【突发】三星工厂停电或导致全球NAND供应短期受阻

2018-03-13 14:01:59 来源: 老杳吧
1.突发!三星工厂停电或导致全球NAND供应短期受阻;
2.换人:桑杰·贾出任格芯首席执行官;
3.联发科今年要翻身了?OPPO魅蓝新机齐搭载;
4.开源 RISC-V 架构正在改变 IoT 处理器的游戏规则;
5.集邦咨询:SSD价格走跌,将带动2018年笔电SSD搭载率突破五成;
6.传西部数据砸5000亿日圆携东芝增产3D NAND;
7.ST半导体MCU上半年缺货难改善
1.突发!三星工厂停电或导致全球NAND供应短期受阻;
据韩国当地媒体报道,3月9日三星位于平泽的NAND工厂突然遭遇30分钟的意外停电。尽管备用的不间断电源可以应对20分钟左右的突发状况,但是在CVD(化学气相沉积)、扩散蚀刻离子注入工艺中,60分钟的停电可能将影响60%的输入晶圆片(即等待加工的晶圆片)。一般情况下,超过20分钟的任意停电将导致一半以上的输入晶圆报废。由于平泽工厂此次停电事故,预计3月份全球NAND供应将暂时收紧,同时预计这次事故会降低全球NAND库存水平。
花旗银行分析,三星3月份11%的NAND产能预计将受到影响。目前,三星平泽工厂一层每月NAND产能为90k片晶圆,二层DRAM/NAND装备则正在安装中。尽管有不间断电源备用,预计此次停电事故仍将影响到60%的产能。如果以三星NAND总产能514k片/月来计算,估计三星3月份NAND芯片出货量的11%将报废。目前全球每月NAND产能为1,557k片/月,因此预计2018年3月全球NAND供应量将下降3.5%。
不过三星有事故保险,因此停电事故对其影响有限。三星的内存晶圆厂都投了事故保险,此次意外停电可获得一笔保险赔偿,因此对三星的利润影响不大。此外,由于其有充足的NAND库存准备,相信三星的销售运营也不会受到影响。
花旗银行指出,受服务器DRAM采用1xnm和1ynm驱动, 预计三星将继续保持强劲增长。SK Hynix方面,预计2018年强劲的服务器DRAM和SSD需求将使该公司创下新的盈利纪录。(校对/刘洋)
2.换人:桑杰·贾出任格芯首席执行官;
原标题:格芯技术、性能与规模迈入新阶段,资深业者汤姆∙嘉菲尔德接棒桑杰·贾出任格芯首席执行官
结束了在格芯四年的首席执行官(CEO)任期,桑杰·贾(Sanjay·Jha)先生将把公司最高职位交接给原格芯高级副总裁总经理汤姆∙嘉菲尔德(Tom Caulfield)博士。汤姆∙嘉菲尔德先生具有丰富的经验,在业内广受尊敬。
嘉菲尔德先生于2014年加入格芯,他拥有十分出色的履历背景,在许多业内领先的科技公司有过工程、管理、运营以及全球业务执行等经历。他在IBM工作的17年中,历任多项高级领导职务。在格芯任职期间,他成功地在纽约北部地区建造并发展了公司新型的14纳米生产基地,该基地是全美最先进的代工厂,也是美国最大的公私合作关系的实例之一。
过去的四年里,格芯已成长为行业内第二大纯晶圆代工公司。2015年,公司收购了IBM的微电子业务,包括1000多位技术专家以及16,000项专利。格芯成功地利用这些资源在纽约建造工厂,并加快了7纳米工艺的发展。在差异化FDX技术领域,格芯亦是先锋,这为我们的顾客提供了低功耗、高效的物联网解决方案,并且扩大了公司在实现智能互联的射频行业的领导地位。2017年,格芯宣布开展与中国成都的战略伙伴关系,并建造300毫米晶圆厂,预计于明年投入运营。
“过去的四年意义非凡,”贾先生表示。“我们将格芯转变成了一个备受客户信赖的代工厂。对IBM公司微电子业务的收购也使得我们能够独立发展包括7nm工艺在内的尖端技术的同时,扩大我们在射频, ASICS 以及 FDX平台等不同业务的领导地位。汤姆∙嘉菲尔德先生是出任CEO非常合适的人选,他完全有能力沿续我们的成功的记录,进一步加强格芯作为领先的代工厂在半导体行业的领导地位。”
“我非常荣幸,有机会在这个本公司以及行业所处的令人激动的时刻,领导格芯的发展。”嘉菲尔德先生,这位即将履新的CEO表示。“越来越多的新客户涌入市场,我们拥有独特的技术服务以及出色的执行经历,能够在快速发展的代工行业重塑竞争环境。我们将继续改变这个影响世界的行业。”
“对于全球半导体行业以及公司股东来说格芯都是一个战略性资产。我们将继续加大投入来增长并差异化我们的业务,通过合作进一步强化行业的发展,这一切都是为了更好地服务我们的客户。” 格芯董事会主席Ahmed Yahia Al Idrissi表示。“桑杰为格芯制定了里程碑式的正确战略,带领公司步入正轨,我们感谢他作出的重大贡献。同时,汤姆凭借自身25年的运营经验以及客户服务经历,将继续带领格芯迈向新的成功。”贾先生将与格芯的股东穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)密切合作,探索更多潜在的未来系统业务的开发。
3.联发科今年要翻身了?OPPO魅蓝新机齐搭载;
联发科在MWC2018上发布了P60处理器,采用arm Cortex A73和A53八核心大小核架构,相较于上一代产品“P23”与“P30”,CPU及GPU性能均提升70%,而12纳米FinFET制程则提升“P60”优异的功耗表现,大幅延长手机电池的使用时间,可以说是一款不错的芯片。
图片来源:新浪微博
此前也有传闻称OPPO、vivo、小米都有搭载这款芯片的产品规划,那么问题来了,在这个新机发布密集的3月,我们能否见到搭载它的手机呢?
