中国63座晶圆制造厂最新情况跟踪
2020-01-04
14:00:08
来源: 半导体行业观察
多年来，芯思想研究院（ChipInsights）对国内
12英寸、8英寸、6英寸
晶圆生产线的情况进行了长期深入的跟踪调研。
根据芯思想研究院的统计，截止2019年底我国12英寸晶圆制造厂装机产能约90万片，较2018年增长50%；8英寸晶圆制造厂装机产能约100万片，较2018年增长10%；6英寸晶圆制造厂装机产能约230万片，较2018年增长15%；5英寸晶圆制造厂装机产能约80万片，较2018年下降11%；4英寸晶圆制造厂装机产能约260万片，较2018年增长30%；3英寸晶圆制造厂装机产能约40万片，较2018年下降20%。
为了让大家对我国新的晶圆制造线的最新情况有个了解，本文对2019年度有关中国晶圆生产线的最新情况进行盘点，
现将调研情况梳理如下。
共计63个项目，其中6个项目已经停摆，刨除停摆项目外，其他57个项目宣布投资总额超过15000亿人民币，较2018年统计增长7%
。
本文分为两大部分，一是硅基项目，二是化合物项目；每部分包括投产篇、产能爬坡篇、在建篇、规划篇、停摆篇。
产能爬坡篇：2019年前投产的生产线，2019年产能较2018年开始提升
中芯南方集成电路制造有限公司（12英寸
14
纳米）
中芯集成电路制造（绍兴）有限公司（中芯绍兴，8英寸）
武汉弘芯半导体制造有限公司（弘芯半导体，12英寸）
泉芯集成电路制造（济南）有限公司（泉芯集成，12英寸）
赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司（赛莱克斯，8英寸）
中芯集成电路（宁波）有限公司二期（中芯宁波二期，8英寸）
杭州士兰集昕微电子有限公司（士兰集昕二期，8英寸）
青岛城芯半导体科技有限公司（城芯半导体，12英寸）
四川中科晶芯集成电路制造有限责任公司（中科晶芯，8英寸）
格芯（成都）集成电路制造有限公司（格芯成都，12英寸）
德科码（南京）半导体科技有限公司（德科码南京，8英寸）
江苏中璟航天半导体实业发展有限公司（中璟航天，8英寸）
2019年中芯南方集成电路制造有限公司12英寸14纳米生产线
正式
投产
，
标志着中国大陆集成电路生产工艺向前推进一步，顺利完成《推进纲要》的目标。
。
2019年第一季度，中芯南方FinFET工厂首台光刻机搬入，开始产能布建。目前
已经具备月产能3500片规模，最终达到每月产能35000片的目标。
中芯南方成立于2016年12月1日，是配合中芯国际14纳米及以下先进制程研发和量产计划而建设的具备先进制程产能的12英寸晶圆厂。
2020年1月1日举行首批功率器件晶圆投片仪式，并和无锡新洁能签约。华虹无锡的IC+Power战略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF和Power等工艺平台陆续推出，可满足无锡绝大多数设计公司。
2019年5月24日首台设备搬入，并举行了HHFAB7厂授牌仪式。2019年6月6日华虹无锡集成电路研发和制造基地12英寸生线一期3台光刻机台搬入；2019年9月17日试投片生产，标志着中国第一条12英寸90纳米/55纳米工艺的功率器件生产线投产。
2017年8月2日，华虹宏力与无锡市政府及国家集成电路产业投资基金（大基金）签订了一份投资协议，三方将在无锡投资建设一座12英寸晶圆厂。据介绍，大基金向华虹注资9.22亿美元，其中4亿美元投给华虹半导体，持股18.94%；5.22亿美元投给华虹无锡，持股29%。
华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期项目总投资约25亿美元，新建一条工艺等级90-65/55纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。
2018年8月28日，武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资17.8亿美元；2018年12月开始
进入
设备安装调试。
据悉，二期将紧抓物联网和5G运用的市场机遇，建设NOR Flash（自主代码型）闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，相当于再造一个武汉新芯。
根据规划，武汉新芯的NOR Flash闪存能力每个月扩充8000片，从月产能1.2万片扩至月能2万片，微控制器每个月扩充5000片，计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。
2019年7月
开始设备安装调试
，
目前已经开始试运行生产，为量产做准备，
2020年
3月正式量产
。
2018年3月，三星宣布在西安举行了3D NAND闪存芯片二期一阶段项目奠基仪式。
三星半导体西安存储芯片基地进行了重新规划，将二期项目分为两个阶段，目前在建的做为二期第一阶段，投资70亿美元，规划月产能6万片，到2020年底，西安3D NAND月产能将由目前的12万片增至18万片，增幅约50%。
2019年
9
月2
0
日，粤芯半导体第一阶段的生产线
正式投产。
2019年3月15日，广州粤芯半导体有限公司举行了12英寸生产线设备搬入仪式，首批进入的设备来自全球前五大半导体设备供应商，包括ASML的光刻机、AMAT的晶圆缺陷检测设备、LAM Research的刻蚀设备、TEL的涂胶显影设备和KLA的检测和量测设备。3月19日，有多台国产设备开始搬入并安装调试；2019年6月29日，粤芯半导体宣布，第一阶段的生产线调试已经完成，首批样品已经出货，良率已达到预期目标。
2018年3月开始桩基工程，10月11日举行了12英寸集成电路生产线项目主厂房封顶；12月7日洁净室正压送风。
2017年12月举行开工仪式，这是国内第一座以虚拟IDM (Virtual IDM) 为营运策略的12英寸晶圆厂，也是广州第一条12英寸晶圆生产线。
