国产唯一，诺思两款FBAR工艺LTE频段双工器正式发布

2018-11-15 14:00:05 来源: 半导体行业观察

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国内首家薄膜体声波（FBAR）芯片制造商诺思（天津）微系统有限责任公司（以下简称诺思），近日在第二届重庆国际手机博览会上发布了基于FBAR工艺的两款中高频LTE频段双工器，RSFD1702C及RSFD2502C。

诺思副总裁蒋浩在展会上说，自2014年开始大批量交付以来，诺思已经向全球 100余家客户供应了射频滤波芯片近 1亿颗，广泛应用于各类3G/4G无线智能终端、导航终端及设备、基站、卫星通讯、物联网终端等领域。

蒋浩谈到，公司研发团队在FBAR领域17年持续、不间断努力，不断提升产品设计能力和制造工艺能力。截止到今天，公司仍然是国内唯一掌握自主知识产权，唯一实现大批量交付，且各项性能指标全部达到甚至部分超过国际同行业水平的公司。2019年诺思工厂交付能力将达到20亿颗/年。

本次在展会上诺思发布的双工器，预计将在2018年12月大批量交付市场。同时蒋浩还透露，今年年底前诺思还将发布一款高功率全频段滤波器产品和针对5G新频段的滤波器样品。

RSFD1702C 采用最新的技术和工艺，保证滤波器具有优良的上行/下行通带插损性能。上行通带整体插损性能优于-2.4dB, 通带中央插损-1.1dB，同时具有较高的功率容量。下行通带中央插损约-1.5dB, 同时具有较高的功率容量，可应对基站应用的需求。同时，该款产品具有较高的上行/下行之间的隔离度性能，达到-55dB以下。该产品还采用了先进的芯片倒装封装工艺，产品尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm，以适用于客户对系统空间不断提高的要求。

RSFD2502C 具备了FBAR滤波器高滚降，高功率，1000V以上的防静电击穿能力（ESD）的特点，与此同时以更小尺寸为客户节省更多的集成空间。性能方面RSFD2502C的发射端（Tx Port）提供了右侧的高抑制度，全温通带内（-20℃~+85℃）低插入损耗，主要体现在工作状态下高耐受功率的特性。接收端（Rx Port）提供了全温通带内（-20℃~+85℃）的低插入损耗和发射端（Tx Port）的高隔离度，为应用环境提供了优秀的灵敏度。

责任编辑：Sophie

RSFD1702C 芯片制造