从最新的爆料看,还真有,而是都是有名的厂商,分别为OPPO与魅族。
OPPO将于本月19日发布R15,通过图片我们可以看到普通版的R15搭载的正是联发科的P60处理器,主打的双核人工智能芯片看上去要比单核人工智能芯片的骁龙660强上很多,从联发科P60在MWC2018上的演示机与同样搭载骁龙660的OPPO R11s安兔兔跑分看,联发科P60的性能不比骁龙660差,消费者买R15普通版在用户体验上也不会输于R15梦境版。
图片来源:新浪微博
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魅族公司旗下的魅蓝品牌在本月21日发布E3,线下经销商鸿飞通讯也早早的放出了魅蓝E3的相关信息,售价2299元起,有银、黑、蓝、绿四种颜色可选,5.99英寸大小的1080P屏幕,搭载的处理器为联发科的P60,800万像素的后置摄像头,1200万+2000万的后置摄像头组合,存储为4/6+32/64/128GB,使用纳米注塑工艺,指纹解锁延续了魅蓝S6的设计,放在了侧面。 有趣的是,小米即将发布的红米Note5价格等方面的信息也被曝光了,二者参数一对比,真能感受到经销商满满的恶意。
图片来源:新浪微博
两个知名手机厂商本月发布的新机都会搭载联发科P60处理器,售价都在2000元以上,联发科的P60成为猛攻中高端市场的利器,看来联发科今年有望翻身了。至于有人吐槽的联发科处理器玩手机游戏卡顿问题,那将成为过去,联发科已经跟国内游戏大厂腾讯联合成立实验室,围绕手机游戏及其他互娱产品的开发与优化达成战略合作,搭载联发科处理器的设备将具备更好的游戏性能及更低的功耗。看到那么努力的联发科,你会为搭载其处理器的手机买单吗?(校对/范蓉)
4.开源 RISC-V 架构正在改变 IoT 处理器的游戏规则;
by Paddy McWilliams, Director of Product Marketing, CEVA
在过去的十年里,开源软件已经成为了科技世界最大的催化剂。现在开源的力量带来了自由发展,生成的社区也在硬件世界中得以立足。正是基于这些原因,RISC-V赢得了极高的人气。下面将会介绍RISC-V和它带来的机会,以及CEVA如何帮助芯片制造商充分利用它们。
什么是RISC-V?
RISC-V是一个开放的指令集架构(ISA),最初由加州大学伯克利分校的计算机科学系开发。它基于流行的精简指令集(RISC),和ARM、MIPS和其它常见的商业处理器架构一样。
RISC-V自2010年开始,现在已经成长为一个巨大的全球合作项目,横跨多个大学和工业领域。它的一致性是由非营利的RISC-V基金会(https://riscv.org/)保证的,既指导底层指令集架构(ISA)规范,又扮演市场引擎的角色来推广RISC-V。
需要澄清的是RISC-V的指令集架构,正如它的名字,是一个指令集的架构规范,而不是一个具体的处理器设计。从开源指令集架构开始,很多的学术和行业团队创造了多个不同设计的处理器,但本质上讲都是同一种语言。快速浏览RISC-V基金会的网站,上面展示了大量的处理器实现,从完整的开源处理器设计,比如 Rocket、Orca和PULPino,到生产商业处理器核的公司,如SiFive、Codasip、Andes和Cortus。
这些处理器的实现范围十分广泛,从简单物联网处理器到运行Linux的应用处理器,都是基于一套共同的指令集,从而反映出相较于一个封闭的商业ISA来说,RISC-V的关键优势,即差异化和自由选择权,可以更换处理器供应商而不遭受产品重构的痛苦。
免费的所以一定存在风险,不对?
