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大陆发改委介入调查，存储的2018年充满变数

2018-01-06 13:25:16 来源: 钜亨网

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TrendForce 存储储存研究(DRAMeXchange) 指出，从每单位容量来看，2017 年DRAM 价格上涨超过4 成，同期NAND 价格上涨幅度也逼近4 成，目前正是各产品别议价时刻，但去年传出中国发改委员会约谈三星半导体事件，恐增添今年存储价格走势变数，尤其是移动式存储恐将首当其冲，预期涨幅将较为收敛。

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，去年在DRAM 及NAND 的价格齐扬下，中国智能型手机业者商无法承受存储持续涨价，向中国发改委投诉，希望能抑制后续以三星为首的存储厂商价格涨势，且清查其是否有垄断的疑虑。

根据DRAMeXchange 资料，三星去年第3 季在全球DRAM 产值的市占率45.8%，为全球第一；NAND 产值市占率约37.2%，同样是产业龙头；包括DRAM 与NAND Flash 等存储产品，目前都是第1 季各产品别议价时刻，中国发改委员会在去年12 月22 日的约谈动作，增添存储价格变数。

DRAMeXchange 指出，因为中国发改委的介入，对今年第1 季移动式存储价格恐怕造成实质的负面影响。在中国智能型手机出货疲弱的大环境影响下，虽然整体DRAM 仍呈现供货吃紧的状态，但以三星为首、率先调整对中国智能型手机厂商的报价，移动式存储的涨幅已较先前收敛，从原先的5% 的季成长缩小为约3%。

以DRAM 市场不同的产品别来看，虽然中国地区PC 及伺服器厂商同样对价格上扬感到不满，但因产品本身的获利还能够维持，在不积极增加单机搭载存储容量的策略下，还可以有效控管成本，以目前最为缺货的伺服器存储来说，自去年第3 季度起，随着北美资料中心建案而供货吃紧带动涨幅，整体备货动能超出预期。

展望今年上半年，因原厂对产能计画趋于保守，实质新产能开出将落于下半年，导致上半年供给仍然受限，整体市场仍然吃紧；虽然市场传出中国发改委介入价格制定的消息，但对于价格涨幅并不会有太大的影响，预期在今年上半年伺服器存储价格仍然会延续涨价的走势。

以NAND Flash 来看，包括SSD、eMMC/UFS、晶圆/ 颗粒，由于本身市场就普遍预期价格逐渐下滑，且三星在上述应用市场的影响力不如在DRAM 强势，所以发改委事件对NAND 的报价并没有显著的影响。

DRAMeXchange 指出，2018 年上半年需求不如预期，但3D 产能仍不断开出，市况将转变成供过于求，导致NAND Flash 价格持续走跌的机率升高。

责任编辑：钜亨网

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