粤芯半导体项目投资70亿元，新建厂房及配套设施共占地14万平方米。建成达产后，粤芯半导体将实现月产40000片12英寸晶圆的生产能力，采用130nm到180nm工艺节点生产，产品包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、人工智能、5G等创新应用的模拟芯片需求。
2019年上半年，重庆万国完成了12英寸生产线设备安装，7月开始小批量12英寸晶圆生产。
2015年9月，两江新区管委会与万国半导体科技有限公司签订“12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目投资协议”，2016年4月22日成立重庆万国，将主要从事功率半导体器件（含功率MOSFET、IGBT等功率集成电路）的产品设计和生产制造。2017年2月动工建设。2018年3月开始搬入设备并装机。
万国半导体科技有限公司是全球技术领先的功率半导体企业，该项目总投资10亿美元，将分二期建设。其中，项目一期投资约5亿美元，建筑面积93111平方米，预计每月生产2万片芯片、封装测试5亿颗芯片；二期投资约5亿美元，预计每月生产5万片芯片、封装测试12.5亿颗半导体芯片。
2019年
8月26日，时代全芯发布了基于相变材料的2兆位可编程只读相变存储器产品（EEPROM）“溥元611”，标志着中国首条PCRAM后道生产线投产，其前道生产还是选择和华力微合作。
2019年4月，KLA和日立（Hitachi）的量测机台，以及Wet Etch、CVD机台陆续搬入。2018年4月10日，生产线核心设备ASML 1950Hi光刻机进厂安装，1950Hi可满足38纳米工艺生产。
2018年12月公司入选工信部存储器“一条龙”应用计划“示范企业”，年产10万片12英寸相变存储器项目入选“示范项目”，是少数几家入选“示范企业”和“示范项目”的公司 ，更是全国唯一一家相变存储器（PCM）入选的公司。
2016年9月28日，项目正式破土动工；2017年3月1日，年产10万片12英寸相变存储器项目举行动工仪式；2017年11月9日主厂房封顶。
江苏时代芯存半导体有限公司正式致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。江苏淮安PCRAM生产项目总投资130亿元，一期投资43亿元。公司宣称拥有相变存储器完整的技术和工艺的知识产权及产业化能力，已制定了未来十年的产品规划。2017年6月16日，与IBM公司就相变存储知识产权移转淮安签约暨大容量存储产品研发合作启动仪式举行。
2019年4月18日SK海力士半导体（中国）有限公司举行了无锡工厂扩建（C2F）竣工仪式，
不过海力士对于产能爬坡不是太积极
。
2018年11月30日，首台生产装备开始搬入厂房。
2016年11月二工厂破土动工，2017年10月29日，SK海力士与无锡市政府就海力士新上二工厂项目签约，总投资高达86亿美元。扩建完成之后，到满产时，无锡基地将形成月产能20万片10纳米制程等级的晶圆生产基地。
SK海力士半导体（中国）有限公司是由韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片。
SK海力士半导体（中国）有限公司在锡进行了多次增资及技术升级，累计投资额约200亿美元。
2019年以来，笔者在多个场合见到晋华集成副总，虽然并未透露任何有关晋华的信息，但其代表晋华公开现身，应该表明“晋华仍在运转当中”。
2018年10月30日，美国商务部以国家安全为由，宣布自10月30日起对晋华集成实施出口管制，被美国列入出口管制“实体清单”的中国企业。限制对其出口，原因是该公司新增的存储芯片生产能力将威胁到为军方提供此类芯片的美国供应商的生存能力。目前项目陷入危机中。
2016年2月26日，晋华集成在福建省晋江市成立；2016年4月，台湾经济部投审会通过联电和晋华集成合作共同开发32纳米DRAM制程；由联电在南科研发，再移转到晋华集成生产；2016年5月，晋华集成与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术。由晋华支付技术报酬金，开发出的DRAM技术成果，将由双方共同拥有；2016年6月9日晋华集成首座12英寸晶圆厂项目立项备案；2016年7月，晋华集成首座12英寸晶圆厂举行施工典礼；2016年10月18日，晋华集成首座12英寸晶圆厂正式开工建设；2017年11月，晋华集成首座12英寸晶圆厂厂房封顶；2018年7月晋华集成首座12英寸晶圆厂工艺设备进场安装，计划年底进行小规模投片试产。
晋华集成是由福建省电子信息集团、及泉州、晋江两级政府共同出资设立，被纳入我国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。晋华集成电路与台湾联华电子开展技术合作，专注于DRAM产品领域。预估2018年9月正式投产，到2019年底一厂一期项目可实现月产6万片12英寸晶圆的产能，到2020年底一厂二期也将达产6万片。并适时启动二厂的建设，到二厂达产时，总产能将达24万片。
2109年11月16日，中芯集成电路制造（绍兴）有限公司宣布8英寸生产线通线投片，
2020年3月正式
量
产。
2019年6月19日，主体工程结顶；9月搬入工艺设备，10月完成了151台套设备的安装调试。
2018年5月18日，中芯绍兴8英寸厂房项目举行奠基仪式，标志着中芯国际微机电和功率器件产业化项目正式落地绍兴。
2018年3月1日，中芯绍兴项目举行签约仪式，项目首期投资58.8亿元人民币。
2019年12月
燕东微电子8英寸生产线
投片，经过多次工艺试验后，目前良率已经达到预期。
2019年6月25日，燕东微电子8英寸生产线首批设备正式搬入。首台搬入的设备是北方华创的刻蚀机。
2018年12月31日，燕东微电子8英寸Mini-line试验线第一片晶圆正式下线，实现了Trench MOSFET 30V产品全流程贯通，器件功能良好，电性能测试单片良率超80%。这是燕东微电子在8英寸晶圆制造的里程碑。