在这一点上,谨慎的做法是考察实际情况,查看新产品设计中影响处理器选择的因素。如同大多数设计决策一样,涉及到很多技术和商业因素,一些是基于硬性指标,一些则基于难以量化的方面。
技术指标是不言而喻的:包括处理器具备足够的马力,支持后续产品的可扩展性,是否匹配包络功率,是否满足所需的安全级别,有没有友好熟悉的软件开发/调试环境,用户能否继承之前的代码库。商业上要考虑成本,比如面积(包括门数和内存大小)、版税和整个授权许可费用。它还要考虑其它商务方面的因素,包括供应商锁定、保证与赔偿、商业报告义务、进行修改的合法权利等等。
考虑所有这些因素,大多数设计往往采取一种“安全”选项,通常使用一个专有的商业处理器,并且经常绑定在以前使用的系列上。然而站在战略层面,很多公司对选择限制日益增强但强大的商业处理器IP供应商感到不安。人们渴望更多的商业自由,打破封闭指令集的锁定,这不光是在授权许可和版权使用费方面有意义,也有利于差异化。
这种需求使得RISC-V扬帆起航。RISC-V开源的指令集架构为芯片公司提供了现实的选择,超越普通的商业选项,避免承担过度的战略风险,就如同linux、FreeRTOS和许多其它开源RTOS在今天无可争辩的替代了商业操作系统。特别在那些消费物联网设备上使用的小型嵌入式处理器上,这种选择非常现实。许多知名的一流公司,包括西部数据和英伟达,已经公开宣布了自己的意图,甚至已经进行了大规模的生产。更多的公司正在评估RISC-V,其中一些秘密开始了先进的设计。
CEVA在RISC-V上的经验
和这些公司一样,CEVA已经被RISC-V的潜力所吸引,特别是我们RivieraWaves的 Wi-Fi和蓝牙IP产品。这些通信技术需要一个小型处理器执行协议栈,我们的目标是创建一个预先集成的参考平台,支持我们的客户自由选择处理器。由于IP的架构设计满足超低功耗的操作,即使是高级的无线网络配置,对于处理器马力的需求也很温和。简要来说,我们需要逻辑门数少、能效比高、处理器成熟,加上一个熟悉的商用软件开发环境,可以生成面积节约的紧凑代码。处理器设计必须容易部署(全速运行)在FPGA和ASIC / ASSP上,它必须有一个法律框架与我们的授权IP业务兼容。
CEVA运行RISC-V的Wi-Fi平台
我们选择的RISC-V处理器内核在20K门这个量级,可以达到2.44 Coremark / MHz这个不错的成绩,和硬件需求完全吻合。我们内部的性能和代码密集度测试结果显示,已经达到了比肩一流处理器的水平。同样重要的是根据我们的经验,将一个完整的系统移植到RISC-V所需的工作量非常少。以更复杂的Wifi平台为例,用嵌入式RISC-V处理器取代商业处理器,我们只花了一个星期就完成了集成、仿真和创建一个新的FPGA二进制文件,实现RivieraWaves完整的Wi-Fi 演示平台。此外,现有的协议软件已经在多个不同的商业处理器上进行了开发和部署,移植到RISC-V平台上只花了两周时间,包括移植、测试和系统级验证。这没有什么奇怪的,多亏了熟悉的GNU GCC / GDB调试器和LLVM编译器/环境。
总的来说,这个项目是一个伟大的成功,RISC-V真正兑现了承诺。CEVA现在是RISC-V基金会的新成员,很高兴能够提供RISC-V基础平台作为搭载我们的Wi-Fi 和蓝牙IP核的一个选项。 其他媒体
5.集邦咨询:SSD价格走跌,将带动2018年笔电SSD搭载率突破五成;
Mar. 12, 2018 ---- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,SSD市场受到第一季淡季效应的影响,导致PC OEM拉货需求较去年第四季明显下滑,加上SSD供货商为促销64/72层3D-SSD新品透过降价以提高PC OEM厂导入意愿,第一季主流容量PC-Client OEM SSD合约价均价,在SATA-SSD部分较前一季下跌3-5%;而PCIe-SSD部分则下跌4-6%,结束过去一年多以来的涨势。
展望第二季SSD市况,在各家64/72层3D产能增加,但需求端成长力道仍偏弱的情况下,SSD仍将小幅供过于求,DRAMeXchange预期,第二季主流容量合约价将持续下滑。
DRAMeXchange研究协理陈玠玮指出,去年SSD价格高涨,PC OEM大厂2017年下半年的SSD采购量较原先规划保守,使得2017年NB SSD平均搭载率仅达45%,低于原先预期。今年SSD价格反转下跌后,将带动NB SSD搭载率突破50%大关。此外,SSD合约价的走跌,也将带动PC OEM市场的SSD主流容量提升至256GB,至于512GB的规格,因今年价格仍难以碰触甜蜜点水平,预估将到2019年至2020年间才会成为主流。
