全球最大八英寸SiC工厂,开始运营
2024-08-23
15:17:32
来源: 互联网
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在近日宣布公司位于马来西亚居林新工厂一期开始运营后,英飞凌在第三代半导体的发展上创下了一个新的里程碑。
因为据英飞凌所说,新工厂一期项目将创造900个高价值的工作岗位,二期项目投资额高达50亿欧元,将建成全球规模最大且最高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。
众所周知,英飞凌是全球领先的半导体厂商,尤其在汽车半导体方面,英飞凌更是名列前茅。根据TechInsights的最新研究显示,2023年全球汽车半导体市场规模增长16.5%,创下692亿美元的记录。而英飞凌的整体市场份额增长了一个百分点,从2022年的近13%增长至2023年的约14%,巩固了公司在全球汽车半导体市场的领导地位。
英飞凌指出,公司的半导体产品是各种关键汽车应用的重要组成部分,包括驾驶辅助和安全系统、动力传动和电池管理系统、多种舒适功能、车载信息娱乐系统以及安全功能等。能在这么多领域提供服务,得益于公司在MCU、功率器件等产品上的全面布局。尤其是包括SiC、GaN的第三代半导体,更是是公司近年来在功率器件方面大力发展的重要方向。在EV/HEV时代到来以后,英飞凌更是踌躇满志,动作频频。
按照英飞凌的规划,展望到2030年末,公司在全球碳化硅市场所占份额将达到30%,成为碳化硅领域的领导力量。
英飞凌表示,之所以看好SiC,是因为碳化硅功率半导体能够实现更高效的电能转换和更加小型化的设计,为大功率应用带来了革命性的变化。在电动汽车、快充充电桩和火车以及可再生能源电力系统和AI数据中心等应用中,采用碳化硅功率半导体能够显著提升能效。
英飞凌同时指出。作为领先的电源供应商,公司在碳化硅 (SiC) 技术开发方面拥有超过 20 年的经验,公司也已做好准备,满足更智能、更高效的能源生产、传输和消耗需求。公司也在过去多年的发展中不断将 SiC 基产品(包括采用沟槽技术的革命性 CoolSiC™ MOSFET)添加到现有的 Si 产品系列中。如今,提供业内最全面的电源产品组合之一,从超低压到高压电源设备。
为了满足这些SiC产品需求和既定目标,英飞凌不断增强自己在制造的实力,这次马来西亚居林工厂的开业,就是公司这些投入的又一次创举。
据了解,早在1973年,英飞凌就开始了在马六甲的业务运营,进入了马来西亚市场。2006年,英飞凌在居林开设了亚洲首座前道晶圆厂。这座高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌作为全球功率半导体领导者的地位。
资料显示,该工厂的一期项目投资额高达20亿欧元,将重点生产碳化硅功率半导体,并涵盖氮化镓外延的生产。英飞凌则透露,正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单,并且收到了来自新老客户约 10 亿欧元的预付款。
“值得一提的是,这些设计订单来自不同行业的客户,包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。”英飞凌强调。
英飞凌居林工厂第三厂区将与英飞凌位于奥地利菲拉赫的生产基地紧密相连,后者是英飞凌功率半导体的全球能力中心。英飞凌已于 2023 年提高了菲拉赫工厂在碳化硅和氮化镓功率半导体方面的产能。两座生产基地紧密结合,实际上形成了一个专注于宽禁带技术的“虚拟协同工厂”,可以共享技术和工艺,并以此实现快速量产和平稳高效地运营。该项目还具备很高的弹性和灵活性,英飞凌的客户将最终受益。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck
也强调:”采用基于碳化硅等创新技术的新一代功率半导体是实现低碳化和气候保护的必要条件。我们的技术能够提高电动汽车、太阳能和风能发电系统、AI数据中心等各种已经非常普遍的应用的能效。因此我们正在马来西亚投资建设全球规模最大、最高效的高科技碳化硅生产制造工厂,并且有强有力的客户承诺作为后盾。由于半导体的市场需求将持续增长,对居林工厂的投资对我们的客户而言颇具吸引力,他们也通过提供预付款的方式来支持这项投资。不仅如此,英飞凌的这项投资项目还能够提高绿色低碳化转型所需的关键元器件的供应链弹性。”
