10纳米DRAM制程竞争升温，SK海力士、美光加速追赶三星
10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y)制程DRAM，目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度，追赶三星，预计2019年起将陆续展开第二代10纳米(1y)制程DRAM量产。
据韩媒News 1的报导，SK海力士预计2018年底前，完成第二代10纳米(1y)制程开发，2019年起投入1y纳米制程DRAM量产。目前SK海力士大陆无锡厂，正在进行无尘室扩建工程，预计2018年底完工后，就可开始建立1y纳米制程量产体系。
SK海力士从2018年起正式投入第一代10纳米(1x)制程量产，上半年1x纳米DRAM制程比重占所有DRAM产品的20%以上。业界认为SK海力士10纳米级DRAM制程比重，在2019年的比重将超过半数。
美光也传出将从2018年底左右导入1y纳米制程量产。美光2018年初已开始量产1x纳米制程DRAM，年底可望进入1y纳米制程初步生产阶段，2019年正式量产1y纳米制程DRAM，2020年计划进入1z纳米制程。
业界认为，从20纳米进入1x制程已相当不容易，接下来的10纳米级1y及1z制程就更为困难，如何在转换至更先进制程的同时确保量产效率，成为关键。
面对SK海力士及美光在10纳米级DRAM制程上的全速追赶，DRAM龙头三星，正全力拉大与追兵的领先差距。2017年11月三星率先宣布量产1y纳米制程的服务器DRAM，2018年7月又将1y纳米制程用于Mobile DRAM。
三星相关人士表示，2018年底三星10纳米级DRAM产品比重，将占全体DRAM产品的70%以上，以投入晶圆为基准，目前10纳米1x制程比重已经超过一半，三星掌握市场主导权，领先竞争对手1年左右，预计2019年可完成第三代10纳米(1z)制程开发。
此外，10纳米以下的次世代DRAM，三星计划导入极紫外光(EUV)设备制程。稍早2018年2月起，三星平泽厂，已开始着手建立EUV专用生产线，以目前施工进度来看，最快2019年上半，就可陆续移入生产设备，并且可望于2019下半年或2020年初进入试产阶段。
另一方面， DRAM市场最近不断传出负面看法，加上中 美 贸易战不断扩大战火，DRAM市场前景笼罩不安，再加上Q4是传统的淡季，未来价格持续走跌的可能性相当大。 此外，三星及SK海力士也曾预测，认为2018年Q4至2019上半年，DRAM市场需求的成长走势将出现钝化。
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