高启全谈中国存储进展，呼吁美光和紫光合作

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台湾DRAM教父高启全转战大陆紫光集团操盘存储器大计划超过1年，日前晋升长江存储的执行董事、代行董事长，接受DIGITIMES独家专访公开未来规划；他指出，已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发，也考虑研发20/18纳米DRAM，会在技术开发具竞争力后才开始投产，欢迎美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利！

长江存储计划存储器的研发，制造基地在武汉、南京两地，紫光2017年1月底资金到位，现阶段长江存储的股权结构是大基金占25%、湖北集成电路产业投资基金和湖北投资集团占24%、紫光集团占51%，高启全从2月底成为长江存储的执行董事、代行董事长。

高启全独家在DIGITIMES公开长江存储在技术和量产的规划，技术开发大本营在武汉，现已投入3D NAND研发，2017年底提供32层3D NAND的样本，将是公司技术自主的里程碑，之后从事64层技术，待该技术成熟后，长江存储才会投入3D NAND量产，届时与三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等国际大厂的技术差距会缩短至一代左右。

再者，长江存储也考虑自己开发DRAM技术，可能的切入点是18/20纳米制程，无论是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技术，不会再走过去台湾技术授权的老路！

高启全表示，无论是DRAM或3D NAND技术，最好的合作伙伴是美光，但现在政治气氛不对，美国对大陆半导体产业的积极度有被威胁之感，因此洽谈的时间会再延长，但美光1年来全球DRAM市占率从28%掉到18%，不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦。

长江存储分为武汉和南京12吋厂两大据点，各自单月产能都是30万片规划，外界对于这样的产能规模，以及何时量产都有很多疑问，他强调，12吋厂规划不会是虚晃一招，但技术没成熟前也绝对不会冒然投产，长江存储的存储器规划是有计划、慢慢做，千秋大业是急不得，我们也不会去打乱市场的行情。

高启全指出，这样的12吋产能规模将会成为对抗三星电子(Samsung Electroncis)的充裕子弹和最佳利器，欢迎美光加入，现在南韩控制全球DRAM市占高达80%、NAND Flash高达60%，不出几年的时间，南韩就会掌握全球90%的存储器芯片，这是全世界都该害怕的事情，三星是全球科技业的威胁。

他进一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的势力，对台湾亦有利，以大陆有计划的布局可扮演此角色，且只有大陆才有这个资源投入，长江存储就是基于这个出发点而诞生，也是大基金唯一真正投资的存储器阵营。

他分析，大陆每年进口的 芯片金额高达2,500亿美元，当中以存储器芯片为大宗，但自己制造的主流DRAM和NAND Flash芯片却是零，大陆有半导体政策要做、出钱出力、给时间让技术落地生根，大家应该更正面去看长江存储的规划和发展。

他强调，3D NAND和DRAM技术绝对在大陆自主开发，技术不成熟时不会冒然投产，另外，我们不会再走回过去台湾技术授权的失败老路，发展自有技术同时，侵犯别人专利会付钱，且长存已累积多个3D NAND专利，别人用到也要付费，唯有合法来源取得技术，持续前进，才能吸引到全球人才，打造国际级的规格。

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