2018年4月15日，燕东微电子8英寸集成电路项目举行上梁仪式，6月29日主厂房封顶。
江苏英锐半导体有限公司6英寸
厂于
2019年第四季度试生产运营。
江苏英锐半导体有限公司是由深圳英锐集团子公司盈信通科技（香港）有限公司投资建设，于2018年3月正式启动，项目总投资1.5亿美元。项目达产后，可年产芯片60万片，主要生产功率分立器件。
从日本、美国引进生产所需光刻机、离子注入机、刻蚀机、PECVD、溅射台等共计415台（套）。
自投产以来，上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）的产能迅速爬坡，2019年第二季度达月产10000片，到第四季度达月产20000片。
2018年10月18日，上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）生产线正式投片，首批12英寸硅片进入机台，开始28纳米工艺芯片制造。
2016年12月30日上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HHFAB6）12英寸先进生产线开工建设；2017年5月20日桩基工程完工，开始主厂房钢结构屋架吊装，11月2日厂房主体结构完成；2018年5月21日实现首台工艺设备光刻机搬入。
上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）12英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目，总投资387亿元人民币，建成月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线，工艺覆盖28-14纳米技术节点。项目计划于2022年底达产。
2019年长江存储32层3D NAND闪存芯片实现全速量产；
9月
64层3D NAND闪
存芯片
已经
开始
生
产。
目前月产能约2万片，2020年将爬坡至5万片。
2018年第四季度，长江存储一期工程正式投产，32层3D NAND闪存芯片成功实现小规模量产。
2016年7月26日，长江存储有限责任公司成立；2016年12月30日，国家存储器基地项目正式开工建设；2017年7月，32层3D NAND 芯片T/O（设计完成）；2017年9月，国家存储器基地项目一期工程提前封顶；2017年11月，耗资10亿美元、1000人团队历时2年研发的32层3D NAND 芯片完成首次验证；2018年4月11日，一期工程生产机台正式进场安装。
国家存储器基地项目规划，预计5年投入1600亿元（约合240亿美元），到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。
2019年
9月20日宣布
正式量产，目前
装机
月产能
200
00片。
2019年5月15日的GSA Memory+论坛上，长鑫存储董事长朱一明表示，公司DRAM项目计划年内大规模投产，产生正向现金流，实现商业可持续。长鑫存储DRAM技术来源于奇梦达，持续投入研发超过25亿美元，并不断完善自身研发技术；长鑫存储完成了第一座12英寸DRAM存储器晶圆厂建设，技术和产品研发有序开展，已持续投入晶圆超15000片。
2016年5月6日合肥12英寸存储器“506项目”启动；2017年3月厂房开工；2018年1月开始设备安装；2018年7月16日，合肥12英寸存储器“506项目”正式投片；2018年底19纳米产品第一阶段成果通过鉴定。
根据规划，长鑫存储合肥12英寸晶圆厂分为三期，第一期满载产能为12万片，预计分为三个阶段执行，第一阶段要完成单月4万片，目前为2万片，2020年第一季底达到4万片。2020年开始规划建设二期项目，并于2021年完成17纳米工艺的DRAM研发。
2019年底月产能达到2
0
000片规模
，较
2018年12月
扩增1倍。
2018年，晶合以110纳米-180纳米工艺制造LCD驱动芯片。由于因为股权问题，和力晶陷入冷冻期，此后不再从力晶进行技转，而是自研55纳米工艺技术逻辑工艺，原计划2019年量产，目前看来较计划有所落后。
2015年10月20日，晶合总投资128.1亿元人民币的12英寸晶圆制造基地项目（一期）开工；2016年11月16日晶合集成一期举行封顶仪式；2017年4月20日，晶合集成主机台进驻；2017年6月28日投产；2017年9月25日达到量产标准；2017年10月1日宣布正式量产。
公司计划建置4座12英寸晶圆厂。其中一期投入资金超过百亿元，目前已完成N1、N2两个厂房主体的建设，N1厂计划2020年达到满产每月4万片规模。
201
9
年联芯集成
一期满载
月产能约为
25
000万片，
实际产出每月18000+片
。
联芯集成电路制造（厦门）有限公司为台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立之一流晶圆专工企业，于福建省厦门市从事集成电路制造，提供12英寸晶圆专工服务。联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建，2015年3月26日奠基动工，2016年11月开始投产，可提供40nm及28nm的晶圆专工服务，一期月产能为25000片12英寸晶圆。
厦门联芯厂在引进28纳米制程后，2017年第二季度投产5000片，第三季度投产12000片。2017年12月13日通过189.9亿元新台币（约合6.3亿美元）资本预算执行案，间接增资厦门联芯集成电路制造有限公司，扩增晶圆厂产能。2018年第一季度月产能将扩增至16000片规模，2018年年底实现月产25000片的目标。
2019年
月产能
提升为15000片，2020年第一季达到20000片的规划产能。
2018年10月31日，台积电正式对外宣布南京12英寸晶圆厂FAB16量产，提供12寸16nm FinFET晶圆代工业务。
