三星存储扩产,中国厂商面临激烈竞争

2017-12-20 10:25:03 来源: 官方微信

 

早前,知名博主“饭桶戴老板”写了一篇名为《内存的战争》的文章,刷遍了作者的朋友圈。在文中他提到:三星充分利用了存储器行业的强周期特点,依靠政府的输血,在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候,逆势疯狂扩产,通过大规模生产进一步下杀产品价格,从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产,世人称之为“反周期定律”。在过去的发展史上,三星一共祭出过三次“反周期定律”,并成就了自己存储老大的位置。 并在过去的一年里获得了高额的回报。

 

三星股票过去一年的走势

 

国际知名分析机构摩根斯坦利(简称大摩)日前的一份报告中也表示,随着“存储周期”即将达到顶峰,三星的股票从2016年1月以来,已经大涨了120%,三星公司的营收也在过去的一年多内节节攀升。早前他们甚至将稳居半导体龙头位置20多年的Intel拉下马,成为半导体行业的霸主。

 

随着缺货和涨价的加剧,很多分析师认为三星的营收将会在未来继续攀升,不过在摩根斯坦利看来,存储周期的顶峰即将结束,到2018年,存储行业将会遇冷。 他们表示,在2017年第四季度,市场已经看到了NAND Flash价格开始翻转的趋势,至于DRAM的需求方面,也会在2018年Q1时候减弱。到了2019或者2020年,存储的供应量将会大幅增加,届时市场上将会出现供应过剩的风险,价格也就会随之下跌。对中国正在打造的存储供应商来说,这也许是一个技术以外的大挑战。


存储价格往下走几成定局
 

摩根斯坦利的报告表示,有迹象表明,移动存储和入门级SSD的价格从今年四季度开始,已经有了回落的趋势,在于存储产业链的人交流之后,他们认为NADN Flash面临的降价幅度将会大大超过市场的预期。

 

在他们看来,NAND Flash的价格在2017年Q4就开始进入了动荡期。这是由高价格引发的连锁反应。NAND的供应逐渐也开始超过了需求。这主要是因为之前由平面转向3D引致产能不足的问题已经有了初步缓解而导致的结果。他们认为到2018年Q1,NAND的平均价格将会同比下降19%。大摩认为NAND Flash的供过于求,将快速破坏现在的供需平衡,到下半年,届时价格或许比现在低30%。这是他们基于一个模型预估出来的。

 

三星不同工厂的NAND差能

 

大摩也表示,到2018年,三星NAND FLASH的出货量将会在同比增长36%,他们预测,三星2017年的增长主要是由平泽工厂的50K 3D NAND贡献,到2018年Q4,这个数字将会达到100K。但是总体数量的增加应该还是个位数,根据大摩预测,到2018年,三星3D NAND的产量将会达到320K/月,同比增长了18%。

 

三星NAND的市场份额

 

对于DRAM,大摩还是比较积极。在他们看来,在未来的8到10个月内,DRAM的价格将会保持比较健康的水平,这一方面是由于中国的手机制造商推动将6GB DRAM引入到中低端手机,这将加大DRAM的需求,能够保证DRAM的健康。在大摩看来,存储在数据中心的稳定增长是会持续。

 

大摩认为三星DRAM的平均价格明年一季度将同比增长2%,而整个2018年的增长则会同比增长4%。在此期间,服务器的需求会保持强劲,不过移动设备和PC的价格则将会下滑,但是我们对DRAM 在2018的价格走势仍然表示乐观。

 

大摩认为,三星DRAM出货量在2018年的增长将同比提升18%,超过14%的预期。粗略估计,三星平泽工厂现在DRAM产能为20K每个月,到2018年,这个数字将会达到60K,通过扩充产能的方式,明年三星将会进一步巩固其DRAM的市场份额。

 

据大摩预测,三星Line 11的30K DRAM产能将会转变成10K CMOS。Line 16的平面NAND转化为3D NAND,届时将会引起产能骤减。三星方面也表示,将会把60K到70K的产能转换为3D NAND。然后将剩下的平面NAND 产能转换为30K DRAM。

 

设备投资上看,三星平泽厂的2F West工厂的设备将会进场,那就意味着2018年,三星方面消耗的晶圆将会多50Kwpm。DRAM设备供应商东电最近的声明中也表示,他们将2017年的DRAM方面营收预期从之前的10%改为50%。而大摩也透露,他们与三星的人交流之后获知,他们平泽工厂的DRAM技术转移已经基本完成,产能也基本上了正轨。现在,三星平泽厂的洁净室已经建好,到2018年早些时候,他们可以有计划地引入DRAM设备,这就会带来更多的wafer扩产,这就意味着到2018年下半年,DRAM的价格可见下调。新增长的wafer产能至少能满足他们明年的20%的增长目标。

