3.外资：硅晶圆Q1
价格季增10% 部分厂商达双位数以上；
5.高通与三星签十年合约，骁龙芯片将基于三星7nm EUV
工艺打造；
1.旺诠宣布暂停接单，厚膜电阻价格或再次拉高；
今年年初以来，被动元器件涨价态势未降反升，从国巨连发MLCC涨价与延迟交货通知后，加剧MLCC存货
市场价格上扬；而在旺诠近日也发布通知暂停接受厚膜电阻新单，贴片电阻价格或将再次拉到新高。
2月21日，奇力新旗下旺诠公告暂停接受厚膜电阻新订单，开放接单时间另行公告。
市场预期，这不排除旺诠最快2月底进行第2波涨价行情。
旺诠公告称，由于大量订单持续涌入，为了确保所有客户排程及交期，即日起公司暂停接受厚膜电阻全系列所有型别新订单，具体开放接单时间，将择期另行公告。
而早在今年1月2日，旺诠就曾发布公告称，部分系列贴片电阻要涨价15%。
公告称，由于原材料及包装材料的持续上涨，造成我们面临极大的
成本压力，为了持续提供客户更好的服务，旺诠必须针对以下型别单价调整：0402 0603 0805 1206系列贴片电阻，价格调升15%。
据了解，目前被动元件供需缺口约5%，消费类电子占被动元件70%以上的市场份额，随着
大客户砍单缓解，市场需求量将大幅提升，交货周期也随之拉长，被动元件的供需缺口也进一步拉大，厂商和客户都要排队要货。
不过，旺诠早就有扩产计划。去年下半年旺诠开始扩充中国昆山厂和马来西亚厂，法人预估旺诠今年成长幅度在15%到20%区间，由于受到昆山限排影响，未来马来西亚厂占旺诠比重会越来越高。
此外，国巨今年度已经两次调涨芯片电阻价格；光颉旗下无锡泰铭电子日前也公告厚膜电阻售价调整，部分
封装贴片电阻在前售价基础上提升15%。
虽然2018年开业不久，但被动元件缺货涨价态势依旧在延续，再加之中国大陆环保限排的春风席卷，预计会牵动大陆部分芯片电阻厂
产品供应，
产品供给可能持续紧俏，未来芯片电阻价格走势或将再次拉高，引发被动元器件产业的新一轮洗牌。
2.英特尔在以色列投资50亿美元，升级当地fab至10nm工艺；
据路透社报道，2018年至2020年英特尔将在以色列投资50亿美元，用于扩大其在以色列的
生产规模和技术升级换代。以色列经济部长Eli Cohen周三在与英特尔公司会谈后表示，英特尔计划投资50亿美元扩大以色列南部水牛城(Kiryat Gat)芯片工厂的产能。
Eli Cohen表示，水牛城工厂的扩建工程将从今年启动，到2020年完工。英特尔此前已表示，计划把该工厂的
制造工艺从22纳米升级到10纳米，
生产更小、速度更快的芯片。
英特尔发言人不予置评。
为吸引英特尔继续投资，以色列政府将给予其一系列优惠政策，包括占投资总额20%-30%的政府拨款、降低公司税、土地征用免投标，开发
成本补贴。据预测这笔补贴款将在4~5亿美元左右。
据悉，位于以色列南部的凯尔耶特盖特工厂是世界上最先进的芯片
制造基地之一，2014年，英特尔投资60亿美元升级水牛城工厂，其中5%为以色列政府补助，而且获得了5%的10年企业税优惠。2016至2017年英特尔投资了60亿美元用于该工厂扩建和升级。
在最新宣布的50亿美元工厂增产计划中，英特尔预计将最高获得10%的政府补助。以色列经济部发言人称，具体补助将取决于英特尔的最终增产提议。
以色列经济和财政部、税务局相关负责人将在下月会面，就英特尔的提议概要达成原则上的一致。以色列经济部将负责审核英特尔的详细计划。
自1974年以来，英特尔已经在以色列累计投资了170亿美元，雇佣了1万多名员工，60%从事研发工作。目前，英特尔在以色列还着眼于人工智能、无人驾驶、5G通讯等领域投资。去年英特尔以逾150亿美元的价格收购了以色列视觉与驾驶辅助系统研发企业Mobileye，由此进入无人驾驶技术领域。
受到新一代处理器发布的推动，英特尔去年在以色列的出口额从2016年的33亿美元增加到36亿美元。目前英特尔是以色列科技领域最大的投资者。
3.外资：硅晶圆Q1价格季增10% 部分厂商达双位数以上；
外资机构预测，2018年
设备仍将成长，来自存储器与高端
制程扩产
设备投资，硅晶圆第1季整体价格季增有5至10%齐涨盛况，部分厂商甚至达双位数以上，展望仍乐观。
硅晶圆是用来生产半导体元件的重要原物料，因此硅晶圆出货面积的成长，意味着半导体产业的整体出货与市场需求蓬勃发展。不过，也因为需求持续成长，近期硅晶圆厂商一直有酝酿涨价的风声传出。
据SEMI统计，2017年全球硅晶圆(含磊晶硅晶圆)出货面积连续四年打破历史纪录，达到118.1亿平方英吋，比2016年成长21%。
从
销售金额的角度来看，2017年全球硅晶圆
