【起跑】5G中国芯能否卡位逆袭;紫光发布高性能闪存
2018-03-02
14:00:58
来源: 老杳吧
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1.紫光存储推全系列高性能闪存产品 自研SSD主控亮相
2.重磅！大基金二期启动:目标募资315亿美金，下半年开始投资
3.便携传感器让大气中超细微粒无所遁形
4.“北斗三号”全面推进 国产北斗芯片销量突破5000万颗
5.5G芯片上演全球竞速 中国芯能否卡位逆袭？
1.紫光存储推全系列高性能闪存产品 自研SSD主控亮相
其他媒体3月1日报道（记者 张轶群）今日，紫光存储科技有限公司（以下简称 紫光存储）在北京举行新闻发布会，这是去年8月紫光存储成立之后，紫光存储首次出现在媒体及公众面前，此次发布会上，紫光存储同时推出了覆盖从移动终端存储、PC笔记本电脑消费级存储，到数据中心云平台企业级存储的全系列高性能闪存产品，自研SSD主控也一并亮相。
这不仅意味着紫光的存储帝国实现了从芯到云的完整布局，同时也标志着我国自主品牌闪存产品可以满足各类存储应用需求，并将推动国内自主品牌市场的快速发展。在2018年中国存储产业发展的关键时间节点，紫光开始全面发力。
紫光“从芯到云”战略的重要连接者
近年来，紫光集团依托“从芯到云”的发展战略，投入巨资打造一条从存储芯片设计、制造、封装、测试，到存储产品模组器件以及控制器的研发、制造、封装、测试、销售和服务，再到存储系统的开发、制造、实施和服务的完整存储产业链条。
从目前紫光集团的产业架构看，紫光展锐（设计）、紫光国芯（IC、智能卡）、三大芯片制造基地（武汉、南京、成都）构成了芯片端的产业布局，紫光旗下长江存储已于去年底完成32层3D NAND闪存芯片的设计和生产制造工艺的研发，今年有望实现量产。
紫光存储的定位是存储产品模组器件以及控制器的研发、制造、封装、测试、销售和服务，可以说，紫光存储扮演从芯到云战略连接者的重要角色。此次紫光存储推出全系列高性能闪存模组部件产品，也标志着紫光完整的存储产业链条基本搭建成型。
紫光集团联席总裁兼紫光存储科技有限公司CEO齐联表示，紫光存储的竞争优势，一是在于有完整的产业链条支撑，产品具有较高的性价比。二是作为本地化企业，能够更加贴近国内客户，在产品开发和售后阶段与客户进行紧密的沟通，提升时间效率并降低成本。
“我们相信紫光存储将快速成为中国最大的自主品牌闪存制造商之一。”齐联说。
存储业内专家，中桥调研咨询高级分析师郭平认为：“在存储产品领域，中国是全球最大的数据产生地和消费地，存储容量和性能的需求增长迅速，并拥有全球半数以上的大客户，其中包括顶级互联网应用公司、领先的电信和骨干网路运营商、全球知名的手机整机、服务器、PC笔记本电脑厂商等。但从2016年以来，中国存储产品的大客户均不同程度地受到存储产品缺货、价格高企的严重影响。紫光存储全系列高性能闪存产品的推出正好满足了国内众多大客户的需求。”
此次发布会上，南茂、光宝、群联、慧荣、MARVELL以及阿里等重要合作伙伴的高层系数前来为紫光存储站台，显示出紫光的资源整合能力和行业号召力。
自研SSD主控亮相 明年将采用长存NAND颗粒
在此次发布的系列新品中，紫光存储企业级P8160 PCIe SSD面向高端数据中心、云计算中心等领域，其采用了紫光存储自研TAI控制器，此前紫光在SSD主控方面一直比较低调，鲜有信息释放，此次TAI的亮相，也意味着紫光在国产自研SSD主控方面实现突破。
据齐联介绍，在自研SSD主控方面，TAI完全由紫光存储自有团队开发设计，是面向企业级客户最高端的主控芯片。
此次发布会上推出的其他闪存产品还包括：
紫光存储eMMC系列闪存产品，面向中高端手机和平板电脑等领域，集成了新一代3D NAND TLC，兼具高存取效能、高可靠度及合理储存成本，支持32GB、64GB、128GB大容量应用。
