台湾企业招兵再攻DRAM市场，目标10nm

2020-01-20 14:00:11 来源: 半导体行业观察

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DRAM大厂南亚科冲刺10 纳米制程自主研发，以及DRAM和逻辑元件异构芯片整合能力，今年决定再扩大征才近200人，增幅逾二成，将整体研发大军扩编至千人规模，相关征才作业已紧锣密鼓进行。

南亚科是继美光宣布在台扩大招募人才后，又一家DRAM大厂看好DRAM在第五代移动通讯（5G）和人工智能（AI）快速发展下，带动各项边缘运算应用增加，加入抢人才行列。

南亚科总经理李培瑛昨（19）日接受采访时表示，南亚科今年正式迈入自主研发10纳米技术试产，扩编研发阵容是必要之策。他坦承，台积电大幅提高资本支出、吸纳人才，加上对岸重新启动来台挖角，南亚科这波征才可能会面临不小的压力。

不过，李培瑛强调，南亚科近年大幅提升员工福利，也针对菁英人员祭出优渥留才措施，加上这几年在市场、客户和产品组合布局，都有良好成效。尽管DRAM产业景气波动快速，但生产绩效、营业利益，和南韩三星、SK海力士等相差不远，获利稳定，预料会吸引不少优秀人才，加入抢食下波庞大智能化商机行列。

李培瑛表示，南亚科早在三年前就决定自主研发10纳米，时间点也就是在与美光敲定全数处分华亚科股权给美光之后，虽然当时南亚科拿到价值数百亿元的美光股票和现金，也保留可以选择在1x纳米向美光授权的交换条件，但在考量技术自主下，就开始投入10纳米研发，经历三年时间，在成功产出1A制品后，今年元月初正式通知美光，将自主研发。

李培瑛说，南亚科的10纳米分成A、B、C三个世代，这个制程和美光原本的20纳米相比，就是南亚科采用的记忆储存单元（Cell）可进行微缩，因此可由1A逐步推进至1B再到1C。

其中，1A已预定今年下半年试产，1B制程技术也开始研发阶段，预计2022年前导入试产，后续会开发第三代1C制程技术。

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