NOR Flash读写原理及驱动

2018-09-19 14:01:00 来源: 电子发烧友

本文主要是关于NOR Flash的相关介绍,并着重对NOR Flash读写原理及驱动进行了详尽的阐述。

NOR Flash

NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。 Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EP ROM (Erasable Prog ram mable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年, 东芝 公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecu te In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些情况。——《 ARM 嵌入式 Linux 系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 A PI Key

性能比较

flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。

2、 NAND的写入速度比NOR快很多。

3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

5 、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

此外,NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外,Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。

详解

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

接口差别

NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量成本编辑

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC(多媒体存储卡Mul ti Media Card)存储卡市场上所占份额最大。

可靠耐用

采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF(平均故障间隔时间Mean Time Between F ai lures)的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

NOR Flash读写原理及驱动

一。原理

NOR Flash读写原理及驱动

从原理图中我们能看到NOR FLASH有地址线,有数据线,能向内存一样读,不能向内存一样写(要发出某些命令)。这也使得NOR的数据非常可靠,所以一般用来存储bootloader。当然现在手机上都只有nand flash了,节约成本嘛。下节我会带大家去分析nand flash驱动,并进行总结。

二。驱动程序

/*

* 参考 drive rs \mtd\maps\physmap.c

*/

#include 《linux/module.h》

#include 《linux/types.h》

#include 《linux/kernel.h》

#include 《linux/init.h》

#include 《linux/slab.h》

#include 《linux/device.h》

#include 《linux/platform_device.h》

#include 《linux/mtd/mtd.h》

#include 《linux/mtd/map.h》

#include 《linux/mtd/partitions.h》

#include 《asm/io.h》

static struct map_info *s3c_nor_map;

static struct mtd_info *s3c_nor_mtd;

/*分区数组*/

static struct mtd_partition s3c_nor_parts[] = {

[0] = {

.name = “bootloader_nor”,

.size = 0x00040000,

.offset = 0,

},

[1] = {

.name = “root_nor”,

.offset = MTDPART_OFS_APPEND, //紧接着上一个

.size = MTDPART_SIZ_FULL, //到最后

}

};

static int s3c_nor_init(void) //入口函数

{

/* 1. 分配map_info结构体 */

s3c_nor_map = kzalloc(sizeof(struct map_info), GFP_KERNEL);;

/* 2. 设置: 物理基地址(phys), 大小(size), 位宽(bankw idt h), 虚拟基地址(virt) */

s3c_nor_map-》name = “s3c_nor”;

s3c_nor_map-》phys = 0; //物理地址

s3c_nor_map-》size = 0x1000000; /* 》= NOR的真正大小 */

s3c_nor_map-》bankwidth = 2; //位宽

s3c_nor_map-》virt = ioremap(s3c_nor_map-》phys, s3c_nor_map-》size); //虚拟地址

simple_map_init(s3c_nor_map); //简单初始化

/* 3. 使用: 调用NOR FLASH协议层提供的函数来识别 */

printk(“use cfi_probe\n”);

s3c_nor_mtd = do_map_probe(“cfi_probe”, s3c_nor_map);

/*如果没识别就用jedec*/

if (!s3c_nor_mtd)

{

printk(“use jedec_probe\n”);

s3c_nor_mtd = do_map_probe(“jedec_probe”, s3c_nor_map);

}

/*如果仍然没事别就释放掉,返回错误*/

if (!s3c_nor_mtd)

{

iounmap(s3c_nor_map-》virt);

kfree(s3c_nor_map);

return -EIO;

}

/* 4. add_mtd_partitions (添加分区)*/

add_mtd_partitions(s3c_nor_mtd, s3c_nor_parts, 2);

return 0;

}

static void s3c_nor_exit(void) //出口函数

{

del_mtd_partitions(s3c_nor_mtd);

iounmap(s3c_nor_map-》virt);

kfree(s3c_nor_map);

}

module_init(s3c_nor_init);

module_exit(s3c_nor_exit);

MODULE_LICENSE(“GPL”);

三。驱动分析

1. 分配map_info结构体

2. 设置: 物理基地址(phys), 大小(size), 位宽(bankwidth), 虚拟基地址(virt)

3. 使用: 调用NOR FLASH协议层提供的函数来识别

4. add_mtd_partitions (添加分区)

其实我们的这个驱动,主要把硬件上的差异性写出来就可以了,大部分的工作内核已经帮我们做了。现在我主要来分析第三步。cfi和jedec,这里主要分析cfi

/*NOR FLASH识别过程*/

do_map_probe(“cfi_probe”, s3c_nor_map);

drv = get_mtd_chip_driver(name)

ret = drv-》probe(map); // cfi_probe.c

cfi_probe

mtd_do_chip_probe(map, &cfi_chip_probe);

cfi = genprobe_ident_chips(map, cp);

genprobe_new_chip(map, cp, &cfi)

cp-》probe_chip(map, 0, NULL, cfi)

cfi_probe_chip

// 进入CFI模式

cfi_send_gen_cmd(0x98, 0x55, base, map, cfi, cfi-》device_type, NULL);

// 看是否能读出“QRY”

qry_present(map,base,cfi)

我们进行的操作其实在协议层已经帮我们写好了,我们需要提供的其实就是硬件上的差异。因为所有的nor都是支持这套协议的。

责任编辑:Sophie
半导体行业观察
摩尔芯闻

热门评论