南亚科：DRAM需求保守，将下调资本支出

DRAM大厂南亚科今昨日公布第3季财报，展望后市，南亚科总经理李培瑛不讳言，第4季DRAM需求相对前半年保守，预期单季平均销售单价可能下滑5%左右，PC需求为目前唯一表现趋缓的应用，且由于第3季DRAM供应商增加投片量，南亚科已下修今年资本支出逾1成，明年仍得视国际局势变化，预期价格将在合理范围内缓跌。

展望第4 季，李培瑛表示，受到美中贸易战与CPU 短缺影响，第4 季DRAM 需求相对前半年保守，目前现货市场已走跌，预期第4 季平均销售单价可能微幅下滑、约在5 % 上下，惟贸易战规模与延续时程尚未确定，DRAM 市场长期走势仍须密切观察。

不过，李培瑛强调，南亚科致力使产品组合多元化，这是最关键的执行方针，将努力维持毛利率跟营益率，且若能将产品线最佳化，就有机会维持相对较高的平均售价。

从各应用别需求来看，李培瑛指出，目前手机与伺服器市场健康，手机部分，双镜头已成主流，后续以多镜头为主，手机产品差异化主要倚赖记忆体规格升级，目前Android 旗舰机种主流记忆体容量为6GB-8GB，苹果OLED 新机种则导入4GB。

伺服器部分，李培瑛表示，伺服器记忆体为所有市场区块中，成长力道最大的，云端服务与各产业对伺服器需求持续发酵，中国伺服器需求年增23%，北美四大资料中心需求稳定成长，全球伺服器年增率约11%，平均记忆体容量持续增加，预期伺服器用记忆体总需求年增超过3 成。

南亚科8Gb DDR4 伺服器产品近期已获美系资料中心大厂验证通过，第4 季将推出LPDDR4/4X 产品线并小量出货，李培瑛表示，南亚科今年又再度取得验证，重回伺服器市场，盼能在伺服器市场持续推进。

消费型电子产品部分，李培瑛指出，电视与机上盒、智慧音箱与SSD 仍为重点市场区块，新一代智慧手表提供心电图功能，预期将带动未来穿戴装置的成长，应用持续增加中，表现也不差。

至于PC 则是唯一表现趋缓的，李培瑛表示，PC DRAM 有些供过于求的情况，除受到CPU 缺货影响外，现货市场也受到次级品流窜影响需求，预期短期内有跌价压力。

供给方面，由于第3 季DRAM 供应商增加投片量，将逐步影响第4 季至明年第1 季的市场供给。李培瑛表示，第4 季起南亚科将延缓产能扩充与资本支出，南亚科已下修今年资本支出，由原先的近240 亿元下调至210 亿元，调幅逾1 成，减缓整体扩产幅度，投片则视产品组合。

展望明年，李培瑛认为，整个DRAM 发展对全球产品智慧化是相当关键的零组件，若以市场智慧化需求来看，对DRAM 需求并没有看未太悲观，主要仍得观察国际局势变化与季节性因素；而由于供应商新产能扩充较理性，预期明年不会有急遽或剧烈的价格波动问题，将在合理的范围内出现价格缓跌情况，但会缓跌一季或两季，目前仍看不出来。

李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲观，供应商端也理性控制产出，不认为明年在报价上会有剧烈的波动，中美贸易战之国际局势将是影响市场的最大关键因素。

李培瑛分析，全球电子产品走向智慧化，记忆体是最关键的零组件，需求面没有太悲观。供给方面，DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化，尚不会有急遽跌价的问题，明年DRAM价格预计出现合理的调整，估计会持续缓跌一季或者二季。

南亚科总经理李培瑛指出，受到美中贸易关数以及处理器缺短影响，第4季DRAM需求相对今年上半年保守，且贸易战规模以及延续的时间有多长，需要密切观察。

李培瑛说，明年市场关键在国际局势，贸易战是未知数，尤其在关税部分，在中国大陆的组装厂客户会直接或间接受到影响，需采取一些因应对策，但要将组装产线移到其他国家则需要一点时间。

IC Insights：DRAM 产能过剩警报响起，中国厂商带来变数

在早前，IC insights也发出了同样的警告。

IC Insights在本月初发布的《The McClean Report》9月更新指出，从历史的角度来看，DRAM平均售价与市场成长将很快趋于下行，供应商应谨慎因应，并随时准备调整资本支出扩张计划。

IC Insights 最新《The McClean Report》9 月更新显示，在过去两年中，DRAM 制造商一直在以接近满载状态运行记忆体晶圆厂，这导致DRAM 价格稳步上升，并为供应商带来可观的利润。

IC Insights指出DRAM产业去年资本支出跳增81%，今年持续攀升40%，在此状况下，预料未来供给将淹没市场，为价格趋缓的先期指标之一。

不过与以往不稍有不同的是，这次资本支出成长幅度虽然高，但预期产能过剩风险可能不像以往严重，因为目前各大厂升级20 纳米制程的成本增加许多，意谓着同样的资本投入所换得的产能将比前几代制程少。

每月DRAM 平均售价增长趋势。(图：IC Insights)

上图可见，虽然2018年8月DRAM的平均销售价格(ASP)达到6.79 美元，相较于2年前增长165%。尽管今年价格增速放缓，但8月前仍保持稳健上行的趋势。

DRAM 市场以周期性而闻名，在经历了两年的强劲增长之后，DRAM 平均售价和市场需求很快将开始向下趋势。

IC Insights 分析，最近供应商资本支出增加虽然非比寻常，但可能不会像过去一样产生类似的产能过剩情况。

DRAM 资本支出与平均售价比较图。(图：IC Insights)

该报告预测(上图)，2018年DRAM平均售价将上涨38％至6.65 美元，但随着额外产能上线，供应限制开始放缓，将会降温DRAM市场成长。

该报告中特别提到，由于预期客户需求疲软，三星和SK 海力士于第3 季推迟部分扩张计划。值得注意的是，中国大陆有合肥长鑫(Innotron Memory)、福建晋华（JHICC）等两家记忆体厂预料今年加入供给，将为记忆体市场带来不可知的变数。在合肥长鑫方面，兆易创新与合肥产投签署合作协议，开展工艺制程19nm的12英寸DRAM的研发工作，该项目预算约为180亿人民币，已正式投片，有券商预计其将在2018年底实现产品良率不低于10%。来到福建晋华，他们与联电开展技术合作，投资56.5亿美元，正在建设12存DRAM生产线。晋华集成电路已纳入中国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。 ​​​​​​​