平台更广泛支持与成本下降带动,PCIe SSD渗透率可望快速提升
从NB SSD的界面发展趋势来看,尽管PCIe SSD效能远胜于SATA III SSD,然因整体性价比不如SATA III SSD,使得2017年渗透率低于预期,渗透率仅达30%,SATA III仍为去年Client SSD市场的主流规格。然而,今年在Intel CPU平台更广泛支持PCIe SSD接口、3D-SSD技术成熟带动的成本下降,以及SSD控制芯片厂陆续推出更具性价比解决方案的带动下,DRAMeXchange预期,2018年PCIe SSD渗透率有机会快速提升,可望挑战50%水平。
此外,观察3D-SSD产品进度,今年第一季起SK海力士、WD与东芝阵营、美光、英特尔的64/72层SSD新产品已先后开始放量,预估2018年Client SSD市场中,3D-TLC架构比重有机会突破70%水平。未来值得注意的是,NAND Flash原厂目前正在开发单颗容量更大、成本更具竞争力的3D-QLC Flash技术,预期最快于2018年下半年正式进入量产阶段。一旦此技术成熟后,SSD性价比将更上一层楼,取代HDD的速度将会加快。
至于Intel推出的3D Xpoint SSD产品,虽然已于去年开始出货至PC OEM市场,并且在渠道市场上推出280/480GB等容量的新品,但在性价比不高的情况下,仅能于高端商务或是电竞PC市场销售,未来渗透率能否提高,仍要看Intel订价策略是否开始转向。其他媒体
6.传西部数据砸5000亿日圆携东芝增产3D NAND;
据日经新闻报导,东芝 ( Toshiba )存储器事业合作伙伴西部数据(Western Digital)将在今后3年内对双方的合资事业投资5,000亿日圆,除了将用于四日市工厂新厂房的兴建费用之外、还将充作预计2020年启用的北上工厂的投资资金
2017年经历了长时间的法律诉讼及合资争议后,东芝与西数已于2017年12月13日达成和解,双方延展合资关系至2029年,并确保西数在Fab 6中能够参与投资,延续在96层以后3D-NAND Flash的竞争门票。这是双方首次在和解成立后3个月发布扩产计划,阶段性提高3D NAND Flash产量,以借此挽回错失的市场机遇。
去年底,东芝宣布Fab 7兴建计划,并表明未来每年将投入三千数百亿日圆进行投资。
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,东芝Fab 7有别于以往厂房集中于四日市,厂址改设在岩手县北上市,该厂投入量产的时程将落在2019年下半年后,主要投产96层以上的3D-NAND Flash,对整体产出真正产生影响的时间点将落在2020年。
目前,东芝存储芯片业务出售交易正在等待中国监管部门的批准。东芝预计,如果这笔交易不能按照约定期限在3月底之前完成,最迟也能在6月份完成。东芝芯片部门主管成毛康雄(Yasuo Naruke)表示:“我们一直在做各种努力,争取在3月份完成交易。即便交易无法在本月完成,也会在4月份、5月份或6月份某个时候完成。”
东芝是全球第二大NAND闪存芯片制造商,在去年同意把半导体业务出售给美国私募股权公司贝恩资本牵头的财团,以填补美国核电子公司破产所留下的财务漏洞。
DRAMeXchange指出,随着东芝、三星、英特尔、长江存储等都将扩增NAND Flash产能,对NAND Flash产业的影响将在2019年转趋明显,并使得整体产业可望呈现供过于求状况。
7.ST半导体MCU上半年缺货难改善
意法半导体在去年下半年传出车用电子需求大增,产品缺货情况严重,其他包括:德仪、瑞萨、恩智浦等IDM厂也出现相同情况,交货期递延3个月至半年时间,不少下游客户转单。

业界指出,去年下半年意法半导体开始传出缺货,缺货的产品包含:8位MCU、Cortex M0/M3/M4等交期拉长,至今年第1季情况仍未改善。 今年意法已退出8位MCU芯片市场。

此外,2018年苹果新款iPhone将全面导入3D传感,意法半导体为唯一供货商且IDM厂,势必将持续排挤掉MCU的产能。

文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/11/n-665711.html

责任编辑:星野
半导体行业观察
摩尔芯闻

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