新一轮的DRAM资本大战开打，历史会重演吗？

来源：内容来自经济日报，谢谢。

继三星、SK海力士之后，台湾南亚科、华邦电和力晶等三家记忆体相关业者，都悄悄启动增加资本支出计划。随着业者「资本支出大战」再度开打，是否会打破维系已久的产业平衡默契，导致价格反转，备受关注。

其中，主攻记忆体芯片设计与制造的南亚科、华邦电今年资本支出都近200亿元，南亚科更上调逾七成至197.1亿元，华邦电则为历史新高的182亿元，年增逾二成。

力晶虽已宣布转型晶圆代工，但仍有不少业务来自为晶豪科、爱普等记忆体设计业者代工芯片，力晶日前宣布将启动近3,000亿元的12吋新厂建设计画，对产业影响同受瞩目。

随着各种电子终端产品对记忆体需求量增加，各大记忆体厂和市调机构普遍认为，今年DRAM业仍是大丰收的一年。

看好记忆体需求强劲，各大厂趁势透过提高资本支出等方式，扩大产出，希望能抢到更多商机，也为未来市场供需失衡状况埋下隐忧。

南亚科加码投资20奈米制程，今年资本支出由原订的115亿元上调至197.1亿元，增幅逾71%，规划在明年第2季底前，将20奈米制程月产出提升至4.7万片，也让南亚科DRAM月产能增至7.3万片。

这是南亚科在转型专注利基型记忆体市场后，重新扩大标准型记忆体，甚至重返伺服器DRAM的一项重要投资行动。

南亚科强调，增加的产出占全球供应数量有限，影响也有限。

华邦电与力晶也都宣布增加资本支出，力晶并将启动12吋新厂，虽然相关计画要到2020年才会完工并陆续投资，但也隐约透露DRAM厂已有意增产，未来是否会让一直处于上涨的DRAM市况，进入反转下跌，已成为全球投资人关注的焦点。

会引致新一轮倒闭潮吗？

DRAM这个市场从来不是一个“安分”的市场，当年英特尔转向做CPU，是当时他所擅长的DRAM被日本厂商打得毫无招架之力的“无奈之举”，后来的日本又被韩国的DRAM铁锤打得没有翻身的机会。中间还有中国台湾地区的DRAM的群起而攻之，但最后却惨败而归。现在新一轮的DRAM投资战开启，会否再现当年的DRAM惨况？让我们再次回顾一下过去几十年的DRAM战争，以此为鉴：

1968年，时任仙童总经理的鲍勃·诺伊斯，拉着研发部门负责人戈登·摩尔辞职。从风险投资家阿瑟·洛克那里拉来250万美元投资，正式成立了英特尔(Intel)公司，洛克出任董事长。Intel在英文中含有智慧和集成电路的意思，商标是花1.5万美元，从一家酒店手里买的。当时公司只有诺伊斯和摩尔两个员工，他们招兵买马时，又从仙童公司挖来了工艺开发专家安迪·格鲁夫，担任运营总监。

英特尔成立之初，继承了仙童的技术能力。公司制定的发展方向是研制晶体管存储器芯片，这是一个全新的市场。当时的半导体工艺主要有双极型晶体管，和场效应（MOS）晶体管。这两项工艺都是仙童的长项。但是哪一种工艺用来生产的芯片更好，他们并不清楚。于是公司成立了两个研发小组。1969年4月，双极型小组推出了64bit容量的静态随机存储器（SRAM）芯片C3101，只能存储8个英文字母。这是英特尔的第一个产品，客户是霍尼韦尔。

1969年7月，场效应管小组推出了256bit容量的静态随机存储器芯片C1101。这是世界第一个大容量SRAM存储器。霍尼韦尔很快下达了订单。随后，英特尔研究小组不断解决生产工艺中的缺陷，于1970年10月，推出了第一个动态随机存储器（DRAM）芯片C1103，有18个针脚。容量有1Kbit，售价仅有10美元，它标志着DRAM内存时代的到来。

1972年，凭借1K DRAM取得的巨大成功，英特尔已经成为一家拥有1000名员工，年收入超过2300万美元的产业新贵。C1103也被业界称为磁芯存储器杀手，成为全球最畅销的半导体芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型计算机上，也开始使用DRAM内存。到1974年，英特尔占据了全球82.9%的DRAM市场份额。