首个国产品牌的紫光存储UFS系列闪存产品面向旗舰智能手机和高端平板电脑等领域。提供SSD等级效能、高可靠度，并兼顾可携带消费产品的低功耗需求，支持64GB、128GB、256GB大容量，全面应对新一代旗舰级智能手机、高性能平板电脑的存储应用需求。
紫光存储企业级S6110 SATA SSD面向兼容基础设施和低成本数据中心升级需求等领域。它使用了高可靠度的3D NAND TLC作为存储介质，并在此基础上构建高效的NAND管理算法，在根本上保证企业级SATA SSD对可靠性的要求。其业界先进的纠错算法的使用，进一步提高了SATA SSD的寿命，使IT部门可以使用更低的成本升级存储设备，并在性能和成本之间有更灵活的选择。
紫光存储企业级P8130 PCIe SSD面向高端数据中心、云计算中心等领域。全面支持NVMe1.2，彻底解决了现代化数据中心I/O的瓶颈。它的高IOPs和带宽，及持续低延时极大的满足了客户数据接入的QoS要求。该产品以高可靠度的3D NAND TLC作为存储介质，结合高效的固件算法，不仅提供了高性能，同时也提供了高可靠性。其LDPC纠错算法的引入，大大提升了3D NAND的使用寿命，从而在性能、容量及成本上达到更优的平衡。
紫光存储消费级P5120 PCIe SSD面向一体机、笔记本、超级本等消费级领域。使用M.2封装形式，高可靠度的优质3D NAND TLC提供了一般产品无法比拟的可靠性能。其成熟的主控方案，成本更低、稳定性更强。消费级产品中高纠错能力算法（LDPC）的使用，使3D NAND TLC的使用寿命更长，无论从性能、可靠性还是性价比，S5120都成为消费类存储中最受瞩目的产品之一。
2.重磅！大基金二期启动:目标募资315亿美金，下半年开始投资
今日据彭博报道，中国目前正在进行国家集成电路产业投资基金（大基金）二期的成立工作，二期拟募集315亿美元资金。
据悉，此次大基金目标是募集至少1500亿元人民币资金，力争达到2000亿元，并将再次投资从处理器设计、芯片制造，到封装测试等广泛的半导体市场，潜在受益企业包括华为、中兴、清华紫光等国内领导企业。大基金二期的出资中，中央财政、一些国有企业和一些地方政府等都将出资该基金。
这与之前其他媒体披露的信息相吻合。此前其他媒体曾报道，大基金二期筹资设立方案总规模为1500-2000亿元。其中，中央财政直接出资200-300亿元，国开金融公司出资300亿元左右，中国烟草总公司出资200亿元左右，中国移动公司等央企出资200亿元左右，中国保险投资基金出资200亿元，国家层面出资不低于1200亿元。
同时，为发挥地方政府在集成电路产业发展中的作用，强化部省协调推进力度，鼓励地方出资参股，大基金二期董事会席位预计需出资150亿元，建议北京、上海、湖北三家首期董事单位加大出资力度、继续保留二期基金的董事席位，同时也请浙江、江苏、广东、深圳等实力雄厚、产业基础较好的地方考虑是否进入董事会。会议要求各地方在2018年1月底前明确总出资额，下半年完成认购并缴付首次出资额。
大基金二期计划于今年下半年开始投资运作，计划今年完成。
消息披露后，一些国内稍小一些的集成电路企业也开始获益。例如封测企业长电在今天下午沪市上涨了6.2%，CSP则上涨了近5%。
彭博表示，中国正在努力减少每年2000亿美元进口半导体产品的比例，而政府预计在10年内投资约1500亿美元在设计和制造领域取得领先地位。美国一些高管和官员则认为这项雄心勃勃的计划会损害美国的利益。
截至2017年上半年，国家集成电路产业投资基金一期规模达到1387.2亿元。
3.便携传感器让大气中超细微粒无所遁形
粒径分辨率达10纳米 有助雾霾形成机理研究
