可为用户提供“带宽+容量”的差异化存储组合方案，采用标准IP化交付形式，完全兼容传统的SoC设计流程，有效缩短了产品研发周期，并助力用户产品性能实现最大化提升。


片内超大带宽、超低功耗存储解决方案：SeDRAM^®

过去五年间，紫光国芯凭借其在堆叠嵌入式DRAM领域的技术积累，成功支持了二十余款产品的研发或量产，进一步巩固了其在行业内的领先地位。

CXL内存扩展主控技术：容量及带宽扩展技术赋能高性能服务器

紫光国芯作为CXL技术的早期布局者，积极参与了技术探索与产品应用推进。在此次展会上，紫光国芯展出了其行业领先的CXL内存扩展主控技术方案，该方案旨在满足高性能服务器平台在系统主存的容量和带宽扩展、内存池化等方面的应用需求，为大数据处理、AI计算等多应用场景提供了高性能的存储解决方案。

紫光国芯的CXL内存扩展主控技术方案具有出色的兼容性和可扩展性，已适配多型号主流处理器并支持多种存储介质，通过与行业上下游头部厂商的紧密合作，该方案在访存延迟、带宽等方面均表现出色。


CXL内存扩展主控技术方案
 
持续创新与技术引领

据了解，紫光国芯一直以来持续投入高性能存储方案的研发，尤其在堆叠嵌入式DRAM领域，有着深厚的技术积累。近两年，随着人工智能各类场景的快速落地，采用SeDRAM技术的算力芯片能够实现性能的极致释放。在CXL技术领域，紫光国芯作为行业的先行者，紧跟市场和生态的发展，其提供的解决方案将有效助力高性能服务器进一­步提升产品的竞争力。