杨士宁:长江存储2020年赶上世界前端
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长江存储CEO杨士宁点出,为何长江决定跨入存储领域?他表示,半导体组件可分为四大块领域:首要运算CPU、存储、通讯及第四部分涵盖了物联网(IoT)感测器、模拟IC等较为分散的领域。然CPU领域行业生态较为复杂、通讯芯片领域也已经形成fabless+foundry稳固态势,大举跨入存储这一领域仍是大有可为的。杨士宁引用《DIGITIMES》2017年1月中旬一篇分析,精准点出了大陆发展存储产业的战略思考。分析指出,大陆当下大力发展存储产业是正确的。
杨士宁分析,从半导体存储器技术分类来看,目前DRAM和NAND闪存储存的总产值占全球存储器产业的95%。未来10年,IBS数据预计,NAND闪存储存的需求量还将持续增长10倍,主要应用在云端运算、智能终端机等领域。尤其大陆市场更有庞大的内在需求。
他说,有人说长江存储跨入此一市场对当前存储半导体是“打破平衡”,然他却认为正好相反,不论DRAM或是NAND市场都处于一个并“不平衡”的状态,不平衡来自于都集中在一家独大的公司,集中度越来越高。长江存储作为新的参考者,正好是要来“平衡”此一状况。
杨士宁指出,存储器是个大好的机会。大陆在先进IC的制造领域,大陆市占率为5~10%,同时在人才汇聚、国际合作的机遇和产业生态支持方面,大陆正面临一个最好的时期。
在正确的时间点,投入必要的领域就能获得客观条件的支持。大陆在全球存储器市场中,拥有55%的市场需求,有强大内需支撑。而从资金方面,国家大基金从资金和政策给予及大支持,就要看第三:人才的纵深。三大纵深:市场、资金、人才,长江存储三大发展到位。
DRAM 产能 能购并就购并
杨士宁透露,有许多美国企业找上门来,希望与长存储合作。长江存储将通过自主研发与国际合作两者相结合,抓住每一个购并投资的机遇。有好的机会“能购并就购并。”
以DRAM来中,两个增加的难度存在,一方面是竞争对手手里仍有大量折旧完的产能存在,2D NAND也是如此。另一方面,现阶段DRAM市场的增长需求变得相对缓慢,很难实现经济效益。所以不会再去拚产能,因为在怎么拚也拚不过折旧尽的厂商,发展DRAM更会选择机遇寻找购并进一步实现DRAM产能的扩充。
他也提到,非常可惜台湾存储产业几十年持续投资了3、4千亿美元却没有自主性,最后付诸东流。在大陆大力发展积体电路时期,如何做好自主可控,持续发展非常重要。
全力发展 3D NAND 技术扩产
他指出,至于NAND方面寻找合作研发愿意联合研发的伙伴。3D NAND不论从物理特性或其架构上都具备成本优势条件,未来10年内,现今所有NAND厂都将转移到3D NAND建新的厂,所以论每家都面临同样的折旧压力。长江存储并不担心,只要全力解决技术问题即可。他强调,长江存储的目标是“在折旧期内实现盈利。”
全球存储器公司都在3D NAND产品积极准备中,2018年将会有更多64层3D NAND的产品量产上市,长江存储不会简单的跟随行业脚步,将通过跳跃式的发展,目标在2019年实现与世界前端差半代技术,2020年追赶上领先技术,与世界并行。至于目前发展,杨士宁表示“我还算满意。”
据杨士宁透露,长江存储32层3D NAND产品进展顺利,电气特性等各项指标非常好。他相当自豪的说,长江存储预计2018年第1季进设备机台,这是全球最大一层平面工厂,2019年就要达到产能满载目标,目前“压力巨大。”
“ 阵地战 ” 与 “ 运动战 ” 结合
他进一步表示,除了站在正确的战略思考,更重要的是执行力,把事情做好。要想创业成功,找对人、砸对钱和做对事是3个必要条件。首先,要有实干精神,有胸怀有勇气,更要有创业成功的经验,其次把更多投资放在先进技术和有经济效益的领域。
在国际化的体制下,通过市场化的竞争,集结全国资源聚集全球人才,长江存储大规模投资建厂仿佛“阵地战”,每个极为可能的购并机会将成为“运动战”,做好“阵地战”与“运动战”相结合,才更有机会成功。
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