中国集成电路泰斗黄敞逝世:再见,大师!

2018-05-11 14:00:12 来源: 官方微信

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2018年5月9日14时01分,一个值得中国半导体人铭记的日子。因为在这一天,我国集成电路发展的引领者,航天微电子与微计算机技术的奠基人,中国半导体行业协会“终身成就奖”获得者,原航天部科技委常委,航天工业部七七一所副所长,骊山微电子公司副总经理、党委委员黄敞先生,因病医治无效,不幸逝世,享年91岁。



或者很多人都没听说过黄敞先生,但可以肯定的是,他绝对是我国半导体发展史上的一座丰碑。早年在美国从事半导体前沿科学研究工作的他,在新中国成立第十年回国。之后一直从事微电子,微计算机的研制及其组织领导工作,并主持研制成功多种弹(箭)载计算机的专用集成电路和计算机,为我国航天事业做出了突出贡献。正是因为有了黄敞先生这些老前辈的付出,我们的半导体产业和航空航天产业才有了今日的基础。


在此,我们回顾一下黄敞先生的辉煌一生,重新认识这位泰山北斗为中国航空航天事业、集成电路和微型计算机产业崛起所做的杰出贡献。


家学渊源的清华才子

祖籍江苏省无锡的黄敞老先生1927年出生于沈阳,父亲黄修清1919年毕业于上海交通大学,长期供职于电信、电子系统。新中国成立后,更是被定为一级工程师;母亲袁韵琴则毕业于上海师范学校,曾任中学校长,可以说黄敞先生后来从事这个职业与他勤奋好学、刻苦钻研的特性,深受父母言传身教的影响。


求学早期,黄敞先生跟随父母辗转于南京、长沙、香港和昆明等地。在1943年,黄敞先生考入了当时的昆明西南联合大学电机系,之后则随清华回迁北京,于1947年获得了清华大学工学学士学位,并留任电机系当助教。



1948年,黄敞先生获得了去美国的机会,他依然赴美,首先在美国奇异公司担任测试工程师。第二年,他进入美国哈佛大学研究院工程科学及应用物理系攻读研究生,并分别于于1950年获得了硕士学位,1953年获得博士学位。博士毕业后,黄敞先生入职雪尔凡尼亚半导体厂,相继担任高级工程师、专家工程师和工程经理等职务,主持先进工程部工作,从事刚问世没多久的半导体前沿科学研究工作。


到了1958年,黄敞先生已经获得了10余项美国专利,且发表了论文20多篇,这些成果至今仍是世界半导体、晶体管和抗辐射集成电路开发研制的重要基础。再加上当时黄敞先生已经获得了美国绿卡。也就是说,功成名就的他完全可以在美国过上舒适安逸的日子。



但从小受到父母“学有所成,报效祖国”教导的黄敞先生见到祖国当时的科研和技术困境,毅然决然选择回国。为此在1958年,黄敞先生便和他夫人杨樱华博士(当时受聘于受聘于麻省Datamatic Corporation电子计算机工厂)申请环球旅行,经过十几个国家的周转,借道香港返回大陆,投入到当时还是一穷二白的祖国产业建设中去。这次回来,就奋斗了一甲子。


肩负重任的中国集成电路奠基人

刚回国的黄敞先生被分配到北京大学物理系,任职副教授,同时他还兼任中国科学院计算机技术研究所11室主任、副研究员,同时也在招收研究生,为中国培养半导体人才。


在北京大学、中国科学院计算技术研究所任职、任教期间,黄敞先生提出了 “载流子总量分析方法”,可系统分析器件内部载流子的运动规律,为晶体管模型、集成电路的研究提供了一种科学的分析方法。这一开创性成果对半导体器件理论和超大规模集成电路理论的发展起到了开拓性的引领作用。

由他主编的《大规模集成电路与微计算机》一书,系统阐述了关于集成电路、微计算机方面的理论研究成果,总结了多年来研制成果和经验,对业内外的科技人员都具有指导意义和参考价值。在此基础上,黄敞先生不断深入开展半导体器件物理和集成电路新器件、新结构研究,不断丰富和完善“载流子总量分析方法”,开发了LADES器件模拟软件、LINDECIRSIM 器件与线路结合的仿真软件。发表了《晶体管器件理论及线性电路理论的进展》、《注入型电路的器件物理》、《组件计算机》等文章。这些成果在我国集成电路与微计算机事业发展初期,对推动技术发展、科技人才培养都发挥了重要作用。



