国产5G射频芯片设计开发取得重要进展

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在国家持续加大对集成电路产业扶持力度的背景下，我国芯片设计行业呈现快速发展态势。由上海市“千人计划”专家黄风义博士创办的爱斯泰克（上海）高频通讯技术有限公司近日发布三款芯片，显示本土企业在射频收发系统集成电路芯片（RF SoC）设计开发方面取得重要进展。

据了解，三款自主设计并开发的核心芯片涵盖宽频带、可重构及高宽带等芯片，主要瞄准中高端应用的射频芯片市场，可广泛应用于第五代移动通讯（5G)、超高速无线物联网、射频传感器、卫星通信以及特种专用高宽带通信、导航、雷达等系统。

其中两款芯片以及场效应晶体管射频模型技术，于今年4月经北京大学、中科院、中国电子科技集团有限公司等单位专家组成的专家组进行技术鉴定，显示“成果达到国际先进水平”。其中的一款芯片近20项综合性能指标测试结果与国际产品及文献发表结果相比，5项指标接近国际一流水平，7项关键指标达到国际一流水平，7项关键指标优于国际上已报道的最好水平。

据了解，此前黄风义团队已在射频芯片元件模型领域取得突破性进展。2006年，其针对电感等元件开创特征函数法用于电感模型参数提取和结构优化，研究成果发表在国际集成电路领域权威期刊《固态电路杂志》（IEEE JSSC）及微电子领域权威期刊《电子器件快报》（IEEE EDL），并被中文核心期刊《科技导报》评选为2006年度“中国重大科学进展”。

在集成电路芯片应用最广泛的场效应晶体管模型方面，黄风义团队历经10多年研究探索，于2016年底在深亚微米、超高速晶体管的射频模型结构中发现了新的沟道效应，突破了被国际产业界沿用30多年的核心沟道单元。此项成果发表在《电子器件快报》。

作为信息产业的基础，集成电路芯片技术处于当今国际高科技领域前沿。中国是全球最大芯片市场，但在相关领域起步较晚，绝大多数芯片仍依赖进口。海关总署统计显示，2016年、2017年我国集成电路芯片进口总额均超过1万亿元人民币，高于同期原油进口额。

针对这一状况，2014年发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出，到2020年集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域的集成电路设计技术达到国际领先水平，产业生态体系初步形成。

在相关政策的扶持下，我国芯片产业快速成长，设计开发环节进步尤其显著。半导体行业协会数据显示，2017年我国集成电路产业总销售额为5411亿元，其中设计业占比达到38%。

以上述爱斯泰克项目为例，相关技术和产品的成功研发，表明在高端射频集成电路芯片设计及射频元件模型两大领域，我国部分前沿技术开发已接近国际先进水平。业界评价认为，移动通讯、雷达等射频集成电路芯片实现自主化，可助力我国通信产业加快升级，推动5G布局步伐。

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