 

预测2018年三星DRAM的营收将会增加24%,达到W45.7tr,占了整体销售的16%。运营利润将会较之上年增长60%,

 

三星DRAM的全球占有率

 

三星Fab的DRAM产量


客户库存达到了之前存储周期的最高点
 

在存储供应开始出现紧张的时候,客户们一般都会做存货缓冲,以免在缺货严重的时候手足无措。但这往往会导致过度供应和价格骤减。

 

在对Apple, Cisco, Dell/EMC, Hon Hai, Inspur, HP, Hewlett Packard Enterprise,Lenovo, Quanta和Wistron这几家主要的OEM厂商进行调研会后,我们发现,现在的库存水平回到了2015年一季度的峰值。

 

2015年Q1的OEM库存率

 

大摩表示,三星将会是存储周期性衰落的最先受害者。

 

从大摩的报告中我们可以看到,存储占了三星运营利润的60%,考虑到存储的周期性衰落,他们认为三星将会迎来衰退的风险。根据过往的研究显示,三星的股价波动与存储的价格走势密切相关。

 

三星的股价与DRAM的价格走势密切相关

 

三星的股价与NAND Flash的价格密切相关

 

不过摩根斯坦利也强调,三星在来年会有23%的年增长率,这看起来虽然不错,但与2017年的95%相比,则有了明显的回落。他们也表示,对三星的看衰,跟三星本身的企业模式没有太大的关系。日益衰退的PC产业也给三星的未来蒙上一层阴影。不过根据以往的经验,最后的结果或未可知。


中国正在崛起的存储或面临激烈竞争
 

从戴老板的文章中我们可以看到,美国、日本和台湾几乎都成为了三星存储发展路上的垫脚石。而从上面大摩报告显示,三星从过去的一年多的存储大涨中挣到了个盘满钵满。而现在,制程转移已经完成,价格开始下跌,但正是在这个时刻,中国一众新建存储厂商的产品或许在未来几年开始陆续有面世。从这个方面综合看来,三星存储的价格走势,会是中国存储崛起的一个大挑战。

 

首先拿 NAND Flash来说。

 

紫光集团旗下的长江存储正在大力投入3D NAND Flash的研发中去。长江存储的高启全今年4月接受Digitimes采访的时候表示,他们在武汉已齐聚500名研发人员投入3D NAND的研发,今年年底提则会提供32层3D NAND的样本,这将会是长江存储技术自主的一个里程碑。之后会从事64层技术,待该技术成熟后,长江存储才会投入3D NAND量产。

 

高启全表示,届时与三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等国际大厂的技术差距会缩短至一代左右。

 

在11月19日,紫光集团董事长赵伟国接受央视《对话》采访中说到,长江存储聚合1000人,研发了2年,并投入了十亿美元,终于研发出了32层的64G存储芯片。而在问到与国际差距的时候,赵伟国回应:“如果说第一名是奔驰宝马的话,排第二的大概是奥迪,我想到2019年我们就达到帕萨特的水平,它跟奔驰宝马还是差一些,但是基本上都有了,相当于在市场上有一席之地了。”对于长江存储来说,如果在这个紧要的关头,面临三星等国际大厂的低价冲击,市场方面的优势是非常小的。

 

也许会有人问,为什么不会推动国内企业支持国产芯片。

 

举个例子:假设两个产品一高一低,如果低那个质量不会差太远,你也许会为了成本而去尝试;如果你两个东西价格一样。在完全竞争的市场环境下,一个已经经过多年验证的成熟产品和一个新产品,你会选择哪个?答案是不言而喻的。因此编者认为三星在大挣特挣一年之后,再将其产能拉上去,或多或少是在阻止中国存储的崛起。

 

来到DRAM方面,一样的道理。不过由于DRAM的开发技术难道较之NAND Flash会更高,国内DRAM产业的发展就会相对落后很多,而三星的DRAM价格同事却没有跌得那么快。综合三星这两个存储主力产品的发展走势,对国内的存储产业来说,刚出生就要面临巨大的压力,挑战可想而知。

 

但是,存储作为一个重要的半导体器件,占了集成电路产值的三分之一,对于拥有众多OEM厂商的中国厂商来说,非常重要。如何推动自主可控产品的发展,就成为当代中国集成电路工作者关注的重点。当然,发展的过程中根本不可能期望竞争对手对自己仁慈,如何找准自己的发展道理,推动自己的发展,才是成功的关键。


责任编辑:胡说
半导体行业观察
摩尔芯闻

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