销售金额为87.1亿美元，也比2016年的72.1亿美元成长21%。不过，由于硅晶圆单价仍比历史高点来得低很多，因此硅晶圆销售金额距离历史纪录121亿美元仍有一段很大的差距。
日本硅晶圆厂商SUMCO本月表示，2018年12英寸硅晶圆价格有望进一步回升约20%(2018年Q4价格将较2016年Q4高出40%)，且预估2019年将持续呈现回升，当前顾客关注的重点已转移至如何确保2020年以后的数量。
在8英寸产品部分，SUMCO表示，因供应量增加幅度有限，因此今后供需紧绷情况恐呈现长期化；6英寸产品部分，当前供应不足情况显着、今后展望不明。
据台媒报道，传IDM大厂委外代工订单塞爆世界先进及联电8英寸晶圆代工产能，到5月前产能爆满，不少IC设计加价才有机会拿到产能，其实车用电子的需求大增带动不少。
世界先进去年陆续接获外商IDM厂委外生产订单，尤以车用电子为大宗，今年在电源管理IC、指纹识别IC将出现双位数成长，其中电源管理IC受惠于外商委外生产趋势，去年已取得客户订单，在今年陆续量产，占去大量产能，因而排挤到不少IC设计小厂订单，需要加价才有机会排到产能。
世界先进董事长方略曾表示，受惠电源管理、影像传感器、指纹识别芯片和
驱动IC对8英寸晶圆代工需求强劲，世界先进产能今年将「非常吃紧」，公司正寻求新建12英寸厂，借此突破产能瓶颈。
由于8英寸产能吃紧、利用率达满载，世界先进在反应8英寸硅晶圆的成本增加，逐步调整晶圆代工报价，法人预估每季的涨幅介于 1%至2%，连调四季，预估全年涨幅4%至8%。
究其原因，由于过去多数晶圆厂逐渐将产能由8英寸转向12英寸，全球8英寸产能逐渐减少，且目前投资8英寸晶圆设备昂贵，不符合成本经济效益，这几年8英寸晶圆代工产能有减无增。
此外，指纹识别在智能手机逐渐普及，需求量大增，而指纹识别相当吃8英寸产能，另一便是去年一路喊涨MOSFET需求上扬，两大产品应用占去8英寸晶圆相多大产能。
5.高通与三星签十年合约，骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造；
今日三星官网发布新闻稿，三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代5G移动芯片，将采用三星7纳米LPP（Low-Power Plus）极紫外光（EUV）
制程。
新闻稿指出，通过7纳米LPP EUV工艺，骁龙（Snapdragon）5G芯片组可减少占位空间，让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力。
该合作计划将长达十年，三星将授权“EUV光刻工艺技术”给高通使用，其中包括使用三星7纳米LPP EUV工艺技术制造未来的Snapdragon 5G移动芯片组。
去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术7LPP EUV，预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。对照10纳米FinFET制程，三星的7纳米LPP EUV工序较少、良率较高，而且面积效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。
另外，三星位于华城市(Hwaseong)的7纳米厂本周五将动土，预计最快明年量产，但预料赶不上当年度Galaxy S10与Note 10的上市时程。
韩国媒体20日报道称，三星计划投入6兆韩圜(相当于56亿美元)升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备，由于每台EUV设备要价皆多达1,500亿韩圜，因此仅采购机台费用就达到3～4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划，也将在近期公布。
相较之下，台积电今年已开始试产7nm芯片，预定第2季为联发科推出芯片原型，并于明年初开始全力量产。
台积电采用5nm先进制程的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土，预计第一期厂房明年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出，待2022年第一、二、三期厂房皆进入量产时，年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。（校对/小秋）