2015年年底，台积电宣布，已向台湾“投审会”递件申请赴大陆设立12英寸晶圆厂与设计服务中心，设立地点确定为江苏省南京市江北新区，投资金额大约在30亿美元；2016年3月28日台积电南京项目正式落户南京，2016年7月7日项目一期正式开工建设；2017年9月12日，台积电南京公司举行了机台MOVE-IN典礼；2018年5月晶圆厂开始试投产。
这次台积南京也打破了多项台积的纪录，第一是建厂最快，从动土到进机只花了14个月，第二是上线最快，进机到开始生产不到半年的时间；第三，这是最美、最宏伟、最有特色的台积厂区。
2018年第二季，英特尔宣布大连的Fab 68二期投产，主要生产96层的3D NAND闪存。
2015年10月19日，英特尔与大连市举行“大连•英特尔非易失性存储制造”项目签约。英特尔宣布，为了积极追赶竞争对手的市占率，Fab 68二期改造工程总投资55亿美元，该战略性计划是英特尔深化其非易失性存储器业务发展战略的一个重要举措。
此项投资符合英特尔大连工厂的长期发展策略，也体现了英特尔与中国共成长的长期发展承诺。
中芯国际深圳基地12英寸MINI晶圆生产线月产能3000片。
中芯国际深圳基地规划一条月产能4万片的12英寸产线，聚焦在0.11微米到55纳米这些工艺的生产，2017年第4季投产。
2019年二期月
产
能维持20000片
装机规模
。
根据公司财报，天津一期装机产能为45000片，2018年第四季天津基地产能达60000片，较2018年第二季增长了20%。
2017年2月扩产项目正式启动。2018年7月，中芯国际天津厂举行了P2 Full Flow扩产计划的首台设备进驻仪式。公司在2018年持续对天津基地进行投资以扩充产能。
2016年10月18日开始，正式启动天津厂产能扩充计划，该计划预计投资金额为15亿美金。在计划完成后，产能将达到每月15万片的规模，有望成为全球最大的单体8英寸晶圆的生产基地。
2018年第三季度，中芯宁波8英寸特种工艺N1产线生产设备进厂，2018年11月2日正式投产。
这是中芯支持建设的特色工艺生线。中芯集成电路（宁波）有限公司由中芯晶圆与宁波胜芯、华创投资等联合成立。公司将通过对相关知识产权和技术的收购、吸收、提升和发展，在高压模拟半导体以及包括射频与光电特色器件在内的模拟和特色工艺半导体技术领域，开发、建立新的核心器件及技术平台，以支持客户面向智能家电、工业与汽车电子、新一代射频通讯以及AR/VR/MR等专用系统应用的芯片设计、产品开发。
中芯集成电路（宁波）有限公司分为N1（租用小港安居路现有厂房）与N2（柴桥）两个项目，将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地，采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式，并提供相关产品设计服务平台。
一期8英寸生产线的产能规划40000片，目前已经趋于饱和。
2015 年开工建设；2016 年1月主要生产厂房已结顶，部分生产设备运抵公司；2016 年 12 月底，主厂房建设、净化装修和机电动力设备安装等均已完工，部分工艺设备也已安装完毕并进入调试阶段预计。
2017年3 月产出第一片合格芯片；2017年6月正式投入量产；2017年12月实现月产15000片；当年共产出芯片5.71 万片。
2018年公司进一步加快8英寸芯片生产线投产进度，已有高压集成电路、高压MOS管、低压MOS管、肖特基管、IGBT等多个产品导入量产。2018年6月，月产能达20000片，全年总共产出芯片30万片。
201
9
年年底增加到月产1
5
000片晶圆。
自2015年启动6英寸升级计划，2016年8英寸设备开始进厂安装调试，2017年第四季完成了对8英寸晶圆质量评估。2018年第一季度末每月产能达3000片8英寸晶圆，2018年年底增加到月产10000片晶圆。
2019年7月19日《英飞凌技术转移项目》全面启动，按节点完成IFXGEN5.0、GEN7.0的产品量产。月产能
爬坡顺利
，
至12月，月产能达6
0000片。
2018年12月，在北京燕东微电子的支持下，公司6英寸月产能顺利达到30000片，较2018年7月的12000片，增长了150%。
2017年8月18日公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片项目一期生产线的正式投产；2018年6月与英飞凌签订了战略合作协议；2018年8月与北京燕东微电子公司签订增资入股协议。
四川广义微电子股份有限公司是一家专业化的集成电路设计、制造、销售于一体的IDM高科技企业，公司规划月产能15万片。
2019年底，
芯睿
电子6英寸生产线月产能达20000片。
芯睿电子6英寸线于2018年6月6英寸开始全面投产，达产后，将形成年产20亿只智能终端产品用超小型传声器。
芯睿电子与中科院固体物理所、西安电子科技大学等知名科研院所深度合作，组建的光电传感与集成应用河南省重点实验室、声电转换专用集成电路河南省工程实验室、微电子研究院成为企业持续创新、保持技术领先的秘密所在。公司独有的“0.33微米厚度声电转换芯片技术”一些关键技术指标达到了国际先进水平。
2019年5月开始土建
；
8月完成桩基工程，主体施工开始
，
2019年12月23日主厂房封顶。预计2020年投产
。
2018年10月18日，士兰微厦门12英寸特色工艺芯片生产线举行开工典礼。
12英寸特色工艺芯片项目总投资170亿元，建设两条以MEMS、功率器件为主要产品的12英寸集成电路制造生产线。第一条12英寸产线，总投资70亿元，工艺线宽90nm，计划月产8万片，分两期实施：其中一期总投资50亿元，实现月产能4万片，将于2020年投产；项目二期总投资20亿元，新增月产能4万片。而第二条12英寸产线为项目三期，预计总投资100亿元，工艺线宽65nm--90nm。
项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责，公司注册资本为20亿元，其中厦门半导体投资集团以货币出资17亿元，占股85%；士兰微以货币出资3亿元，占股15%。
