QLC NAND良率普遍低下，市场恐再遭次品冲击

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据业内消息来源称，目前NAND芯片业者正面临3D QLC NAND芯片良率低下的问题，考虑到由此带来的次品充斥市场等影响，预计2019年上半年，3D QLC芯片的这种低良率可能会影响到整个市场，进一步搅乱存储芯片的市场价格。

与此同时，3D TLC NAND方面，各家芯片业者的良率水平则刚刚得到提升并稳定下来。今年早些时候，此类产品的良率较低，因此导致当时市面上次等品充斥。当时，虽然NAND芯片厂商一直在改进自己的产品良率，但由于良率提升速度低于市场预期，因此导致市面上次等品不断积压。随着次品大量涌入市场，今年第二季度存储芯片在高压下价格再度下行。直到最近，3D TLC NAND芯片的良率才有显著改善。

而2018年初才推出的QLC NAND产品目前则正遭遇类似的良率问题，目前此类产品的良率据称普遍不足50%。

消息来源表示，业者可能需要相当长的一段时间来改善QLC NAND产品的良率。这样预计2019年上半年NAND芯片的价格可能会由于持续的供过于求而受到影响，因为更多的（QLC NAND）次品芯片可能会流入市场。

目前推出3D QLC NAND 芯片的厂商主要有三星电子，SK现代，东芝/西数以及镁光/intel等。其中镁光更是信誓旦旦会开始企业级（如云计算，AI，大数据服务器范畴）QLC NAND芯片的供货。而三星的3D QLC NAND产品则会首先面向消费电子领域，然后再涉足企业级应用。

上月初，Intel发布了首款消费级QLC固态硬盘——660p，采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒，不过近日有消息称，目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%。

Intel“SSD 660p”的定位将介乎在600p及700p之间，采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒，提供512 GB，1 TB，2 TB容量可供选择。SSD 660p专用PCI Express 3.0 x4而设计，采用M.2 2280规格，读取传输速度高达1800 MB / s，写入的传输速度为1100 MB / s，4k随机读取和写入为150,000 IOPS。

660P搭载了慧荣SMI2263主控，带有DRAM缓存，主控是慧荣SMI2262EN的工艺改良版，并且由Intel自主编写固件。采用来自Intel和美光合资的IMFlash工厂的4bit QLC闪存。

Intel 660P采用M.2 NVMe接口，支持PCIe 3.0 x4通道，Intel官方给出的数据显示，性能上达到主流M.2 NVMe的水准，最高连续读写速度可达1800MB/s。

同时，价格相当给力，512GB卖99.99美元(约合683元)。

与TLC相比，QLC NAND Flash的储存容量将可增加33%，单颗芯片最高可达到256GB或512GB，P / E循环约为1000次左右略低于TLC，在寿命，速度及稳定性方面QLC虽然比TLC更低，但就胜在容量更大及拥有更便宜的成本。

不过有消息称，目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%，也就是生产出来的成片过半报废。对比之下，64层TLC闪存的良率已经达到了90%以上。

这意味着，4bit QLC看似容量密度提高了，但实际成本是高于3bit TLC的。

更糟糕的是，消息人士称，Intel第一代QLC闪存糟糕的良率将伴随整个生命期。

此外英特尔还准备了SSD 760p系列，M.2 2280规格，64层TLC NAND闪存，提供128GB，256GB，512GB，1TB，2TB容量，性能更高一个档次，持续读写可达3.2GB / s， 1.6GB / s，随机读写可达35万IOPS，28万IOPS，并支持AES-256硬件加密，5年产品保固。其中128GB至1TB今年12月份发布。

英特尔和美光除了推出64层QLC提高技术优势，还曾表示第三代3D NAND技术（96层）的开发将于2018年年底或2019年初交付。

现时市场上主流的 SSD 基本上都是采用 TLC NAND Flash，然而各大的 SSD制造商在 2017 年开始研发新一代的 QLC 技术，QLC 的 4bit/cell 设计意味着每单位可以堆积更多的容量，因此可打造出更低成本的产品，国外市场调研公司 IHS Markit 最新在Samsung SSD Forum 2018大会上就 HDD 及 SSD 的市场前景发表了演讲，预计到 2020 年采用 QLC NAND 的 SDD 产品将迅速增长，并会续步取代旧有的产品。

根据外媒 PCWatch Impress 的报导，IHSMarkit 针对 HDD 和 SSD 市场的前景作出了详细的分析，由 2017 年开始 HDD 的市场占有率呈负增长，而 SSD 市场占有率的显示为 CAGR 50% 的增长，随着 SSD 单价下降，预期由 HDD 到 SSD 的过渡进展将非常顺利。

从数量上看，在保持目前的普及增长率的同时，SSD 的出货量将会在 2020年超越 HDD，在未来四年内，SSD 的销售量将以每年平均 20.7% 的速度增长，对 HDD 硬盘的需求将每年减少 7.3%。

在用于笔记本计算机的 SSD 中，储存容量正逐渐提升至 512 GB，并且预计到2020 年装配 1TB SSD 的笔记本计算机产品将大幅增加。对于企业级固态硬盘，需求将从 1 TB 变为 2 TB 及 4 TB，未来的储存容量不仅将超过 4 TB，同时随着QLC NAND 的 SSD 产品出现，容量将会进一步增加。

NAND 闪存目前已经发展出了四种形态，由初代的 SLC 发展至 MLC 、 TLC 及最新的 QLC 技术，现时主流的 SSD 产品主要都用上 TLC 技术，经过近几年的发展，TLC NAND 可靠性得到改善，储存容量相比 MLC、SLC 更大，可惜的是 TLC 能够解决 SSD 容量瓶颈，却解决不了 SSD 价格的难题，大容量 SSD 仍旧贵贵贵，因此就衍生出新一代「容量大、成本低」的 QLC NAND。

IHSMarkit 表示，目前的 SSD 产品以 TLC NAND 为主流，虽说 QLC 速度、寿命、稳定性等方面比 TLC 差，但是更便宜的成本、更大容量的优势是无法忽视，相信 QLC 将会如同当年 TLC 一样，在速度和寿命上的问题随时可能被解决，预计到 2020 年 QLC NAND 装载产品将会迅速增加。

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