科技日报北京2月28日电 （记者刘霞）大气中超细颗粒物的检测首次有了低成本便携式利器。近日，北京大学物理学院肖云峰研究员和龚旗煌院士带领的课题组，成功制备了基于纳米光纤阵列的全光传感器，新传感器的单颗粒粒径分辨率首次达到10纳米。
颗粒物的高灵敏传感检测在环境监控、国家安全和生化研究等方面具有重要意义。基于光学方法的传感技术具有非物理接触、易于操作且灵敏度高等优势，故而传统光纤传感器已在高灵敏检测领域“大显身手”。
肖云峰对科技日报记者解释：“国际学术界研究表明，当光纤直径减小至光波长量级时，光纤外部产生显著的倏逝场（尺度约在百纳米量级），其对周围环境的微弱变化极为敏感，因此，可利用颗粒物在倏逝场中的散射效应，实现对超细颗粒物的传感与尺寸分布测量。”
据肖云峰介绍，在新研究中，他们首先精确地计算了散射效率与散射体尺寸和光纤直径的关系，预测了纳米光纤传感器的最优几何尺寸和探测极限；随后进行了高灵敏度的纳米光纤阵列的设计和制备，并通过优化光纤模式，实现了单个标准聚苯乙烯纳米颗粒的传感和测量，粒径分辨率达10纳米。
课题组利用这一传感器对2015年和2016年北京冬季大气细颗粒物进行了持续监测，直接获得了百纳米尺度细颗粒物的粒径分布信息及实时演化图，以此数据为基础计算得到的细颗粒物质量浓度数据与官方公布的数据趋势符合良好，展示了此成果具有较高的应用价值。
龚旗煌院士说：“与其他传感器相比，纳米光纤型传感不仅精度高，且成本低、操作简单、便于携带，可快速精准地检测出大气中的超细颗粒物，有望为环境保护和雾霾形成机理研究提供一种新的工具。”
这项成果发表在重要光学期刊《光：科学与应用》上，研究得到了国家自然科学基金委、科技部等的支持。科技日报
4.“北斗三号”全面推进 国产北斗芯片销量突破5000万颗
原标题：“北斗三号”全面推进 年底服务“一带一路”
2017年11月5日，北斗三号第一、二颗组网卫星发射成功，开启北斗卫星导航系统全球组网新时代。此后，中国先后于2018年1月12日和2月12日各以“一箭双星”方式成功发射北斗三号第三、四、五、六颗组网卫星，为从“北斗二号”平稳过渡到“北斗三号”打好基础。
资料图：中国以“一箭双星”方式发射北斗三号组网卫星。中新社发 王玉磊 摄
杨长风表示，2018年将全面推进北斗卫星导航系统的研制建设，计划发射16颗左右的北斗三号中圆地球轨道（MEO）卫星和1颗北斗三号地球同步轨道（GEO）卫星，年底向“一带一路”沿线国家和地区提供服务。
杨长风介绍了北斗卫星导航系统建设的关键节点。首先是到2020年建成世界一流的北斗系统，为全球提供服务；其次是到2035年建成一个以北斗系统为核心，空天地海无缝覆盖、高精度安全可靠、万物互联、万物智能的国家综合定位导航授时（PNT）体系。
杨长风还谈到，推进北斗卫星导航系统全球组网的同时，一方面在应用与产业化上深耕细作，国产北斗芯片从无到有，累计销量突破5000万片；建成有480万辆营运车辆上线、全球规模最大的北斗车联网平台；国内卫星导航产业年产值超过2500亿元人民币，北斗贡献率近80%。
据知，目前北斗系统已加入国际民航组织、国际海事组织等国际组织，中方也与南亚、中亚、非洲、东盟、阿盟等地区和组织建立合作机制。今年11月，中国还将主办联合国全球卫星导航系统国际委员会第十三届大会。中国新闻网
5.5G芯片上演全球竞速 中国芯能否卡位逆袭？
近段时间以来，全球各大厂商都加快了5G芯片的研发力度，紫光和英特尔联合启动5G战略、三星拿下高通5G芯片代工、华为50亿投入5G研发，厂商的一系列举动是最好的行业风向标，随着全球5G推进速度的加快，5G芯片的研发迫在眉睫。而在这场卡位战中，中国厂商是否有机会力争上游？答案是肯定的，但中国5G芯片发展同样面临诸多挑战。
全球厂商竞速5G芯片