2019年7月3日，蒋爸尚义正式加盟弘芯；7月4日，主厂房封顶。目前有消息说公司正在商谈14纳米光掩模制版事宜。
2018年9月11日弘芯半导体制造产业园项目举行开工仪式。公司宣称立志成为全球第二大CIDM晶圆厂。（笔者实在不知全球第一大CIDM晶圆厂是哪家公司？）
项目总投资1280亿元，主要从事12英寸晶圆的集成电路制造代工业务。项目计划于2019年上半年完成主厂房工程施工，2019年下半年正式投产。项目一期设计产能月产4.5万片，预计2019年底投产；二期采用最新的制程工艺技术，设计月产能4.5万片，预2021年第四季度投产。
公司表示，主要运营逻辑先进工艺、成熟主流工艺、以及射频特种工艺，并持续研发世界先进的制程工艺。
2019年
12
月
25日三星西安基地二期二阶段正式开工建设。预计2021年投产。
2019年12月10日，三星西安基地二期二阶段投资正式启动，预计投资达80亿美元，规划月产能7万片。
三星西安基地二期一阶段月产能6万片，已经日前开始投片试产，将于2020年3月正式量产。
目前正在浇土建筏板，整体进度相对迟缓！原预计2020年第三季投产的时间表应该要推后。
2018年10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工。
据介绍，紫光成都存储器制造基地项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。据悉，项目全部建成将可形成月产芯片30万片。
芯恩（青岛）集成电路项目正在建设特色型工艺的8英寸集成电路生产线一条，国内最先进数模混合工艺的40纳米12英寸集成电路生产线一条，国内最先进14纳米光掩膜版生产线一条，芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片32位MCU集成电路设计团队。
2018年3月30日，宁波芯恩半导体科技有限公司和青岛西海岸新区管委、青岛国际经济合作区管委、青岛澳柯玛控股集团有限公司签署框架协议，打造中国首个CIDM集成电路项目；2018年4月6日完成项目立项备案，4月18日项目公司完成注册，注册名称为芯恩(青岛)集成电路有限公司（注册资本12.5亿元，实缴资本2.231亿元），4月25日完成首笔资金注入；2018年5月18日芯恩集成电路项目举行开工典礼；2018年12月13日，签署投资合作协议。
芯恩（青岛）集成电路项目分两期建设，总投资约188亿元。项目开工日期为2018年8月12日，工程接收日为2019年12月26日，工期总日历天数为501日历天。
泉芯集成12英寸晶圆制造线
于2019年第一季度开工建设。目前到位资金约50亿。
泉芯集成
12英寸晶圆制造线计划采用12nm/7nm的工艺节点。
股东包括逸芯集成技术（珠海）有限公司80%、济南高新控股集团有限公司10%、济南产业发展投资集团有限公司10%。
逸芯集成技术（珠海）有限公司2018年11月28日成立，注册资本1亿元人民币。注册地是珠海市横琴新区宝华路6号105室-64419(集中办公区)。法定代表人是曹山。高管信息包括：夏劲秋总经理。
2019年10月28日宣布8英寸项目厂房封顶，12月27日高调宣布首台设备Olympus AL3120搬入。经咨询，
Olympus AL3120
是一台显微镜。
芯恩（青岛）集成电路项目正在建设特色型工艺的8英寸集成电路生产线一条，国内最先进数模混合工艺的40纳米12英寸集成电路生产线一条，国内最先进14纳米光掩膜版生产线一条，芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片32位MCU集成电路设计团队。
2018年3月30日，宁波芯恩半导体科技有限公司和青岛西海岸新区管委、青岛国际经济合作区管委、青岛澳柯玛控股集团有限公司签署框架协议，打造中国首个CIDM集成电路项目；2018年4月6日完成项目立项备案，4月18日项目公司完成注册，注册名称为芯恩(青岛)集成电路有限公司（注册资本12.5亿元，实缴资本2.231亿元），4月25日完成首笔资金注入；2018年5月18日芯恩集成电路项目举行开工典礼；2018年12月13日，签署投资合作协议。
芯恩（青岛）集成电路项目分两期建设，总投资约188亿元。项目开工日期为2018年8月12日，工程接收日为2019年12月26日，工期总日历天数为501日历天。
2019年12月25日，赛
莱克斯
北京
8英寸
项目一期开始设备搬入，较原计划有所迟缓。
2018年赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司继续完善核心管理及人才团队，推进8英寸MEMS国际代工线建设项目的建设，2018年11月基础工程建设已部分封顶。项目规划分三期建设。
原2019年第3季度一期达到试生产状态，2020年形成新增产能；二期预计2012年投产；三期预计在2023年投产，2024年力争实现满载，形成年产能38万片8英寸MEMS硅晶圆。
2019年5月21日，上海积塔半导体有限公司8英寸特色工艺生产线项目厂房举行了结构封顶仪式。
积塔半导体特色工艺生产线项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线，还将建设一条6英寸碳化硅生产线，将在国内首家实现12英寸65纳米BCD工艺，建设一条汽车级IGBT专用生产线。
产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。
2018年8月16日，积塔半导体有限公司特色工艺生产线项目正式开工。
2019年2月28日，中芯宁波特种工艺N2项目正式开
工
。
规划月产能45000万。
N2项目位于宁波市北仑区柴桥，项目用地面积192亩，建筑面积20万平方米，项目总投资39.9亿元，建设工期2019年-2021年，2019年计划投资5亿元。
根据规划，N2项目建成后将形成年产33万片8英寸特种工艺芯片产能，同期开发高压模拟、射频前端、特种半导体技术制造和设计服务。
