2018FD-SOI论坛：差异化市场潜力无限，或于三年内上量

2018-09-25 10:19:44 来源: 互联网

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2018年9月18日，由SOI产业联盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合主办的第六届上海FD-SOI论坛在上海浦东香格里拉酒店隆重召开。作为SOI技术国际顶级会议，该论坛吸引了来自衬底、制造、EDA、IP、IC设计和系统设计等各个领域的共计约350位技术精英齐聚中国上海，共同探讨FD-SOI技术的最新成果和未来发展。

中国科学院院士、中国科学院、上海微系统与信息技术研究所所长王曦

中国科学院院士、中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦在开幕致辞中表示，过去几年见证了FD-SOI产业的快速增长，生态系统稳步推进，FD-SOI技术在5G、物联网、AI、自动驾驶等领域显示出新的增长趋势。SOI技术也越来越受到中国政府的重视，产业链环节各企业也在加速发展。此外，王曦还强调，为解决生态系统所需的人才要素，中国联合CEA-Letiletic，在中国开设培训班，讲授FD-SOI相关课程。

格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁、Thomas Morgenstern

格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI工艺是技术发展过程中的差异化解决方案，也是当前格芯的战略核心。随着格芯在不久前宣布停止开发7纳米FinFET工艺，对FD-SOI技术路线的聚焦和投入，势必进一步加码。尽管FD-SOI工艺的发展受限于生态系统不够完善，在IP建设、量产经验与应用推广上还有很多工作需要去做，但Morgenstern表示，格芯22纳米FD-SOI工艺签约设计金额超过20亿美元，目前已有全球50多家客户，应用领域更是覆盖物联网、通信、工业、加密货币、汽车与国防军工等不同方向。

三星电子高级副总裁Gitae Jeong

三星电子的28纳米FD-SOI工艺已经量产5颗产品，在良率方面进步很快，截至目前平均缺陷密度小于0.15，2018年又有16颗新产品流片。三星电子高级副总裁Gitae Jeong以数个客户案例实证，在射频、模拟等领域，采用FD-SOI工艺的益处非常明显，例如，某客户采用三星28纳米FD-SOI工艺生产的射频芯片，相比原来的40纳米工艺，射频部分功耗降低了76%，芯片整体功耗降低了65%。过去两年，三星还和NXP、Cadence联合开发了i.MX系列产品，并多次流片成功。

芯原控股有限公司创始人、董事长兼总裁戴伟民

芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民表示，2013年，第一届FD-SOI论坛在上海召开时，大家还在探讨该技术在中国的可行性。这六年来，在产业界同仁一步一个脚印的坚定推动下，今年的会议已经开始探讨FD-SOI的量产化，其进步和发展成就显著，产业力量也在不断壮大。目前，该技术基于其低功耗、射频集成等优势，已经在很多领域取得了成功应用。随后，戴伟民在会中列举了部分汽车电子、物联网应用的成功案例，并展示了芯原目前的FD-SOI IP积累。

IBS总裁Handel Jones

IBS总裁Handel Jones对目前主流逻辑工艺成本进行了分析，他表示，随着设备折旧水平的不同，22纳米FD-SOI工艺单位逻辑门成本可与28纳米HKMG体硅工艺相当，而12纳米FD-SOI工艺的单位逻辑门成本则比FinFET工艺（16/10/ 7纳米）都要低。主要受益于FD-SOI工艺光罩工艺简化，所需掩膜版层数较少，综合下来，尽管FD-SOI工艺所用衬底价格相对较高，整体成本比FinFET要低。同时，目前FD-SOI工艺集中在28和22纳米，但未来走向18纳米和12纳米的路线图非常清晰。

Handel Jones特别提到了图像处理芯片（ISP）在FD-SOI领域的前景，由于每个图像传感器都会需要一个直连到传感器前端的ISP模块，相比22nm HKMG体硅和16nm FinFET, FD-SOI都具有低噪声、低功耗的优势，这对于FD-SOI将是一个巨大的机会。Jones预测，到2027年，ISP的需求将达到842,000WPM。

在随后的圆桌讨论中，嘉宾们就FD-SOI在中国布局的战略意义、FD-SOI技术的市场主推力、FD-SOI成为物联网应用主流工艺的时间节点等问题展开了探讨。