Globalfoundries首个300mm硅锗晶圆的晶振频率高达370GHz

2018-12-04 14:02:27 来源: 半导体行业观察

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8月底Globalfoundries（格罗方德，简称GF）公司宣布放弃7nm及节点工艺研发，专注目前的14/12nm FinFET及22/12FDX工艺。这一变化导致AMD将7nm工艺的CPU、GPU芯片订单全部交给台积电代工，另一家公司IBM也选择台积电代工未来的Power处理器。GF放弃7nm工艺虽然让他们无法参与未来高性能CPU/GPU竞赛，不过对GF自己来说这次可以说甩掉了负担，现在他们专注更赚钱的RF射频芯片业务了，上周GF宣布推出业界首个300mm硅锗晶圆工艺，该技术提供出色的低电流/高频率性能，改善了异质结双极晶体管(HBT)性能，与之前的硅锗 8XP和8HP相比，最大振荡频率(Fmax)提高了35％，达到370GHz。

硅锗晶圆是一种特殊的半导体工艺，传统半导体是硅基晶圆为主，不过金属锗具备优秀的电气性能，成本与硅晶圆相当，比砷化镓工艺更低，在FR射频芯片中使用较多，该技术是IBM发明的，但GF公司收购了IBM的晶圆业务，继承了IBM在硅锗晶圆技术上的衣钵并发扬光大，这次推出的300mm硅锗晶圆就是业界首次，因为之前的硅锗晶圆主要使用200mm晶圆。

该工艺被称为9Hp（一种90nm硅锗工艺），相比目前的8XP/8HP使用的130nm工艺，9Hp工艺还提升到了90nm水平，其生产工厂迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂以实现300mm晶圆生产技术。

GF的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势，支持微波和毫米波频率应用高数据速率的大幅增长，适用于下一代无线网络和通信基础设施，如TB级光纤网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器仪表和防御系统。该技术提供出色的低电流/高频率性能，改善了异质结双极晶体管(HBT)性能，与之前的硅锗 8XP和8HP相比，最大振荡频率(Fmax)提高了35％，达到370GHz。

在纽约东菲什基尔的Fab 10工厂，正在进行基于多项目晶圆(MPW)的9HP 300mm工艺客户原型设计，预计2019年第二季度将提供合格的工艺和设计套件。

在退出7nm高性能工艺节点研发之后，RF射频芯片相关的业务已经称为GF公司的重点。

责任编辑：Sophie

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