这是中芯支持建设的特色工艺生线。中芯宁波分为N1（小港）与N2（柴桥）两个项目，将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地，采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式，并提供相关产品设计服务平台。
士兰集昕拟对8
英寸
线进行技术改造。本项目利用士兰集昕现有的公用设施，在现有生产线的基础上，通过增加生产设备及配套设备设施，形成新增年产43.2万片8英寸芯片制造能力。
本项目总投资15亿元，建设周期约为五年，分两期进行。其中，一期计划投资6亿元，形成年产18万片8英寸芯片的产能。二期计划投资9亿元，形成年产25.2万片8英寸芯片的产能。
2019年12月12日
，
首批从韩国搬迁的
工艺设备搬入海辰半导体
厂房
。
2019年2月27日，海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂主厂房正式封顶。
2018年7月SK海力士表示，旗下晶圆代工子公司SK海力士系统IC公司与无锡市政府旗下的无锡产业发展集团有限公司组成的合资公司，2018年下半年启动工厂的建设。
海辰半导体项目将建设200毫米晶圆模拟生产线，项目总投资67.9亿，规划年产能126万片8英寸晶圆，主要生产面板驱动IC(DDI)、电源管理IC(PMIC)、CMOS影像感测器(CIS)。
SK海力士系统IC公司负责半导体生产设备，而无锡产业发展集团则负责提供其他必要的基础设施。据悉SK海力士位于韩国清州M8厂的设备将在2021年底前运至无锡。
2019年12月4日，
富能半导体一期项目
成功封顶。
2019年3月15日，富能半导体一期项目举行桩基工程。据悉一期项目投资60亿元，建设月产3万片8英寸硅基半导体功率芯片（MOSFET、IGBT）和月产一千片的6英寸碳化硅功率器件的产能，产品覆盖消费、工业、电网以及新能源车的应用，计划2020年底实现量产。
富能半导体成立于2018年11月8日，法人代表陈昱升，持股40%，另60%的持有人是济南富杰产业投资基金；富能半导体项目规划建设月产10万片的两个8英寸厂及一个月产5万片的12英寸厂。
济南富杰产业投资基金的股东包括济南产业发展投资集团有限公司、思华（北京）投资管理有限公司、富士迈半导体精密工业（上海）有限公司、鸿富晋精密工业（太原）有限公司、讯芯电子科技（中山）有限公司。
富士迈半导体、鸿富晋、讯芯电子都是富士康集团的关联企业，这也说明该项目确实和富士康有一定的关系。
华微电子
8
英寸生产线筹备将近十年，终于有望实现。目前购买设备和厂房建设同步进行。
2019
年4月1日，华微电子公告，拟配股募集资金不超过
10
亿元（含发行费用），扣除发行费用后的净额拟全部用于新型电力电子器件基地项目（二期）的建设。项目建成后，华微电子将具有年产
8
英寸芯片24万片的加工能力。产品包括重点应用于工业传动、消费电子等领域，形成600V-1700V各种电压、电流等级的IGBT芯片；同时包括应用于各领域的具有成熟产业化技术的MOSFET芯片，以及与公司主流产品配套的IC芯片。
华微电子是中国功率半导体器件领域首家主板
A
股上市公司，是飞利浦、松下、日立、海信、创维、长虹等国内外知名企业的配套供应商。
2019年6月15日，据称是由我国最早的半导体制造公司香港兴华半导体工业有限公司投资的山东兴华半导体项目在日照开工。运营主体是5月17日注册成立的山东兴华半导体有限责任公司。
项目计划总投资50亿元，分两期建设，一期计划建设一条年产36万片的5英寸/6英寸的晶圆制造线，二期建设一条8英寸集成电路晶圆制造线。
香港兴华成立1979年，1982年5英寸晶圆生产线开始运营，公司主要提供1.5μm/2.0μm/3.0μm /5.0μm硅栅CMOS、2.0μm低压金属栅CMOS、5.0μm高压金属栅CMOS工艺制程。
兴华半导体为我国培养了大批的半导体工艺制程人才，目前国内很多晶圆生产线的高管都在此工作过。
2018年11月5日，华润微电子与西永微电园签署协议，共同发展12英寸晶圆生产线项目，该项目投资约100亿元，建设12英寸功率半导体晶圆生产线，将主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
根据华润微电子招股说明书显示，公司计划在无锡基地扩建一条8英寸生产线。
积塔半导体特色工艺生产线项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线，还将建设一条6英寸碳化硅生产线，将在国内首家实现12英寸65纳米BCD工艺，建设一条汽车级IGBT专用生产线。
产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。
紫光国芯DRAM存储芯片制造工厂原预计2019年底开工建设，预计2021年建成投产。
但截止目前，
紫光国芯集成电路股份有限公司
还没有注册成立。
2019年8月27日，紫光集团和重庆市人民政府签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。
根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。
2019年6月30日，紫光集团发布公告，成立DRAM事业部。
青岛城芯半导体科技有限公司计划建设一条月产4万片的12英寸模拟集成电路芯片生产线。
2018年7月5日，矽力杰12英寸先进模拟芯片集成电路产业化项目签约，项目共同投资约180亿元人民币，建设一条12英寸模拟集成电路芯片生产线，规划产能每月可达4万片。
据悉，矽力杰半导体项目未来规划建设2条12英寸模拟集成电路芯片生产线，1条8英寸模拟集成电路芯片生产线。
实际上，青岛城芯要建设的12英寸生产线就是矽力杰半导体青岛项目，令人疑惑的是，除青岛项目外，目前有多个地方园区收到矽力杰晶圆厂的计划书。