1973年石油危机爆发后，欧美经济停滞，电脑需求放缓，影响了半导体产业。而英特尔在DRAM存储芯片领域的份额也快速下降。因为他们引来了竞争对手，主要有德州仪器（TI）、莫斯泰克（Mostek）和日本NEC。

在1970年代，日本尽管可以生产DRAM内存芯片，但是最关键的制程设备和生产原料要从美国进口。为了补足短板，1976年3月，经通产省、自民党、大藏省多次协商，日本政府启动了"DRAM制法革新"国家项目。由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元（2.36亿美元）为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——“VLSI技术研究所”（超LSI技術研究組合）。

研究所地址就选在，位于川崎市高津区的NEC中央研究所内。日立公司社长吉山博吉担任理事长，根橋正人负责业务领导，垂井康夫担任研究所长，组织800多名技术精英，共同研制国产高性能DRAM制程设备。目标是近期突破64K DRAM和256K DRAM的实用化，远期在10-20年内，实现1M DRAM的实用化。（VLSI是超大规模集成电路的简称）

在这个技术攻关体系中，日立公司（第一研究室），负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置，右高正俊任室长。富士通公司（第二研究室）研制可变尺寸矩形电子束扫描装置，中村正任室长。东芝（第三研究室）负责EB扫描装置与制版复印装置，武石喜幸任室长。电气综合研究所（第四研究室）对硅晶体材料进行研究，饭塚隆任室长。三菱电机（第五研究室）开发制程技术与投影曝光装置，奥泰二任室长。NEC公司（第六研究室）进行产品封装设计、测试、评估研究，川路昭任室长。

在产业化方面，日本政府为半导体企业，提供了高达16亿美元的巨额资金，包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造DRAM集成电路产业群。到1978年，日本富士通公司，研制成功64K DRAM大规模集成电路。美国IBM、莫斯泰克、德州仪器也在同时发布了产品。这一年，由于日本64K动态随机存储器（DRAM）开始打入国际市场，集成电路的出口迅速增加。

1980年，日本VLSI联合研发体，宣告完成为期四年的“VLSI”项目。期间申请的实用新型专利和商业专利，达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型电子束曝光装置，采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等，取得了引人注目的成果。针对难度大的高风险研究课题，VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式，调动各单位进行良性竞争，保证研发成功率。各企业的技术整合，保证了DRAM量产成功率，奠定了日本在DRAM市场的霸主地位。

1982年，美国50家半导体企业秘密结成技术共享联盟，避免资金人力重复投资。可是这些合作项目刚刚启动，就传来了坏消息。美国刚刚研制出256K DRAM内存，而日本富士通、日立的256K DRAM已经批量上市。1983年间，销售256K内存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、东芝之外，只有一家摩托罗拉是美国公司。光是NEC九州工厂的256K DRAM月产量，就高达300万块。日本厂商开出的海量产能，导致这一年DRAM价格暴跌了70%。内存价格暴跌，使得正在跟进投资更新技术设备的美国企业，普遍陷入巨额亏损状态。难以承受亏损的美国企业，纷纷退出DRAM市场，又进一步加强了日本厂商的优势地位。

1983年2月，三星集团创始人李秉喆在东京发表宣言：宣布三星集团正式进军半导体产业，并准备出资1000亿韩元（约1.33亿美元），执行这项计划。在此之前，三星已经建立半导体实验室，并聚焦在DRAM领域。三星之所以选择DRAM，是考虑到在所有存储产品中，DRAM的应用范围和市场潜力最大。但是从技术领域看，三星当时存在着巨大的技术鸿沟。如何获得先进核心技术呢？三星尝试从国外引进技术，连续遭到美国德州仪器、摩托罗拉、日本NEC、东芝、日立等公司的拒绝。

最终，三星通过美国几家陷入困境的小型半导体公司找到门路。当时美国镁光科技规模还很小，已经被日本廉价DRAM挤压得喘不过气，还要投钱研发256K DRAM产品。于是镁光将64K DRAM的技术授权给了韩国三星。三星又从加州西翠克斯（CITRIX）公司买到了高速处理金属氧化物的设计。

