大陆功率半导体未来可期

2019-12-05 14:00:22 来源: 半导体行业观察

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全球功率半导体市场竞争格局较为分散，全球前五大厂商包括Infineon、ON Semi、STM、Mitsubishi、Toshiba等市占率合计仅超过4成，而高阶产品主要由美欧日厂商所垄断，中国本土业者多是以低阶市场的经营为主，且整体功率半导体自给率偏低，主要是中国企业起步晚、技术水准较低、产品线较不齐全、企业规模小等，显然中国在功率半导体市场尚处于追赶状态。

不过由于中国大陆为全球最大的功率半导体消费地区，2020年将持续高于4成，况且功率半导体的应用范围已从传统的工业控制和4C产业（电脑、通讯、消费类电子产品、汽车），扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域，而中国在热点应用领域积极展开布局，皆可望成为功率半导体行业的突破口，故未来中国功率半导体的发展空间可期。

事实上，2020年中国功率半导体发展重心端看国产化替代趋势的演进，主要是在美中僵持持续的刺激，以及中国执行半导体自主可控的战略安全性原则、政府政策与产业基金或地方政府成立集成电路投资基金大力支持下，将加速发展，尤其是功率半导体器件在中国的工业、消费、军事等领域都有广泛应用，具有很高的战略地位，故对岸功率半导体自主可控之路势在必行，其中部分子领域有机会获得突破。

由于欧美发展战略已转向汽车电子、物联网等高毛利率领域，并逐步退出功率二极体业务，而台系厂商追求稳健营运，反而产能扩充相对保守，反观中国大陆功率二极管具备高性价比、凭借较强成本控制能力在中低端领域逐步打开市场、贴近中国巨大的下游市场、回应需求速度快、服务到位等业务优势，因而在本土需求庞大、国产替代确定、产能持续开出之发展策略下，中国功率二极管可望承接全球产能移转的态势。

至于MOSFET、IGBT等中国仍在寻求突破的契机，显然在功率半导体行业，中国企业尚有很大的追赶空间，不过至少低压领域的MOSFET可望实现替代，而中国IGBT发展时间较晚，但基本上已形成完整产业链，在消费电子、汽车等领域具备自己供给能力下，期待未来华虹、华润微电子、中车、东光微、士兰微等厂商在IGBT的发展进程；仅是先前透过外延购并方式取得技术及市场的策略，在国际氛围越来越热衷于技术及贸易保护政策下，中国企业过去的海外收购方式未来较难以复制。

至于新一代的化合物半导体，代表材料包括SiC、GaN，前者多用于高压场合如智能电网、轨道交通，后者则在高频领域有更大的应用（如5G等），中国虽已积极展开布局，但毕竟起步时间较晚，因而短期内中国与国际技术差距仍大。

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