2019年5月15日，中国华冶科工集团有限公司、中国电子系统工程第二建设有限公司组成联合体与中科晶芯集成电路制造有限公司在成都签订了8寸圆晶厂项目合作意向书，据悉，工厂将在绵阳设立。
2019年6月6日，赣州经开区与名芯有限公司、电子科技大学广东电子信息工程研究院签订三方合作框架协议，总投资200亿元的名芯半导体项目顺利落户。
据悉，项目分两期建设：一期投资60亿元，建设一条8英寸功率晶圆生产线；二期投资120-140亿元，规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线。
项目涉及的产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等，覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。
同时，项目规划建设与晶圆关联的封测工厂、IC设计公司、微电子研究院等三个项目。
目前项目处于
事实
停工状态
，
工地已经是草长莺飞。
2018年9月30日，紫光南京半导体产业基地项目项目开工，总投资300亿美元。据悉，南京基地原计划生产64层3D NAND芯片。
项目一期投资约105亿美元，月产芯片10万片，主要产品为3D NAND Flash、DRAM存储芯片等。预估项目全部建成将可形成月产12英寸3D NAND存储器芯片30万片。
2019年
初
，格芯（成都）集成电路制造有限公司已经事实停摆。
2018年10月26日，格芯与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案。基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案，以及与潜在客户的商议，将取消对成熟工艺技术（180nm/130nm）的原项目一期投资。同时，将修订项目时间表，以更好地调整产能，满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的22FDX技术。
2017年2月10日，格芯宣布正式启动建设12英寸晶圆成都制造基地，推动实施成都集成电路生态圈行动计划，投资规模累计超过100亿美元，其中基础设施是93亿美元，其余为基础设施和生态链的建设，力争打造中国大陆单一逻辑产品产能最大的12寸工厂。
格芯12寸晶圆代工厂分两期建设，第一期0.18um和0.13um，技术转移来自GF新加坡，2018底预计产能约2万每月；第二期为重头戏22nm SOI工艺，2018年开始从德国FAB转移，计划2019年投产，预计2019年下半年产能达到约6.5万每月。
2018年4月28日生产线核心设备尼康（Nikon）光刻机（S308/S206）进厂安装，其中S308可满足65纳米工艺生产，S206可满足110纳米工艺生产。
德淮半导体有限公司是一家专注于CMOS影像传感器的半导体公司，总投资预计约500亿人民币。规划建设三个12英寸CMOS图像传感器专属晶圆厂。项目首期预计投入150亿元，为年产24万片的12英寸晶圆厂。
2016年1月19日公司注册成立；2016年3月27日12英寸晶圆厂破土动工；2016年4月1日在日本成立芯片设计公司；2016年12月与意法半导体签署工艺授权；2016年12月与安森美半导体签署CIS产品和技术授权；2017年6月公司举行封顶仪式。
2019年，工地现场已经人去楼空，厂房已经成为烂尾楼。
2015年10月，德科码（南京）半导体科技有限公司成立，服务于南京半导体项目筹建；并与南京经济技术开发区签署并执行南京8
英寸
和12
英寸
晶圆厂项目。
2015年11月27日项目签约，总投资25亿美元。项目将分期建设，一期项目为8英寸晶圆厂一座，规划月产能40000片晶圆，以电源管理芯片、微机电系统芯片生产为主。2017年8月21日宣布获得以色列TowerJazz技术支持。
一期建设8
英寸
晶圆厂，总投资5亿美元，以自主设计的图像传感器芯片制造为主，预计投产后产能可达4万片/月；二期项目为12
英寸
晶圆厂，总投资20亿美元，投产后产能可达2万片/月。
2016年6月8日项目奠基，2017年2月全面启动厂区土木与机电建设工程。2018年2月举行上梁仪式。
据悉，地方政府已经推出一系列优惠政策，希望有公司可以接手该项目。
2019年4月盱眙政府表示，现阶段，中璟项目的推进工作有了一定的成效，但还未形成规模，盱眙会进一步落实项目主体责任，助推项目取得实质性的发展。
2017年，中璟航天半导体8英寸晶圆制造项目落户小龙虾之乡淮安市盱眙县，盱眙成为全国第三个引进8英寸生产线的县城。
据悉，项目晶圆制造为核心，打造半导体全产业链全域化、国家级半导体产业基地，创建以产学研、创融投相结合的共融共生全生态循环经济发展模式，实现真正的“中国芯”。当时项目方表示，项目总投资120亿元，其中两条年产24万片8英寸CIS晶圆制造厂的投资为60亿元，原预计将于2018年12月底前竣工投产。
2018年4月在南京举行的“2018中国半导体市场年会暨第七届集成电路产业创新大会”上，中璟航天获得赛迪顾问颁发的“最具成长力企业奖”和“投资新锐奖”两个奖项。
中璟航天实力如何，笔者不得而知。但是中璟航天确实是高调。
2017年3月11日，中璟航天半导体宣布投资近40亿美元的12英寸CIS晶圆厂落户成都郫都区，没有下文；2017年4月22日宣布投资60亿元半导体生产基地项目落户广东江门市开平翠山湖科技园，无疾而终；2018年4月28日，江苏发布了《2018年省重大项目名单》，在第二部分“前期工作项目”中，我们也发现有“如皋中璟航天第三代化合物半导体”，没有动静了。
（
士兰明镓
，6
/4
英寸，砷化镓/
氮化镓
）
士兰化合物半导体生产线项目于2019年12月23日投产，计划7款产品逐步投入量产，将于2021年达产。
士兰化合物半导体项目由厦门士兰明镓化合物半导体有限公司负责实施运营，公司注册资本为8亿元，其中厦门半导体投资集团以货币出资5.6亿元，占股70%；士兰微以货币出资2.4亿元，占股30%。
