英特尔表示，10nm良率亟待提高

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在最近的电话财报会议期间，英特尔 CEO 布莱恩·科再奇终于承认了被业内长期关注的一个事实 —— 该公司挣扎于量产 10nm 芯片的制造工艺。此前有分析师指出，与 14nm 工艺相比，英特尔将制程规模缩小 2.7 倍的目标“略有些激进”。科再奇承认，公司已认识到这一点，并在努力提升良率。遗憾的是，这需要大量的时间去攻克。

即便如此，科再奇还是简称即日起出货 10 纳米产品（但不知道到底出货给谁），但 2019 年前都不会转向量产。（他也不愿向分析师证实，今年上半年或下半年是否可以量产）

有鉴于此，我们可能需要等待 6~18 个月，才能见到 10 nm 量产芯片的到来。毕竟自 2015 年以来，10nm 制程就一直在跳票，这一窗口肯定会令制造合作伙伴和投资者深感不安。

不过 Krzanich 明确表示，10nm 制程的问题，是该公司对其下一代工艺技术的实施选择。

在先进光刻技术中，英特尔的 10nm 制程非同寻常。因为该公司决定完全放弃极紫外光刻（EUV），转而采用传统的 193nm 深紫外光源。

作为 10nm 生产的一部分，英特尔曾表示会采用自对准四模式。

令人惊讶的是，科再奇指出该公司必须使用多达 5~6 个多模式的步骤去打造特定的 10nm 特性，这或许是该公司正在经历的产能问题的一个主要因素。

正如今年早些时候格罗方德所说的那样，硅晶片与光刻工具的每一次交互，都增加了缺陷的可能性，而多模式需要与这些工具进行大量的交互。

格罗方德指出，相比之下，EUV 不仅能够更有效地利用产能，还能够减少设备需要与晶圆片交互的次数。

尽管 EUV 自身也面临着一些挑战，但在 7nm 之前，英特尔不会享受到任何潜在的优势。科再奇告诉分析师，该公司计划继续保持 10nm 制程，以便积累有效制造 7nm 芯片所需的知识。

此外，定于 2018 年推出的 10nm 芯片仍然属于第一代产品，而不是最终能够超越当前 14nm 制程的 10nm+ 晶体管。

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