数据海量爆发，DRAM与NAND需求持续增温

2018-05-23 14:01:48 来源: 老杳吧

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在万物即将相连的时代，大量数据的产生带动数据中心的蓬勃建置。放眼未来5-10年，数据量将继续呈倍数成长，重视高传输、低延迟与广域连接的5G，以及边缘运算(edge computing)等运用将成关键性技术，并引领下一波智能科技的发展。在此基础架构下，TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)指出，除了各式处理芯片与传感器的需求将呈现爆发性成长外，扮演运算处理(DRAM)与信息储存(NAND)功能的内存需求也将持续增温。

在5G 架构下，除了通讯设备或手持设备，举凡智能汽车、智能家庭、智能城市，到其他无所不在的智能设备，都可受惠于5G网路更广泛且密集的连线服务。而边际运算在传统云端与终端设备间加入一层运算层，帮助撷取、过滤、汇整并进行即时分析信息，并对设备端做出立即回应，省去所有数据都上传至云端的繁琐程序，同时也降低数据传输所产生的时间递延与数据储存成本，除了与5G技术相辅相成外，通过AI的学习运算，数据处理将会率先在端点完成，以提供更优质的消费者体验。

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，高频宽、高运算速度的追求，或省电与耐用度的考量，亦或是产品的分散与多样性需求，都是未来内存发展上所将面临的课题。除此之外，由于生产内存的制程已逼近物理极限，供应商如何在未来的五到十年间持续在“cost down”的压力下维持技术创新，亦将成为巨大商机来临前的挑战。

在DRAM领域，受惠于数据中心的持续建置，近年来服务器内存的出货量大幅攀升，增长速度超越主流产品行动式内存。DRAMeXchange预估，在未来的两到三年内，服务器内存将超越行动式内存，成为供货与需求的主流。而由于IoT所需的技术设备将逐渐成熟，代表小容量的利基型内存需求也将持续增加；虽然单机搭载容量偏低，但由于产品多样性高，预计也将消耗可观的产业晶圆产能。

而在NAND Flash领域，随着5G世代带动智能家庭、自动驾驶等新兴领域持续发展，拥有计算能力的终端产品数量预期会明显提升，也因此带动中低容量的NAND Flash产品出货增加。长期来看，eMMC/UFS产品出货数量最可能显著提升。而针对主流消费产品如笔记型电脑、智能手机等需求，由于数据大量增加、其他零组件规格稳健提升，加上NAND Flash供应商纷纷扩产且在制程上不断进步，每单位容量价格在未来两到三年内仍有相当可观的下跌空间，DRAMeXchange认为，这将有助于存储容量持续推升，并不会止步于现有的256/512GB。

责任编辑：星野

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