到了1965年,中央决定建立军用微电子研究所,为“两弹一星”(导弹、原子弹含氢弹和人造卫星)提供基础支持,黄敞先生的身份再次发生了转变。


其实从50年代末开始,国内就决定发展“两弹一星”事业,在规划落实以后,中央就就决定建立航天微电子技术研究机构,随即成立了挂靠在中科院计算技术研究所的156工程处(即771所前身),专门研制集成电路和微型计算机。


工程处由中科院的计算机所、电子所、物理所、东北物理所、西北物理所、应化所六个研究所的七个研究室的相关研究人员组成。黄敞先生就是这个项目的技术负责人之一。


担任负责人后,他带领团队并亲自指导,教大家“不要局限于一点,要全面考虑各种参数的全面配合,用系统的概念来分析器件的性能”,并向年青的科技人员传授他十多年来在晶体管、集成电路领域积累的知识与经验。


那些日子,大家三班倒,12小时一轮换,常常一天干十三四个小时。


在他的带领与主持下,我国成功地自行设计和研制出了我国第一个航天集成电路系列,即TTL双极小规模集成电路系列,这些集成电路应用于我国研制的战略导弹和运载火箭的制导计算机上。为我国远程导弹研制成功提供了重要保证。


与此同时,黄敞和团队在陕西临潼开始建立新的研制基地。山沟里,就地围个院子,盖几间厂房,这就是后来的771研究所。中国的航天微电子事业就这样在荒山野岭扎下了根。到1969年,陕西临潼山沟的新研制基地初步建成,他与他的同事一起迁赴陕西临潼,他们在物质生活条件十分艰苦的情况下继续开展科研生产工作。生产出了CMOS集成电路以及水下发射固体弹道导弹的弹上计算机,为这一导弹的飞行试验提供了一个必要的保证。


在这一期间内,为满足航天型号对集成电路及微计算机高可靠、批量生产的要求,在国防科委和七机部领导的关心与支持下,由黄敞领导进行了集成电路制造技术、设备及生产线的引进工作,主要是771所四车间的工艺线,达到了国际上1975年5微米的水平。


他以在美国取得的科技成果和专利为基础,开展硅集成电路工艺研究工作,主持自行设计并研制成功了TTL小规模集成电路B系列产品,主持自行设计、研制成功了CMOS集成电路产品,在开发设计和研制基础上,成功地进行了小批量,B系列产品和CMOS系列产品已成功应用于远程液体弹道导弹。


正式在黄敞先生等人的努力下,中国的航天技术才有了今天的辉煌成果。


功成名就后的教书育人

其实在回来的早些年,黄敞先生一直坚持教学,将其毕生的经验传授给学生。在十年动乱器件,这个工作就中断了。但在我国于1978年恢复研究生教育制度之后,黄敞先生又重新投入了教书育人的工作中去。


他率先在771所组织了以他为首的导师组,开始招收和培养硕士和博士研究生,同时还在西安电子科技大学、北京师范大学带硕士和博士研究生;


在研究生培养中,他强调理论联系实际,十分注意培养学生解决实际问题的能力,他亲自为研究生开课,直接指导学生的论文和科研,抓论文的科学性、严谨性以及应用性,正是由于他兢兢业业地耕耘和严格要求,经他培养的研究生,其理论知识水平和实际工作能力都较高。共培养博士研究生22名,硕士研究生百余名,有的已成为我国微电子事业的科技骨干,有的已取得重大科技成果,有的已在世界微电子技术领域颇有名气。毫无疑问的是,黄敞先生为我国微电子、微计算机事业的新长征奠定科技人才基础的做出了重要贡献。


黄敞先生同时是一位学术思想活跃的学者,担任过多个国内外集成电路与材料学术会议的大会主席,带领团队积极参加国内外召开的集成电路与材料等的学术会议和技术交流活动。担任过国务院电子振兴领导小组顾问组成员和集成电路专业组成员、中国电子学会半导体与集成电路专业学会副主任委员、全国青联委员、自然科学基金委员会半导体科学评审组成员、陕西省科协常委、副主席等。并在西安电子科技大学、哈尔滨工业大学、西安交通大学、华中理工大学等高校兼任教授。


2010年10月,年逾84岁的黄敞先生回到当年奋斗过的771所,发表了热情洋溢的演讲,鼓励年轻人为我国航天事业的壮大发展做出更大贡献,并将与夫人杨樱华先生等一起在退休后研究取得的“偶载场效应管及其集成电路”、“三维场效应管及集成电路”等专利和成果赠给了771所。


黄敞先生和上一辈人的努力,换来了我国集成电路和航天产业的基础。正是在他们的努力下,我们国家才走过了当初那种落后被挨打的局面,获得了现在的国际地位。希望我们新一代的半导体人和航天人,能够继承黄敞先生的衣钵,再创我们国家集成电路和航天事业的辉煌。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1583期内容,欢迎关注。

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