2019年NAND Flash产业大洗牌

从2017年供不应求的荣景，NAND Flash市况在2018年进入风云变色的调整期，生产业者持续扩大64层3D TLC NAND供货，新一代制程技术及更大容量规格正伺机而出，供过于求与终端市场买气不足，导致2018年NAND Flash跌价幅度超过6成。

到2018年底，每GB价格已下探至0.08美元，逐渐逼近部分厂商的成本价，在跌价、扩产等多重因素影响下，2019年市况风云诡谲，供应链洗牌淘汰赛一触即发，也为全球产业的竞合局势更加增添烟消四起的氛围。

NAND位元产出连年成长 终端市场乱象横生

DRAM与NAND Flash存储器市场在过去几年几经产业跌宕，在供过于求压力下，2015~2016年市价下滑，2017年再度风生水起、涨势不止，然而产业荣景未如预期延续，各家大厂竞相强化投资规模，3D NAND Flash新增产能开出，市场需求却成长平缓，加速2018年全球NAND Flash价格一路走跌。

受到技术与良率瓶颈，2018年3D NAND良率提升速度并不如预期顺利，因而导致次级品在外流通销售，进而干扰市场价格，对应至终端应用，消费型SSD市场首当其冲。

从2017年12月中~2018年第3季跌价幅度已经逾5成，120G SSD价格超跌下探0.2美元／GB关卡，质量参差不齐的问题延续至第3季，至于240GB和480GB价格在2018年累积跌幅也分别超过4~5成以上。

业界原先期待在第3季传统旺季效应下，NAND Flash价格有望止跌反弹，不料智能型手机出货平淡、换机热潮难再重现以及PC市场饱和等因素，导致旺季不旺，而供应端的64/72层3D NAND产出增加，供给过剩库存无法顺利去化，第3季平均合约价格跌幅达10~15%。

相较于第3季市况呈现价跌量增，到了第4季进入了价量齐跌的局面，美中贸易战升温的市场忧虑、英特尔(Intel)CPU缺货以及苹果(Apple)新机销售欠佳，终端预期跌价心理因素，加速了第4季合约价跌幅扩大，业界估计，从年初至第4季的NAND Flash跌幅约达6成，远超过年初预期。

据DIGITIMES Research估计，NAND Flash位元出货量从2017年起连续呈现3~4成的成长率，包括在2017年成长36%、2018年拉升至成长43%，即使业界预期，2019年NAND Flash价格将会进一步走跌，但依旧有更多产能前仆后继投入，预计2019年位元出货量仍达到39%，整体市场延续供过于求风雨欲来。

96层堆叠迈向主流 QLC量产带来容量价格战

NAND Flash技术制程的升级，在强化了个别企业的竞争力之余，也发挥了大容量及储存密度的成本优势，国际大厂如三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)与威腾(WD)、美光(Micron)、英特尔、SK海力士(SK Hynix)投入军备竞赛的战线延长。

目前3D NAND已是各大原厂主要量产制程，其中，三星3D NAND约占85%、东芝与威腾为75%、美光达到90%，SK海力士也达到60%，2018年下半起，部分业者已转向96层堆叠迈进，单颗Die容量也迈入1Tb(128GB)。

各家NAND业者大举进攻新世代制程，2018年也是QLC(4bit/cell)架构量产元年，相较目前TLC NAND，QLC NAND技术的位元密度高出了33%，将可发挥高容量优势。

其中美光抢得业界先发量产，首先将64层QLC产品推入企业级应用，锁定服务器市场，而三星也不甘示弱切入消费性电子市场，并推出1Tb QLC SSD新品，后续再推出企业用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD产品价格，比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD约便宜40%左右，俨然透露出积极价格攻势的强烈企图。

部分反应较快的厂商早，已嗅到大容量价格战的到来，从年中起陆续降价出清库存的中小型容量SSD，试图降低QLC带来的冲击，接下来SK海力士、威腾与东芝也将各自推出自家的QLC产品，容量最高可达单颗4TB的储存量，TB级SSD时代即将来临。

不过先前一度传出64层QLC良率偏低，QLC晶粒良率仅约5成左右，以此估计，2019年上半恐怕将再度重演2018年市场次级品拖累价格的梦魇，且QLC制程更为困难，估计业界改善量产良率的时间可能会再拖长。

大陆存储器业者崛起　NAND扮演领头羊

据大陆市调公司统计，2018年全球半导体市场规模达到1,500亿美元，其中NAND Flash超过570亿美元，而大陆市场消耗了全球产能的32%，这意味着大陆已成为全球主要的市场，为了摆脱长期对外采购的依赖，大陆存储器芯片自主发展成为当务之急。