项目总投资50亿元，建设4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线，主要产品包括下一代光模块芯片、5G与射频相关模块、高端LED芯片产品。分两期实施，其中，项目一期投资20亿元，2019年底投产，2021年投产；项目二期投资30亿元，计划2021年启动，2024年达产。
2018年10月18日，项目举行开工典礼；2019年4月主厂房封顶；6月进入设备安装调试阶段，砷化镓与氮化镓芯片产品已分别于10月18日、12月10日正式通线点亮。
201
9
年8英寸硅基氮化镓生产线产能进一步提升
，
公司现有三台
世界领先的针对8英寸硅基氮化镓外延的产业化设备
G5+ MOCVD机台
。
2017年11月9日，英诺赛科（珠海）科技有限公司8英寸硅基氮化镓生产线通线投产。主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶圆及100V-650V氮化镓功率器件。
株洲中车时代半导体有限公司成立于2019年1月18日，承接株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部的现有资产、负债及业务。专业从事大功率半导体器件的研发与制造，是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一，全面掌握晶闸管、整流管、IGCT（集成门极换流晶闸管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、SiC（碳化硅）器件及功率组件全套技术。
2018年1月，在中国科学院微电子研究所的技术支持和协助下，株洲中车6英寸碳化硅（SiC）芯片生产线顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件均已完备，可实现4英寸及6英寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发与制造。这是国内首条6英寸碳化硅生产线。
生产厂房2017年8月交付使用，12月SiC芯片生产线便完成了工艺设备技术调试，2018年1月首批芯片试制成功。
2019年5月，苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成。
苏州能讯高能半导体有限公司3英寸氮化镓器件生产线于2011年开始建设；2013年试生产，2014年投产，2015年开始批量生产。2017年开始转换4英寸。
能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。目前完成了面向5G通信系统的技术与产品的积累，产品性能已通过国际一流通讯企业的测试与认证。
2017年11月15日公司生产线正式投产后，产能一直在稳定提升中。
江苏能华微电子科技发展有限公司是专业设计、研发，生产、制造和销售以氮化镓（GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。
2019年
8
月
29
日主厂房封顶，预计
12
月底生产设备正式进厂，
2020
年投产。
2018年6月23日开工，计划在5年内完成投资60亿，达产后，月产能达6万片。项目将聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，目标是打造一个包括理论研究、材料研发与制造、器件设计、芯片制造、封装测试、失效分析和应用验证等全产业链半导体研发基地。为5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、电子信息、大数据等领域提供更先进的、高效、节能和低成本的核心半导体芯片。
2018年2月1日，北京世纪金光半导体有限公司6英寸碳化硅器件生产线成功通线。截止目前，工艺还在调试中。
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月24日，其前身为中原半导体研究所。公司主营宽禁带半导体晶体材料、外延和器件的研发与生产。
2019年12月4日，
富能半导体一期项目
成功封顶。
2019年3月15日，富能半导体一期项目举行桩基工程。据悉一期项目投资60亿元，建设月产3万片8英寸硅基半导体功率芯片（MOSFET、IGBT）和
月产一千片的6英寸碳化硅功率器件
的产能，产品覆盖消费、工业、电网以及新能源车的应用，计划2020年底实现量产。
富能半导体成立于2018年11月8日，法人代表陈昱升，持股40%，另60%的持有人是济南富杰产业投资基金；富能半导体项目规划建设月产10万片的两个8英寸厂及一个月产5万片的12英寸厂。
济南富杰产业投资基金的股东包括济南产业发展投资集团有限公司、思华（北京）投资管理有限公司、富士迈半导体精密工业（上海）有限公司、鸿富晋精密工业（太原）有限公司、讯芯电子科技（中山）有限公司。
富士迈半导体、鸿富晋、讯芯电子都是富士康集团的关联企业，这也说明该项目确实和富士康有一定的关系。
积塔半导体特色工艺生产线项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线，
还将建设一条6英寸碳化硅生产线
，
将在国内首家实现12英寸65纳米BCD工艺，建设一条汽车级IGBT专用生产线。
产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。
2018年7月30日，北京双仪微电子科技有限公司宣布拟投资10亿元，租赁北京燕东微电子科技有限公司的部分厂房建设具备规模化量产能力的先进工艺技术生产线，进行6英寸砷化镓微波集成电路（GaAs MMIC）芯片的代工服务，该项目预计于2019年初投产使用，规划每月2万片产能。
北京双仪微电子科技有限公司是一家技术初创公司，旨在为5G和IoT毫米波市场领域所遇到的挑战开发出新的解决方案，提供高性能的射频组件。
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