因为据英飞凌所说,新工厂一期项目将创造900个高价值的工作岗位,二期项目投资额高达50亿欧元,将建成全球规模最大且最高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。
众所周知,英飞凌是全球领先的半导体厂商,尤其在汽车半导体方面,英飞凌更是名列前茅。根据TechInsights的最新研究显示,2023年全球汽车半导体市场规模增长16.5%,创下692亿美元的记录。而英飞凌的整体市场份额增长了一个百分点,从2022年的近13%增长至2023年的约14%,巩固了公司在全球汽车半导体市场的领导地位。
英飞凌指出,公司的半导体产品是各种关键汽车应用的重要组成部分,包括驾驶辅助和安全系统、动力传动和电池管理系统、多种舒适功能、车载信息娱乐系统以及安全功能等。能在这么多领域提供服务,得益于公司在MCU、功率器件等产品上的全面布局。尤其是包括SiC、GaN的第三代半导体,更是是公司近年来在功率器件方面大力发展的重要方向。在EV/HEV时代到来以后,英飞凌更是踌躇满志,动作频频。
按照英飞凌的规划,展望到2030年末,公司在全球碳化硅市场所占份额将达到30%,成为碳化硅领域的领导力量。
英飞凌表示,之所以看好SiC,是因为碳化硅功率半导体能够实现更高效的电能转换和更加小型化的设计,为大功率应用带来了革命性的变化。在电动汽车、快充充电桩和火车以及可再生能源电力系统和AI数据中心等应用中,采用碳化硅功率半导体能够显著提升能效。
英飞凌同时指出。作为领先的电源供应商,公司在碳化硅 (SiC) 技术开发方面拥有超过 20 年的经验,公司也已做好准备,满足更智能、更高效的能源生产、传输和消耗需求。公司也在过去多年的发展中不断将 SiC 基产品(包括采用沟槽技术的革命性 CoolSiC™ MOSFET)添加到现有的 Si 产品系列中。如今,提供业内最全面的电源产品组合之一,从超低压到高压电源设备。
为了满足这些SiC产品需求和既定目标,英飞凌不断增强自己在制造的实力,这次马来西亚居林工厂的开业,就是公司这些投入的又一次创举。
据了解,早在1973年,英飞凌就开始了在马六甲的业务运营,进入了马来西亚市场。2006年,英飞凌在居林开设了亚洲首座前道晶圆厂。这座高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌作为全球功率半导体领导者的地位。
资料显示,该工厂的一期项目投资额高达20亿欧元,将重点生产碳化硅功率半导体,并涵盖氮化镓外延的生产。英飞凌则透露,正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单,并且收到了来自新老客户约 10 亿欧元的预付款。
“值得一提的是,这些设计订单来自不同行业的客户,包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。”英飞凌强调。
英飞凌居林工厂第三厂区将与英飞凌位于奥地利菲拉赫的生产基地紧密相连,后者是英飞凌功率半导体的全球能力中心。英飞凌已于 2023 年提高了菲拉赫工厂在碳化硅和氮化镓功率半导体方面的产能。两座生产基地紧密结合,实际上形成了一个专注于宽禁带技术的“虚拟协同工厂”,可以共享技术和工艺,并以此实现快速量产和平稳高效地运营。该项目还具备很高的弹性和灵活性,英飞凌的客户将最终受益。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck
也强调:”采用基于碳化硅等创新技术的新一代功率半导体是实现低碳化和气候保护的必要条件。我们的技术能够提高电动汽车、太阳能和风能发电系统、AI数据中心等各种已经非常普遍的应用的能效。因此我们正在马来西亚投资建设全球规模最大、最高效的高科技碳化硅生产制造工厂,并且有强有力的客户承诺作为后盾。由于半导体的市场需求将持续增长,对居林工厂的投资对我们的客户而言颇具吸引力,他们也通过提供预付款的方式来支持这项投资。不仅如此,英飞凌的这项投资项目还能够提高绿色低碳化转型所需的关键元器件的供应链弹性。”
责任编辑:Ace
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