[原创] Intel高管谈未来：5nm采用新晶体管？
2019-11-05
14:00:08
来源: 半导体行业观察
来源：本文由公众号半导体行业观察（ID：icbank）翻译自「
barron
」，作者：Tae Kim，谢谢。
英特尔在过去两个季度的强劲收益报告中均处于火爆状态。但是，这家芯片制造商正面临着来自Advanced Micro Devices（AMD ）和 台积电 （TSA）的日益激烈的竞争 。
尽管如此，该公司的首席财务官仍然认为，英特尔已做好应对新挑战的有利条件，这给该芯片制造商带来了光明的未来。
10月下旬，英特尔报告了9月份季度收益，超出了华尔街的预期。该公司报告调整后的第三季度每股收益为1.42美元，而华尔街的平均预期为1.23美元。收入192亿美元超出预期的181亿美元。此外，这家芯片制造商的2019年指导方针超出了华尔街全年的预期。
当时，英特尔还表示，其云计算客户的需求有所改善。九月份季度，其云计算部门的销售额同比增长了3％，而上一季度则下降了1％。
上周五，今年4月被任命为英特尔首席财务官的乔治·戴维斯（George Davis ）被巴伦（Barron）的办公室停下来，并为该公司令人振奋的未来打了基础。
问：英特尔的云计算业务在9月份季度有所改善。但是自该报告发布以来，我们已经有了几个与软云相关的数据点-包括 Arista Networks 糟糕的指导以及 Facebook 的 资本支出预测低于预期。这些公告使您感到惊讶吗？
戴维斯（Davis）：
我无法对任何一个特定客户和那里的特定需求发表评论。Facebook（FB）可以说他们想要的任何内容。
但这不会改变我们对下一季度前景的看法。我们与整个生态系统有着密切的联系。我们试图从与客户直接进行的讨论中反映出最佳估计。
问：英特尔的毛利率同比大幅下降。您如何看待未来每2到2.5年的新制造节点节奏产生的毛利率？[英特尔已经表示打算以更快的速度转向下一代芯片制造技术]
戴维斯（Davis）：
我们仍然热衷于毛利率。从资本效率到我们设计产品的方式，无所不包。
不过，我们所说的10纳米的延迟意味着一段时间内我们在单位成本上将处于不利地位。实际上，我们为2021年的毛利率提供了指导，以帮助人们了解
2023年是我们最终的指导时期，那时我们将看到非常强劲的收入增长和利润率扩张。我们必须度过这个时期，因为我们没有在所处的节点上对10纳米进行一些后期调整，因为我们没有对它进行优化。
但是，到那时，我们将在下一个节点上进行为期两到两年半的节奏。因此，我们正在增加7纳米的支出，该支出将于2021年下半年开始，因为我们认为竞争是正确的做法。
因此，我们现在进行的投资使我们的效率降低了一点，并体现在了毛利率上。
问：我的行业联系人说，AMD的新罗马服务器芯片在客户中获得了良好的吸引力。您能否评论未来几年与AMD的芯片阵容和台积电的芯片制造技术相比的竞争格局？
戴维斯（Davis）：
我们说过，我们预计在未来18到24个月内将加剧竞争。我们的观点反映了这一点。自从我们在5月份做出了长期预测以来，我们对竞争和影响的性质的看法并没有真正改变。
问：对于英特尔未来几年的未来技术，您最兴奋的是什么？大技术趋势是什么？
戴维斯（Davis）：
我对AI感到非常兴奋。AI的发展将反映出向5G转移的所有用例以及设备之间的信息量。
让我举个例子。Mobileye（英特尔于2017年收购了Mobileye。该公司设计基于视觉的高级驾驶员辅助芯片和系统）既涉及出色的硬件技术，也涉及非凡的软件。我们正在投入大量资金，而且很快就被采用了，以至于在短期内这实际上是一个诱人的回报，而从长远来看却是非常诱人的。
如果您在第二级和第三级[自动驾驶]上赢得设计大奖，那么Mobileye在全球处于领先地位。
戴维斯（Davis）：
英特尔具有的竞争优势之一是将AI嵌入到至强处理器里。考虑到我们在其中添加的功能，您可以得到9倍于竞争对手的功能，这是因为它已经过优化，并且我们已经这样做很长一段时间了。
人工智能尚处于发展初期。我们有多个赌注，因此我们从多个角度进行研究。能够查看哪个投资组合的解决方案对我们的客户更有价值。
回到Bob Swan和10nm，7nm，5nm和3nm。
在最近的电话会议中，鲍勃提到英特尔将重返Tick-Tock两年的计划，其中Tick是一个新制程，Tock是一个新产品架构。
以下是鲍勃评论：
英特尔10纳米产品时代已经开始，我们的新型第10代Core Ice Lake处理器正在引领潮流。
在第三季度，我们还交付了首批10纳米Agilex FPGA。
到2020年，我们将继续通过激动人心的新产品扩展我们的10纳米产品组合，这些新产品包括AI推理加速器，5G基站SoC，用于服务器存储和网络的至强CPU和独立的GPU。
本季度，我们实现了首个独立GPU DG1的推出，这是一个重要的里程碑。
按原定按计划，我们将在推出10纳米两年后，也就是2021年推出首款基于7纳米的GPU，这是一个面向数据中心的独立GPU。
当然，我们还在5纳米的工程路线上走得很好。
回到分析日，我们尝试了很多细节，其中之一是我们从10挑战中汲取的经验教训，以及我们在思考时如何捕捉这些经验教训接下来的两代人。
但是首先，我们现在的关注点和精力在扩展10纳米 左右。
而且，正如我们所说，在过去六个月中，我们对现有产能，即将投入生产的产品以及正在实现的收益感到非常满意。
因此，对于10纳米，我们感觉真的很好。
其次，当我们将设计规则应用于7纳米时，我们在密度方面不那么积极。
我们从14nm到10nm的学习是有后见之明的，那时我们试图以2.7的比例进行扩展，这就导致最终在工厂环境中投入了太多的发明或革命性的节点，而无法满足此类要求。
我们从中吸取教训是，当您注意到动态变化变得越来越具有挑战性时，我们无法达到那些真正激进的目标。
从10nm中，我们学到了很多东西。
我们过渡到10nm，我们将其纳入7nm，设计规则减少了复杂性，并且在最近几年中，我们一直在投入EUV。
光刻是挑战。
我们已经使用了几年的EUV，并且我们希望在规模达到7nm时使用EUV。
我们表示，我们的第一个产品将在本季度起两年后使用。
因此，到2021年第四季度，我们的首款7纳米产品将会问世，我们的期望是，我们将从7nm以后的产品中恢复两年的节奏。
我们已经从10纳米中学到了很多东西，我们在5月份就说了，今天我们重申了这一点，我们希望至少可以回溯到两年到两年半的节奏。
接下来的几个节点。
Bob Swan强调，英特尔的底线是在没有EUV的10nm工艺上拥有2.7倍的缩放率，设计规则对于工艺成熟度而言过于复杂。
经过四年的延迟，Intel 10nm终于进入了HVM，而7nm也在顺利进行中。
EUV在台积电（TSMC）的HVM中，台积电（TSMC）进行了繁重的EUV提升，因此我有信心英特尔有望在2021年2H获得7nm工艺。
英特尔7纳米将为FinFET，但英特尔5纳米将为（horizontal nanosheets）和英特尔3纳米CFET。
绝对是英特尔未来的有趣时刻！
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