2月22日晚，紫光集团旗下的芯片设计公司紫光展锐宣布，与英特尔达成5G全球战略合作，双方合作瞄准了高端5G手机芯片，将面向中国市场联合开发搭载英特尔5G调制解调器的全新5G智能手机平台，并计划于2019年实现与5G移动网络的部署同步推向市场。
同日，三星与高通宣布将双方长达十年的晶圆制造合作关系扩展至极紫外光（EUV）制程，包括高通下一代Qualcomm Snapdragon 5G芯片也将采用三星7nm LPP EUV制程，三星获得高通5G芯片的代工权。
诺基亚也在抓紧发力5G，表示正在推出应用于5G无线网络的全新芯片组，该芯片组不仅将天线尺寸减半，数据处理容量提高两倍，更能有效的减少移动通讯基站的能耗。诺基亚预计，这组芯片将于今年三季度批量出货。
中国厂商也不落后，华为公司在本次MWC2018前夕，在巴塞罗那发布了首款符合3GPP标准（全球权威通信标准）的5G商用芯片——巴龙5G01和基于该芯片的首款3GPP标准5G商用终端。不仅如此，华为还于近日宣布，2018年将投入50亿元用于5G研发，并发布5G基于NSA的商用版本和全套5G商用设备，2019年将推出5G麒麟芯片和智能手机。中兴方面，最近10年未曾实施股权再融资的中兴通讯抛出了百亿级的定增预案，为“面向5G网络演进的技术研究和产品开发项目”募资。
巨头欲抢占行业先机
5G在世界范围内的发展速度不断加快。1月4日，美国运营商AT&T宣布，将于2018年底在美国十几个城市内率先提供5G网络服务；本届韩国平昌冬奥会成为全球5G的首秀；而在欧洲，法国、英国的运营商都在5G方面有了明确的发展计划和时间表。中国也是如此，根据预定计划，我国将在2018年进行大规模试验组网，2019年启动5G网络建设，最快2020年正式商用5G网络。而5G网络和产品顺利面世的关键一环就在于芯片。
各大厂商发力5G芯片，原因在于5G手机推出时间紧。业内人士表示，目前5G参与测试的公司都面临着芯片和终端的挑战，尤其是芯片，5G芯片的研发较为滞后。中国信息通信研究院副院长王志勤曾表示，手机是5G商用化的第一梯队产品，手机芯片的更新换代是5G最大的技术瓶颈。现在，包括小米、华为、OPPO、vivo等不少手机厂商都将5G手机的推出时间定在了2019年，紧迫的时间里，芯片研发就显得更为迫切。
除了客观技术挑战外，厂商也有自己的发展动机。芯片是移动设备的心脏，在万物互联的5G时代，掌握了芯片技术有利于厂商在新一代网络发展中占据先机，助力自身在产业链中占据更高的话语权和主导权。
中国芯大有可为
从目前的发展来看，中国已走在5G研发建设的前列，那么中国芯片在这一次5G大潮中，能否有机会力争上游、卡位逆袭呢？
5G全球标准统一让设备商、厂商都站在了同一起跑线，不管是国家政策支持，还是行业企业自身重视，以及近年来中国厂商在技术领域的猛力追赶，中国芯片在5G网络时代都必将有所突破。华为发布了首款5G商用芯片，就是“中国芯”实力的很好展现。在华为、中兴等领头企业的带动下，将会给国内芯片制造技术带来很大提升。
然而，我们也应该认识到，“中国芯”想要真正逆袭，依然面临诸多挑战。首先是技术差距，近年来，国外厂商几乎垄断了芯片技术，国内手机厂商中除了华为顺利突围，研发了麒麟芯片外，其他手机厂商几乎都受制于“外国芯”，同时国内专利储备比较薄弱，自主研发难度颇大。其次，制作水平较为薄弱，国内芯片制造在工艺水平、技术人才方面都还不足以与国际厂商竞争，这使得国内制造周期拉长、效率降低，有业内人士指出，国内芯片制造工艺整体落后世界领先水平两代以上。
机遇与挑战并存，2018将成为5G芯片发展的关键一年，相信在强有力的政策支持下，加上国内厂商的不懈努力，中国5G必将在不久的将来真正引领世界。人民网
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