MRAM达成新里程碑，存储产业变革要来了？

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据外媒报道，磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。 Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。

这款新芯片采用的则是一个兼容DDR4的接口。这家公司表示，供应商可以利用持久的记忆技术设计企业级SSD或对现有的储存产品展开进一步的改善。

据了解，ST-MARAM的密度要比公司旗下现有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出，从Global Foundries的40nm工艺到foundry 28nm工艺的转变是开发这种千兆级芯片的关键，另外它还展示了公司垂直磁性隧道结(pMTJ)的可扩展性。

首批配备Everspin全新千兆MRAM芯片的产品之一将来自Smart Modular公司。该公司计划发布一款NVMe PCIe硬盘，它的重量和长度都将减半，其将用于元数据缓存和储存加速应用。Smart Modular表示，该产品单元在4K随机读写测试中能够达到1500K IOPS。

眼下，Everspin正在闪存峰会(Flash Memory Summit)展示他们的1Gb ST-MRAM。

早在20多年前，由于其不易挥发的特性，MRAM就被视为取代NAND闪存的潜在高性能产品。不过，从产品容量的角度来说，该技术还远远无法 参与竞争。

MRAM与快闪记忆体不同，它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高速读写能力，以及Flash不挥发性的特性，在Cell面积上也和DRAM比例相近，而重复读写次数和DRAM、SRAM相同，操作电压也近似，可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体，目前一些公司如三星、东芝、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。

MRAM的优势在于其性能以及低功耗。在未来，内存技术有望超越闪存甚至是DRAM，达到SRAM的水平。只要获得与闪存和DRAM相同的投资力度以及存在同样大的市场需求，MRAM也有望称为未来主流内存产品。

大概十年前，飞思卡尔半导体宣布该公司将与多家创投公司集资成立一间以磁性随机存取存储器(MRAM)为主要产品的独立新公司——EverSpin Technologies，致力于提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁性产品。据悉飞思卡尔半导体将把磁阻式随机存储器的相关知识产权移交给Everspin科技，而Everspin的后盾则是风险投资公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。

飞思卡尔表示将会把原有的MRAM技术、相关的IP及产品转移给EverSpin Technologies，但在新公司内仍保有一定的股份权益。飞思卡尔亦将继续研制以EverSpin之MRAM技术为根基的嵌入式产品。

该公司表示，MRAM将磁性材质与传统硅晶线路结合在单一的永久耐用元件当中，不但兼具SRAM的速度，也具备快闪存储器的非挥发性。MRAM元件的设计将非挥发性存储器及RAM的优势合而为一，让新型的智慧型电子装置能拥有“立即开启”及防备断电的功能。

根据协议，EverSpin Technologies会取得MRAM制造资产的所有权，并以亚利桑那州的Chandler为基地，继续供应产品给飞思卡尔现有的个别MRAM用户。此外，EverSpin会提供MRAM技术给飞思卡尔，以便运用于飞思卡尔的嵌入式产品。

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