获得两家美国公司技术后，三星分别在美国硅谷和汉城南部30公里的龙仁市器兴（Giheung），设立两个研发团队，招募韩裔美国工程师，日以继夜地消化吸收技术。硅谷团队负责收集美国的产业技术资讯。器兴团队负责建设工厂，熟悉三星从日本夏普手里弄来的量产制程设备。日本夏普由于被通产省归类为消费电子公司，而非IC半导体公司，因此不受出口技术规范管制。三星找到这个漏洞，从夏普买来设备。六个月后，三星的工程师成功掌握了，量产64K DRAM的301项流程，和其中8项核心技术，顺利制造出生产模组。

1983年12月1日，三星电子社长姜振求召开记者招待会，宣布三星已经继美、日两国之后，成功自行研发出64K DRAM。1984年5月，三星第一座DRAM工厂在器兴竣工，工期只用了半年。四个月后开始批量生产的64K DRAM。这比美国研制的同类产品晚了40个月，比日本晚了6年。当时三星生产线上的员工，多数是农村来的妇女，文化素质不高，但是服从性好。工厂技术管理，主要靠三星从美国高薪招募回来的韩裔工程师。

1982年至1986年间，韩国四大财团在DRAM领域，进行了超过15亿美元的疯狂投资，相当于同期台湾投入的10倍。同时期，中国上海宝钢项目投资40亿美元左右。但是在电子工业方面，中国政府几乎放弃了产业主导权。各省市胡乱花费了3-5亿美元，购买外国淘汰技术，根本未能形成技术竞争力。而且在广东、福建、海南、浙江等沿海省份，巨额走私日本、美国、台湾电子元器件的冲击下，中国电子工业彻底崩溃，就这样跪了三十年也没能爬起来。

面对韩国企业咄咄逼人的追赶态势，日本厂商以低于韩国产品成本一半的价格，向市场大量抛售产品，有意迫使韩国人出局。结果韩国大型财团不但顶住巨额亏损压力，追加投资，还让日本企业承担了美国反倾销的压力。美国与日本的纷争，让韩国渔翁得利。1992年，韩国三星超越日本NEC，首次成为世界第一大DRAM内存制造商，并在其后连续蝉联了25年世界第一。

1990年开始，韩国三大企业已经具备了，赶超日本DRAM产业的技术体系建设。三星建立了26个研发中心，LG和现代各有18、14个研发中心。与之对应的是，三星的技术研究费用成倍增加。1980年三星在半导体领域的研发费用仅有850万美元，到1994年已经高达9亿美元。1990年三星还落后日本，第三个推出16M DRAM产品。到1992年，三星领先日本，推出世界第一个64M DRAM产品。1996年，三星开发出世界第一个1GB DRAM。与研发费用相对应，1989年韩国的专利技术应用有708项，1994年窜升至3336项。

但是作为产业后进者的韩国，仍然存在致命短板。韩国的核心生产设备和原料，主要从美国、日本进口。仅在1995年，韩国就进口了价值25亿美元的半导体生产设备，其中47%自日本进口，30%来自美国。由于日本政府在设备管制方面的漏洞，韩国可以轻易买到日本先进设备，但是却很难从日本引进技术。为了减少对外国供应商的依赖，1994年，由韩国政府主导，推出总预算2000亿韩元（2.5亿美元）的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和原料供应链。韩国贸工部在汉城南部80公里的松炭和天安，设立两个工业园区，专门供给半导体设备厂商设厂。为了挖来技术，韩国以优厚条件招揽美国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS（大日本网屏）等厂商，在韩国设立合资公司。

完成量产技术积累后，韩国企业开始向产业广度扩张，以三星为例：三星从美国SUN公司引进JAVA处理器技术，从法国STM（意法半导体）引进DSP芯片技术，从英国ARM引进声音处理芯片技术，与日本东芝、NEC、冲电气（OKI）展开新型闪存方面的技术交流。通过与美国、欧洲企业建立联盟合作关系，三星在DRAM之外，获得了大量芯片产业资源，开始向微处理器（CPU）等领域快速扩张。

1995年美国微软公司推出Windows 95操作系统，受此影响，韩国与日本厂商疯狂扩充产能，导致DRAM产品供过于求，引发DRAM价格暴跌70%。但是在美国的刻意扶植下，韩国厂商仍然力压日本。1996年，韩国三星电子的DRAM芯片出口额达到62亿美元，居世界第一，日本NEC居第二。韩国现代电子以21.26亿美元居第三位。LG半导体以15.4亿美元居第九位。

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