三星投资140亿美金在西安建内存产线？

2019-05-18 14:00:07 来源: 半导体行业观察

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新华社西安5月17日电（记者李华、薛天）记者近日从位于西安高新区的三星（中国）半导体有限公司采访了解到，三星半导体高端存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元。二期项目已于2018年3月开工建设，预计今年7月份建成，2020年一季度实现量产。

三星（中国）半导体有限公司副总裁池贤基在采访中说，三星半导体的存储芯片二期项目分为两个阶段，第一阶段投资70亿美元，第二阶段详细计划还未出炉，但预计会超过70亿美元，总投资将超过140亿美元。

2012年，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，生产“V－NAND”闪存芯片。一期项目于2014年5月竣工投产。“一期项目计划投资70亿美元，实际总投资超过了100亿美元。”池贤基说。

据介绍，直接在中国生产“V－NAND”闪存芯片，将使三星更有效率地应对市场的变化和顾客的需求。池贤基说，三星半导体继续投建二期项目，表示他们对中国经济很有信心。

三星回应，投资规模尚未决定

据路透社报道，三星电子今日表示，关于在中国西安市建立第二条内存芯片生产线的投资规模，目前尚未确定。今日早些时候曾有报道称，三星半导体高端存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元。二期项目已于2018年3月在西安开工建设，预计今年7月份建成，2020年一季度实现量产。

早在2017年，三星曾宣布，未来三年内向其西安工厂投资70亿美元，用于生产NAND闪存芯片。

对此，三星今日向路透社表示：“位于西安的第二条生产线的二期投资规模尚未确定，这还要取决于市场条件。”

受芯片价格下跌的影响，三星今年第一季度的利润创下了两年来的最低水平。

责任编辑：Sophie

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